Импульсный мостовой генератор

 

Союз Советския

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ лф ф,и г

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 230779 (21) 2799327/18-21 (5 )М с присоединением заявки No(23) Приоритет—

Н 03 К 3/02

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений и открытий

Опубликовано 15.04.81. Бюллетень Hо 14

Дата опубликования описания 15.04.81 (З) УА 621. 371. 4 (088. 8) (72) Авторы изобретения

В.П. Чехонин и Ю.В.Чирков

f4% 7:(71) Заявитель (54) ИМПУЛЬСНЫЙ МОСТОВОЙ ГЕНЕРАТОР

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве задающего генератора. Известно устройство, содержащее два транзистора, конденсатор и резисторы, позволяющее генерировать импульсы инфранизкой частоты при малом потреблении мощности (1J.

Недостатком этого устройства является малый диапазон генерируемых частот.

Известен импульсный мостовой генератор, содержащий три конденсатора, два усилительных транзистора, два диода и сравнивающий транзистор, база 15 которого соединена соответственно через первый и второй-резисторы с шинами источника питания, а через первый конденсатор с шиной выходного сигнала и с коллектором первого усили- 20 тельного транзистора, база которого соединена с анодом первого диода, с коллектором, сравнивающего транзистора. и через третий резистор с первой шиной источника питания, база второго усилительного транзистора соединена соответственно через четвертый и пятый резисторы с шиной выходного сигнала и с первой шиной источника питания, эмиттер этого транзистора сое- 30 ь динен через шестой резистор с второй шиной источника питания, а коллектор с первой обкладкой второго конденсатора и через седьмой резистор с первой шиной источника питания, первый вывод восьмого резистора соединен со второй шиной источника питания, первая обкладка третьего конденсатора соединена с первой шиной источника питания (21.

Недостатком этого устройства является малый диапазон генерируемых частот.

Цель изобретения — расширение диапазона генерируемых частот.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство, содержащее три конденсатора, два усилительных транзистора, два диода и сравнивающий транзистор, база которого соединена соответственно через первый и второй резисторы с шинными источниками питания, а через первый. конденсатор — с шиной выходного сигнала и с коллектором первого усилительного транзистора, база которого соединена с анодом первого диода и с коллектором сравнивающего транзистора и через третий резистор с первой шиной источНика питания, база второго усилитель822321

40 ного транзистора соединена соответственно через четвертый и пятый резисторы с шиной выходного сигнала. и со второй шиной источника питания, эмиттерозтого транзистора соединен через шестой резистор со второй шиной источника питания, а коллектор с первой обкладкой второго конденсатора и через седьмой резистор с пер; вой шиной источника питания, первая обкладка третьего конденсатора сое-. динена с первой шиной источника пи!

0 тания, в ведены ст аб или з ирующий транзистор, третий, четвертый и пятый уси- лительные транзисторы, причем вторая обкладка второго конденсатора соединена с катодом первого диода и через второй диод с первой шиной источника питания,. база третьего усилительного транзистора соединена через девятый резистор с первой шиной источника . питания, а через десятый резистор с 20 эмиттером стабилизирующего транзистора, база и коллектор которого соединены со второй шиной источника питания, эмиттер третьего усилительного транзистора соединен со вторым 25 выводом восьмого резистора, а коллектор — со второй обкладкой третьего конденсатора и с эмиттером сравнивающего транзистора и с коллектором четвертого усилительного транзистора, эмиттер которого соединен с первой шиной источника питания, а база соединена через двенадцатый резистор с коллектором второго усилительного транзистора и через тринадцатый резистор с первой шиной источника питания, обкладки первого конденсатора соединены соответственно с базой и эмиттером пятого усилительного транзистора, коллектор которого соединен с первой шиной источника питания °

На чертеже представлена схема мостового импульсного генератора.

Схема, импульсного мостового генерато. а содержит конденсаторы 1-3, усилительные транзисторы 4 и 5, диоды б и 7 и сравнивающий транзистор 8, база которого соединена соответственно через резисторы 9 и 10 с шиной

11 источника питания, а через конден- 50 сатор 2 с шиной 12 выходного сигна.ла и с коллектором транзистора 4, база которого соединена с анодом диода

6, с коллектором транзистора 8 и через резистор 13 с шиной 11 источника питания, база транзистора 5 соединена соответственно через резисторы 14 и

15 с шиной 12 и с шиной 16, эмиттер транзистора 5 соединен через резистор

17 с щиной 16, а коллектор с первой обкладкой конденсатора 3 и через ре- бО эистор 18 с шиной 11, первый вйвод резистора 19 соединен с шиной 17,первая обкладка конденсатора 20 соеди-. нена с шиной 16, вторая обкладка конденсатора 3 соединена с катодом диода 65 б и через диод 7 с шиной 11, база транзистора 21 соединена через резистор 22 с шиной ll источника питания, а через резистор 23 с эмиттером транзистора 24, база и коллектор которого соединены с шиной 16, эмиттер транзистора 21 соединен со вторым выводом резистора 19, а коллектор — со второй обкладкой конденсатора 20 и через резистор

25 соединен с эмиттером транзистора 8 и с коллектором транзистора 26,. эмиттер которого соединен с шиной 11, а база соединена через резистор 27 с коллектором транзистора 5 и через резистор 28 с шиной 11, обкладки конденсатора 2 соединены соответственно с базой и эмиттером транзистора 29, коллектор которого соединен с шиной

11 источника питания.

