Способ изготовления изделий

Авторы патента:

C23C16/01 - на временных подложках, например на подложках, последовательно удаляемых травлением

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ, преимущественно литейных форм и штампов, включающий осаждение металла основы путем разложения паров исходных металдосодержсидих соединений карбонильной группы на нагретую до температуры осаждения металла основы подложку, отделение изделия от под- .ложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изделия и его износостойкости, передосаждением металла основы на подложку наносят антиадгезионный слой, а нагрев подложки осуществляют до, температуры осаждения карбида металла основы. При этом разложение паров ,,; исходных металлсодержащих соединенийгЗ и материала антиадгезионного слоя ** проводят в вакууме.(Л

СООЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

3(Я) С 23 С 11/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Об

4Р

Ь)

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ QCCP

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2679201/18-21 (22) 10.11.78 (46) 30.10.83. Бюл. Я 40 (72) A. Б. Димант, - B.Ã. Сыркин, Ю.С. Трушин, С.И. Мещеряков,В.П.Федоренко и A.M. Рыженков (71) Научно-исследовательский и экспериментальный институт автомобильного электрооборудования и автоприборов и ГоСударственный научноисследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений (53) 621 .793. 1 (088. 8) (56) 1. Казначей Б.Я ° Гальванопластика в промышленности .

2. American Machinist., 1960 чой. 104, 9 8, р. 108 (прототип).

„„SU„„820254 А.(54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИИ, преимущественно литейных форм и штампов, включающий осаждение металла основы путем разложения паров исходных металлосодержащих соединений карбонильной группы на нагретую цо температуры осаждения металла основы подложку, отделение изделия от подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изделия и его иэносостойкости, перед осаждением металла основы на подложку наносят антиадгезионный слой, а нагрев подложки осуществляют до температуры осаждения карбида металла основы, при этом разложение паров исходных металлсодержащих соединений и материала антиадгеэионного слоя проводят в вакууме.

820254

Изобретение относится к <щособам изготовления изделий сложной ФОрьы,преимущественно литъевых форм и штампов, путем термической диссоциации карбонилов .и карбонилпроизводныхметаллов.

Изобретение может быть -использовано в разли .ных отраслях промышленности для изготовления литьевых форм и пресс-Форм для переработки пластмасс, резины, цинковых, алюминиевых и других снлавов в готовые детали и иэделия, а также для изготовления моделей, штампов и других иэделий сложной Форин.

Известен способ изготовления литьевнх форм, мбделей и других иэделий сложиой формы из металла пос- 35 редством механической обработки, а также осаждением иэ электролита jl 1.

Недостатками такого сйособа яв» ляются значительная трудоемкость и малая производительность (жри меха- 20 иической обработке), значительная продолжительность процесса, наличие сточных вод и недостаточно высокое . качество иэделий (при осаждении йз электролита) ° 25

Наиболее близким к предлагаемому способу является способ изготовления литейных Форм.и штампов, включающий осаждение металла основы путем разложения паров исходных металлсодержа- 30 щих соединений карбонильиой группы .на нагретую до температуры осаждения металла основы подложку, отделение. иэделия от подложки (.2).

Однако таким способом не могут быть получены качественные изделия с высокой иэносостойкостью.

Цель изобретения - повышение качества изделий и их износостойкости, Цель достигается тем, что в способе изготовления изделий, преиму- 40 щественно литейных форм и штампов, включающем осаждение металла основы путем разложения паров исходных металлсодержащих соединений карбонильгруппы На нагретую до температу- 45 ры осаждения металла основы подложку, отделение изделия от подложки перед осаждением металла основы на подлож ку наносят антиадгезионный слой, а нагрев подложки осуществляют до тем- 50 пературы осаждения карбида металла основы, при этом разложение паров исходных металлсодержащих соединений и материала антиадгеэионного слоя проводят в вакууме.

Пример 1. Перед введениеМ паров металла основы - никеля в рабочую камеру в последней достигают разрежения 10 ям рт.ст., осуществляю ют нагрев подложки до 150-160 С, после чего осэдают антиадгезионный 60 слой в течение 10 с путем подачи паров карбонила никеля с добавкой

ВНИИПИ Заказ 8173/4

Филиал ППП "Патент", г. кислорода в количестве 2% по отношению к объему паров карбонила нйкеля, подаваемый в количестве 5 10 моль/мм мнн..Наращивание слоя никеля производят при подаче паров карбонила никеля без добавки кислорода по достижении давления паров карбонила в камерЕ 10 мм рт.ст. сначала при 150160 С до получения поверхностного твердого слоя заданной тотаинн, затем при 280-300 С до получения заданных размеров (толщины) иэделий, после чего подачу. наров карбонила никеля прекращают, выдерживают подложку при. 300 С в течение 10-15 мин, постепенно охлаждают подложку до 60 С разгерматнзнруют камеру и эвакуируют иэ нее подложку с изделием. Съем изделия с подложки осуществляют вне камеры известными способами.

