Способ легирования теплообменника и устройство для его осуществления

 

1. Способ легирования теплообменника путем нанесения на его поверхность легирующего материала и обработки ее лазерным лучом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества легирования, легирующий материал предварительно переводят в газообразное состояние и наносят его одновременно с обработкой поверхности лазерным лучом путем бомбардирования поверхности образованными газами, при этом дополнительно накладывают на них ускоряющее магнитное поле.

2. Устройство для легирования теплообменника, содержащее лазер с блоком питания и фокусирующую систему, отличающееся тем, что, с целью повышения качества легирования, оно дополнительно содержит конусообразный тубус, установленный между фокусирующей системой и теплообменником, обращенный вершиной к последнему, и снабженный с наружной стороны обмоткой, подключенной к блоку питания лазера, индукционным тиглем, сообщенным с полостью тубуса, причем тубус выполнен открытым со стороны вершины.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройству для термического окисления пластин кремния, которые находят широкое применение в технологии полупроводниковых материалов

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений при высоких температурах в гетерогенных селикатных средах

Изобретение относится к технологическим приемам получения искусственных кристаллов алмаза из углеродсодержащего сырья, при высокой температуре и в атмосфере сжатого газа, относительно низкого давления
Изобретение относится к композиционной поверхностной системе на материалах, содержащих натуральные и синтетические алмазы, обладающей высокой адгезионной способностью к связке в алмазных инструментах или изделиях, износостойкостью и химстойкостью

Изобретение относится к технологии полупроводников-сложного состава, в частности к получению гетерострук- , тур, оба компонента которых принадлежат к соединениям класса А В С

Изобретение относится к технологии получения соединений внедрения в графит (СВГ), в частности к получению квазимонокристаллов СВГ интеркалята: интергалоидов, хлоридов металла или галогенов акцепторного типа низких ступеней с высокой электропроводностью и различными периодами идентичности

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании на основе легированных щелочными металлами полупроводниковых соединений детекторов ядерных излучений, светоизлучающих структур, других полупроводниковых устройств и приборов
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению синтетических алмазов, легированных бором, которые могут найти применение в электронной промышленности для изготовления полупроводниковых устройств
Наверх