Генератор работает следующим образом.

В исходноМ состоянии конденсаторы

3 и 20 разряжены, а транзисторы 4,5, 8,26 и 29 находятся в запертом состоянии. Конденсатор 20 заряжается постоянным током, протекающим через коллектор транзистора 24. Постоянство тока заряда конденсатора 20 обеспечивается постоянным напряжением на базе этого транзистора, которое образуется резистивным делителем на резисторах 22 и 2.3 и транзистором 24.

По мере заряда конденсатора 20. понижается потенциал на эмиттере транзистора 8, и при достижении напряжения отпирания, которое определяется делителем на резисторах 9 и 10, транзистор 8 приоткрывается, при этом через переход база-эмиттер транзистора 4 и через резистор 13 начинает протекать ток. Диод 6 исключает протекание этого тока через конденсатор 3 .и резистор 18. Через коллектор транзистора 4 начинает протекать усиленный ток, который, в свою очередь, усиливается в 8 раэ транзистором 29, и с его эмиттера ток поступает в базу транзистора 8, вызывая его дальнейшее отпирание. Этот процесс отпирания протекает лавинообразно, причем конденсатор 2 вызывает ускорение этого процесса.

В результате этого процесса транзисторы 4,8 и 29 оказываются откры,тыми. Отпирание транзистора 4 вызывает отпирание транзистора 5, который, в свою очередь, через резистор 27 вызывает отпирание транзистора 26.

В результате этого конденсатор

20 в начальный момент начинает разряжаться как по цепи эмиттер-коллектор транзистора 8 и база-эмиттер транзистора 4, так и по цепи резистор 25 и коллектор-эмиттер транзистора 26. В дальнейшем по мере понижения напряжения на конденсаторе 20 первая цепь в разряде конденсатора практически не участвует и разряд

822 32 1 конденсатора 20 до нулевого напряжения на нем заканчивается по второй цепи.

При отпирании транзистора 5 конденсатор 3 начинает заряжаться от источника питания по цепи переход база-эмиттер транзистора 4, диод б, коллектор-эмиттер транзистора 5 и резистор 17. Протекающий по этой цени ток заряда поддерживает открытым транзистор 4 несмотря на то, что конденсатор 20,может уже полностью разрядиться, а транзистор 8 может быть о

1э акрыт .

Как только конденсатор 3 эарядится до такой .величины, что протекающий через него ток заряда оказывается недостаточен для отпирания транзистора 4, последний закрывается, что вызывает .закрывание транзистора 5 и дальнейшее уменьшение тока заряда конденсатора 3. Развивающийся при 20 этом лавинообразный процесс приводит к полному запиранию транзисторон 5 и 29 и окончанию импульса на шине

12 и восстановлению генератора в исходное состояние. 25

Таким образом, введение транзисторов 21, 24 и 26 н схему генератора позноляет значительно расширить диапазон генерируемых частот.

Формула изобретения !

Импульсный мостовой генератор, содержащий три конденсатора, два усилительных транзистора, два диода и сравнивающий транзистор, база которого соединена соответственно через первый и второй резисторы с шинами источника питания, а через первый 40 конденсатор — с шиной выходного сигнала и с коллектором первого усилительного транзистора, база которого соединена с анодом первого диода, коллектором сравнивающего транзисто- 45 ра и через третий реэис-,ор с первой шиной источника питания, база второго усилительного транзистора соединена соответственно через четвертый и пятый резисторы с шиной выходного сигнала и со второй. шиной источника питания, эмиттер этого транзистора. соединен через шестой резистор со второй шиной источника питания, коллектор — с первой обкладкой второго конденсатора и через седьмой резистор с первой шиной источника питания, первый вывод восьмого резистора соединен со второй шиной источника питания, первая обкладка третьего конденсатора соединена с первой шиной источника питания, о т л и ч а— ю шийся . тем, что, с целью расширения диапазона генерируемых частот, в него введены стабилизируь:щий транзистор, третий и четвертый и пятый усилительные транзисторы, причем вторая обкладка второго конденсатора соединена с катодом первого диода и через второй диод с первой шиной источника питания, база третьего усилительного транзистора соединена через девятый резистор с первой шиной источника питания, а через десятый резистор с эмиттером стабилизирующего транзистора, база и коллектор которого соединены со: второй шиной источ-, ника питания, эмиттер третьего усилительного транзистора соединен со вторым выводом восьмого резистора, а коллектор - co второй обкладкой третьего конденсатора и через одиннадцатый резистор соединен с змиттером сравнивающего транзистора и с коллектором четвертого усилительного транзистора, эмиттер которого соеди нен с первой шиной источника питания, а база соединена через двенадцатйй резистор с коллектором нторого усилительного транзистора и через тринадцатый резистор с первой шиной источника питания, обкладки первого конденсатора соединены соответственно с базой q эмиттером пятого усилительного транзистора, коллектор которого соединен с первой шиной источника питания.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 363188, кл. Н 03 К 3/02,10.04.70.

2. Авторское свидетельстно СССР

9 570184, кл. Н 03 К 3/02 22.04.76.

822321

Составитель И.Коновалов

Редактор М.Недолуженко Техред. A.Ач

Корректор В.Бутяга

Подписное

Филиал ППП Патент, r.Ужгород, ул,Проектная, 4

Заказ 1891/81 Тираж 988

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретениИ и .открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5