B результате проведения процесса при указанных выше условиях получают изделия вЂ” слепки - рабочие части литьевых форм для изготовления пластмассовых оптических элементов световозвращателей. Толщина слепков - рабочих частей литьевых форм 4-6 мм (время проведения процесса 5-7 .ч), причем микротвердость наружного слоя толщиной 0,5-1 мм составляет 525:550 кг/мм2, а микротвердость основного слоя - 320-350 кг/мМ:2.

Скорость наращивания никеля прн этом составляет 1 мм/ч.

Пример 2. Условия ведения процесса те же, что и в примере 1, но в качестве исходного сырья для получения активированного никеля применяют другое никельсодержащее соединение, например карбонат никеля - NiCQ . В этом случае обработка карбоната никеля водородом при 100200 С приводит к образованию чистого металлического актнвированного никеля.

Кроме того, для создания антиадгезионной подачи паров карбонила с добавкой кислорода подложку покрывают слоем карбида никеля, осаждаемого иэ газовой фазы посредствомс разложения в тлеющем разряде.

Использование предложенного спо- . соба позволит решить проблему изготовления иэделий сложной формы высокого качества при обеспечении высокой производительности.

Так, например, если при проведении процесса в несущем газе скорость осаждения никеля не превышает 0,1 мм/ч, то при проведении процесса по предложенному способу скорость .осаждения никеля может достигать 0,5-1,.мм/ч.

Броме того, значительно увеличиваются точность и нрочность изделия, что очень важно, например, для светотех,нических устройств, деталей точных приборов н т.п.

Тираж 956 Подписное

Ужгород, ул.Проектная,4

Изобретение относится к производству независимых подложек из нитрида III группы для применения в области электроники и оптоэлетроники. Способ получения независимой подложки 100 из нитрида III группы включает осаждение первого слоя 102 нитрида III группы на подложку 101 для выращивания, формирование в первом слое 102 механически ослабленного жертвенного слоя 110, осаждение второго слоя 107 нитрида III группы на первый слой 102 и отделение второго слоя 107 от подложки 101 по механически ослабленному жертвенному слою 110, при этом стадия формирования механически ослабленного жертвенного слоя 110 включает образование вертикальных отверстий 105, проходящих вниз от свободной поверхности первого слоя 102 нитрида III группы к границе раздела 109 между первым слоем 102 и подложкой 101, латеральное травление, через отверстия 105, первого слоя 102 в указанной граничной области 109 и латеральное заращивание отверстий 105 на стадии осаждения второго слоя 107 для обеспечения непрерывного слоя. Технический результат изобретения состоит в обеспечении эффективного отделения второго слоя нитрида III группы от подложки с получением независимого кристалла нитрида, который служит в качестве подложки для дополнительного осаждения нитрида. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

Микромеханическая деталь сложной формы с отверстием // 2577312

Изобретение относится к способу изготовления микромеханической детали (11, 31, 41) из цельного куска материала. Способ включает следующие этапы: a) формирование подложки, которая включает в себя негативную полость для упомянутой изготовляемой микромеханической детали; b) формирование временного слоя на одной из частей подложки; c) осаждение частиц на подложке, которые должны стать точками проращивания; d) удаление временного слоя таким образом, чтобы на одной из частей подложки были выборочно удалены все частицы; e) осаждение слоя материала при помощи химического парофазного осаждения таким образом, чтобы материал осаждался только в тех местах, где остались частицы; f) удаление подложки для освобождения микромеханической детали, образованной в упомянутой негативной полости. Предлагаемый способ позволяет получать микромеханическую деталь со сложной геометрией и проделанными отверстиями с минимальным количеством используемого материала и этапов. 9 з.п. ф-лы, 21 ил.

Способ и устройство для изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов iii группы // 2593868

Изобретение относится к технологии изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов III группы для электронных и оптоэлектронных применений. Способ включает стадии выращивания первого слоя нитридов элементов III группы на инородной подложке, обработки первого слоя нитридов элементов III группы лазером, выращивания второго слоя нитридов элементов III группы на первом слое нитридов элементов III группы, отделения путем лазерного отслаивания второго слоя нитридов элементов III группы от подложки, при этом лазерную обработку первого слоя выполняют внутри реактора и при температуре в пределах ±50°С от температуры выращивания, лазерную обработку первого слоя выбирают, по меньшей мере, из одного из следующего: отрезание, сверление или травление для образования бороздок, отверстий или других полостей в первом слое и создания между ними областей пониженных напряжений, стадию отделения с помощью лазерного отслаивания второго слоя нитридов элементов III группы от подложки выполняют внутри реактора и при температуре в пределах ±50°С от температуры выращивания. Способ осуществляют в реакторе, содержащем первую зону 8 для эпитаксиального выращивания слоев 2,5 нитридов элементов III группы путем ХОПФ на инородной подложке 1, вторую зону 9 для лазерной обработки, которая включает систему 11 лазерной обработки с передней стороны слоя 2 нитридов элементов III группы для создания области снятия напряжений, которую выбирают, по меньшей мере, из одного из следующего: лазерного отрезания, сверления или травления, и систему 10 отслаивания слоя 5 нитридов элементов III группы от подложки путем воздействия лазерного луча, проникающего к слою с обратной стороны подложки. Изобретение позволяет получать кристаллы в форме пластин с низкими напряжениями и низкой плотностью дефектов. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.