Материал для холодильника эттингсгаузена

 

О П И С А Н И Е >828269

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (б1) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 07.06.79 (21) 2776041/25-18 (51) i>.Кл.з H 01 l. 37 00

Н 01 1 35/16 с присоединением заявки— (23) Приоритет—

Государственный комитет по делам изобретений н открытнй (43) Опубликовано 07.05.81. Бюллетень № 17 (53) УДК 621.362 (088.8) (45) Дата опубликования описания 22.05,81

С. А. Алиев, М. И. Алиев, Д. Г. Араслы и 3. Ф. Агаев (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ХОЛОДИЛЬНИКА

ЭТТИ НГСГАУЗЕНА (Ун)2

z„.„, Изобретение относится к термомапнитным устройствам, используемым в области холодильной техники и предназначено для получения температур в интервале 200—

300 К.

Известны материалы для холодильника

Пельтье-Эттингсгаузена, работающий на основе гальванотермомагнитного эффекта (1).

Материал каскада обладает низкой термомагнитной добротностью.

Наиболее близким по достигаемому результату к предложенному материалу является материал, выполненный в виде монокристалла из Bi — Sb (2).

Термомагнитная добротность такого материала в магнитном поле Н = 10 кЗ в интервале температур T = 80 †3 К

2 - 10- — б 10 — 1/град.

В интервале температур 200 — 300 К термомагнитная добротность низкая и составляет 2 10 — б - 10 " 1/град, в связи с с чем в этом интервале температур применение этого материала в качестве элемента Эттингсгаузена неэффективно.

Целью изобретения является повышение эффективности преобразования за счет повышения термомагнитной доброт. нос пи.

Указанная цель достигается тем, что материал для холодильника Эттингсгаузена, работающего в области температур

200 — 300 К, имеет состав Ag +i Te, где

5 х= 1 — 2 10з.

На чертеже представлен график температурных зависимостей термомагнитной добротности Bi — Sb и предлагаемого материала при значении напряженности магнитного поля H = 10 кЗ.

Характеристикой вещества, определяющей пригодность его для холодильника Эттингсгаузена, является величина термомагнитной добротности Z !

5 где Л"Н вЂ” коэффициент Н вЂ” Э; х — теплопроводность; р — удельное сопротивление.

Добротность определяет максимальную разность температуры

25

Для многих полупроводников в интерЗ0 вале 200 †3 К термомагнитная доброт828269

Формула изобретения

7Е

Составитель В. Кирсанов

Техред И. Пенчко Корректор И. Осиновскаи

Редактор Л. Курасова наказ 574/514 Изд. № 357 Тираж 784 Подписное

ЧПО «Поиск» Государственного комитета СССР по лелам изобретений и открытий

113о35, Москва, Я(-35, Раушская нао., д. 4/5

Тип. Харьк, фил. пред. «Патент» ность значительно меньше термоэлектрической. Поэтому охлаждение с помощью эффекта Эттингогаузена производится лишь ниже 200 К. Результаты, полученные впервые нами, показали, что в Ag в, х Те, где Х = 1 — 2 10 —, термомагнитная добротность в интервале 200 — 300 К почти не зависит от температуры и при Н = 10 и Т =

= 250 К превышает добротность прототипа Bi — Sb в 4 раза. Для В197ЯЬз Z,„==

= 2 10 4 1/град; Ад 1х Те, Х = (1 — 2) X

Х10 Z, = 8 10 4 1/град Предлагаемое устройство может использоваться в твердотельной криогенике, особенно для создания м икроохлаждающих устройств приемников ИК-излучения.

Материал для холодильника Эттингсга-узена, работающего в области температур

200 — 300 К, отл и чаю щи и ся тем, что, с целью повышения эффективности за счет повышения термомагнитной добротности, он имеет состав Адз1 х Te, где Х = 1—

2. 10- .

Источники;информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США № 3547705, НКИ 136203, опублик. 1970.

15 2. Осипов Э. В. Твердотельная криогенотехника. Киев, «Наукова Думка», 1977, с. 138 — 169 (прототип).