Полирующий травитель для иодида ртути
ПОЛИРУКЯЦИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ИОДИДА РТУТИ, включающий галогенсодержащий компонент и воду, о.т л и -. чающийся тем, что, с целью увеличения скорости травления, получения зеркально-глащкой поверхности и сохранения ее плоско-параллельности, в качестве галогенсодержащего компонента используют10-20 мас.% иодипа аммония.(Л С
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
Ф
I и ь .,3
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ -.
Н ABTOPCHOlVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2832788/18-25 (22) 26.10.79 (46) 15.07.83. Вюл. 9 26 (72) В.М;Залетин, И.Н.Ножкина, Т.Н.Петрунина и Н.В.Рогозина (71) Новосибирский государственный университет им. Ленинского комсомола и Институт физики полупроводников
Сибирского отделения АН СССР (53) 621.382(088.8) (56) 1. БРара N. u.à. Nuclear instrument and methods. 1978, v.150, 55-70.
2. Schieber М и.а. The e0irect
abservation of à cRuster of Soren
dislocations in Ндд .Crusta00
Growth 1976, 9 33, 125-135 (прототип).
„„SU„„81 3 А (54) (57) ПОЛИРУКЦИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ
ИОДИДа РТУТИ, включающий галогенсодержащий компонент и воду, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью увеличения скорости травления, получения зеркально-гладкой поверхности и сохранения ее плоско-параллельности, в качестве галогенсодержащего компонента используют 10-20 мас,% поди.(а аммония..
816331
1. Скорость травления образцов
Нд3 20%-ным раствором иодистого калия составляет 5,6 мкм/с.
2. На протравленной поверхности образца остаются четко выявленные дислокации в виде ямок травления, имеющих форму четырехугольников.По мере стравливания поверхности число ямок травления уменьшается, однако даже после 60 сек травления число ии значительно.
Изобретение относится к технике травления полупроводников.
Для использования свойств полупроводникового материала йодида ртути (HgJg) и для изготовлечия детекторных структур из него требуются пластины толщиной от 100 до 500 мкм.
Изготовление необходимых пластин HgJ2 осуществляют путем раскалывания кристалла по плоскости спайности 001 1 на пластины толщиной 8001000 мкм. При этом за счет механического воздействия нарушается целостность поверхностного слоя образца, возникают добавочные напряжения на сколе, структурные де- 15 фекты. Устранение поверхностных нарушений и доведение (бездефектное) пластин Ну 2 до требуемой толщины производится путем химического травления образца. 20
Известен травитель для йодида ртути, содержащий метанол (1 ).
Растворимость йодида ртути в метаноле при 25 С составляет 3,4Ъ. о
Главным недостатком указанного травителя является его высокая токсичность и токсичность образующихся при травлении органических соединений ртути. Это требует дополнительных мер безопасности при использовании и хранении травителя, что создает определенные трудности в err> примене)лии и удорожает обработку
:кристаллов. Поэтому в качестве"мас сового" широкоиспользуемого травителя метанол рассмотрен быть не может. Кроме того, скорость травления образцов HgJ2 метанолом составляет не более 0,9 мкм/с, а на странленной поверхности остаются четкие фигуры роста кристалла в виде пирамид, вершины которых со временем постепенно растравливаются.
Наиболее близким техническим решением является полирующий травитель для иодида ртути, включающий 45 галогенсодержащий компонент и воду (2).
В качестве галогенсодержащего компонента используют 10-20 мас.Ъ водного раствора иодистого калия. 50
Недостатками известного травителя являются:
Для получения полированой поверх- ности образца необходимо снимать по нескольку .сот микрон материала, и приведенная скорость травления представляется невысокой, а 20%-ный вод-. ный раствор KJ очевидно может быть использован лишь для селективного травления.
Целью изобретения является увеличение скорости травления, получение зеркально-гладкой поверхности и сохранение ееплоскопараллельности.
Поставленная цель достигается тем, что в травителе для иодида ртути, включающем галогенсодержащий компонент и воду, в качестве галогенсодержащего компонента используют
10-20 мас.Ъ иодида амглония.
Растворимость иодида ртути в воде при 25 С составляет 0,006Ъ, Действие предлагаемого травителя основано на образовании промежуточного химического соединения ртути ( (NH <) 2 НдЮ+, имеющего высокую раство риглость в воде.
Пример . Травитель получают следующим образом: навеску иодида аммония 10 или 20 r растворяют в деионизованной воде, доводя общий объем раствора до 100 мл.
Способ травления заключается в следующем.
Образец HgJ погружают в тефлоно2 вый стакан с раствором травителя.
В стаканчике имеется решетка, предотвращающая опускание образца на дно емкости. Раствор тщательно перемешивают в течение определенного времени, после чего образец тщательно промывают деионизованной водой, извлекают, сушат на фильтре на воздухе, обработанную поверхность изучают под микроскопом МВИ-б. !
Режимы полирующего травления при-, ведены в таблице.
При использовании более концентрированных по NH 10% концентрацией NH4J нецелесообразна иэ-за увеличения времени травления более, чем 60 сек; При использовании данного состава травителей и режима травления обработанный образец HgJZ имеет гладкую, зеркальную поверхность, плоско-параллельность стравленных слоев сохраняется полностью, что дает возможность получить равномерное электрическое поле при дальнейшем применении образца в качестве детектора, 816331 Состав травнтеля, % ын z н о 30 10 5 Гладкая зеркальная 20 8,2 То же 85 6 6 90 Редактор С.Титова Техред С.Мигунова Корректор Л.Бок аан. Заказ 6497/2 Тираж 703 Подписное: ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раущская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент!, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 Время травления, с Скорость травления, мкм/c. Характер поверхности
