Датчик для дискретного измеренияи индикации криогенных температур

 

О П И С А Н И < (ii)83Q149

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскмк

Соцкатткстическик

Ресиубттик (61) Дополнительное к авт. свид-ву № 342082 (22) Заявлено 09.07.79 (21) 2795253/18-10 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет—

Опубликовано 15.05.81. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 25.05.81 (51) М.К .

G 01 К 7/16

ГевудзРстнанвй кеантет

СССР (53) УДК 536.532 (088.8) вв мнам нзейретеннй и еткрытнй

С. А. Бобров, В. А. Павлюк, В. И. Заборовский, и А. М. Иойшер (72) Авторы изобретсиии

Физико-технический институт низких температур и Кишиневский научно-исследовательс электропр ибо ростроения (71) Заттвителй (54) ДАТЧИК ДЛЯ ДИСКРЕТНОГО ИЗМЕРЕНИЯ И ИНДИКАЦИИ

КРИОГЕННЫХ ТЕМПЕРАТУР

Изобретение относится к термометрии и может быть использовано в датчиках температуры при измерении криогенных температур.

По основному авт. св. № 342082 известен датчик для дискретного измерения и индикации криогенных температур, содержащий чувствительный элемент с выводами, который выполнен в виде набора териометров сопротивления из различных сверхпроводников первого рода. При измерении температуры сверхпроводники поочередно переходят либо в сверхпроводящее, либо в резистивное состояние, что регистрируется измерительной схемой (1).

Недостатком известного датчика является то, что измерение температуры производится только в дискретных точках, интервал между которыми определяется материалом набора сверхпроводников, в связи с чем снижается точность измерения температуры в промежуточных точках, так как ее опреде- ° ление проводится с использованием экстраполяции.

Цель изобретения — повышение точнос.ти измерения за счет возможности измерения температуры в любой точке температурного интервала, определяемого материалом набора сверхпроводников.

Поставленная цель достигается тем, что в датчик введены катушка индуктивности и дополнительный регулируемыЙ источник питания, подключенный к ней, причем чувствительный элемент размещен в катушке индуктивности.

На чертеже приведена блок-схема датчика для дискретного измерения и индикации криогенных температур.

Чувствительный элемент 1 подключен к измерительной схеме 2. Катушка 3 индуктивности, в зазоре которой размещен чувствительный элемент 1, соединена с дополнительным регулируемым источником 4 питания.

Датчик для дискретного измерения и индикации криогенных температур работает следующим образом.

При изменении внешней температуры один из сверхпроводников чувствительного элемента 1 переходит в резистивное состояние, что регистрируется измерительной схемой 2. По катушке 3 индуктивности пропус830149

Формула изобретения

Составитель В. Копаев .

Редактор Л. Копепкая Техред А. Бойкас Корректор С. Щомак

Заказ 3499/63 Тираж 907 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 кается постоянный ток различной величины от регулируемого дополнительного источника 4 питания. В зависимости от величины поля, создаваемого катушкой 3 индуктивности, другой из сверхпроводников также переходит в резистивное состояние. По величине тока, протекающего по катушке 3 индуктивности, можно судить о температуре не только в дискретных точках, но и в любой промежуточной точке изменения температуры. Принцип работы устройства основан на зависимости температуры перехода сверхпроводника от напряженности внешнего поля, которая описывается формулой

Нкр = 1.74 Нкр (О) (1 .„), где ̈́— напряженность поля, которое переводит сверхпроводник в резистивное состояние при температуре Т;

Н„р(0) — напряженность поля, которое переводит сверхпроводник в резистивное состояние при ОК;

҄Р— критическая температура перехода сверхпроводника при нулевом внешнем поле.

Предлагаемый датчик для дискретного измерения и индикации криогенных температур дает возможность измерять температуру не только в дискретных точках, интервал между которыми определяется материалом набора сверхпроводников, но и в любой промежуточной точке каждого температурного интервала, за счет чего повышается точность измерений.

Датчик для дискретного измерения и индикации криогенных температур по авт. св. № 342082, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, в него введены катушка индуктивности и дополнительный регулируемый источник питания, подключенный к ней, причем чувствительный элемент размещен в катушке индуктивности.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 342082, кл. G 01 К 7/16, 1970 (прототип).

Датчик для дискретного измеренияи индикации криогенных температур Датчик для дискретного измеренияи индикации криогенных температур 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам для измерения температуры с непосредственным преобразованием ее в частоту электрического сигнала

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения геофизических параметров в скважине, преобразуемых в изменение активного сопротивления резестивного датчика с использованием четырехпроводной линии связи

Изобретение относится к области приборостроения, а именно к устройствам измерения температуры - термометрам сопротивления

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано для измерения силы, давления, температуры, расхода жидкости или газа

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к полупроводниковым термопреобразователям сопротивления

Изобретение относится к области медицинской и биологической термометрии и предназначено для точного измерения, регистрации и передачи для обработки показателей температуры в течение длительного интервала времени

Изобретение относится к электронной технике и может использоваться для преобразования тока в частоту в устройствах с высокими требованиями к надежности и точности преобразования

Изобретение относится к контролю температуры различных сред с высокой точностью в технологических процессах

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при проведении горноспасательных работ в угольных и сланцевых шахтах, где возникают зоны высоких температур
Наверх