Генератор линейно-изменяющегосянапряжения

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистических

Республик (»I 832712 (61) gl,îïîëíèòåëüíîå к авт. с вид-ву = (51)М. Кл.

Н 03 К 4/08 (22) Заявлено 02.07.79 (21) 2787075/18 — 21 с присоединением заявки K

Гевударетееиимй кемитет

СССР (28) Приоритет—

Опубликовано 23 05 81 Бюллетень М 19

Дата опубликования описания 23.05.81 пв делам изебретеиий и открытий (53) УДК 621.374 (088.8) (72) Автор изобретения

В. И. Хомула

1(д" г ( (71) Заявитель (54) ГЕНЕРАТОР ЛИНЕЙНО ИЗМЕНЯЮЩЕГОСЯ НАПРЯЖЕНИЯ

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах авто матики и вычислительной техники, Известен генератор фантастронного типа, содержащий задающий генератор на составном транзисторе, дополнительный третий транзистор, конденсаторы и резисторы (1).

Недостатком устройства является его сущест-. венная нелинейность.

Наиболее близким к изобретению по техни10 ческой сущности является генератор линеино изменяющегося напряжения, содержащий первый транзистор, эмиттер которого подключен к общей шине устройства, база через первый резистор, а коллектор через последовательно соединенные второй и третий резисторы подключены к шине первого источника питания, второй транзистор, коллектор которого через четвертый резистор подключен к шине первого источника питания, а через последовательно соединенные первый конденсатор и пятый резистор — к базе первого транзистора, треfm транзистор, коллекторно-базовый переход которого подключен параллельно второму конденсатору, одна из обкладок которого подключена к общей шине устройства, эмиттер третьего транзистора через шестой резистор подключен к шине второго источника, питания, а коллектор соединен с змиттером второго транзистора, первый и второй диоды (2).

Недостаток известного устройства — невозможность получения больших значений амплитуды формируемого напряжения.

Цель изобретения — повышение а(иплитудьт выходного напряжения.

Поставленная цель достигается тем, что генератор линейно изменяющегося напряжения, содержащий первый транзистор, эмиттер которого подключен к общей шине устройства, база через первый резистор, а коллектор через последовательно соединенные второй и третий резисторы подключены к шине первого источника питания, второй транзистор, коллектор которого через четвертый резистор подключен к шине первого источника питания, а через последовательно соединенные первый конденсатор и пятый резистор — к базе первого транзистора, третий транзистор, 832712 енератор лийейно изменяющегося напряжения, содержащий первый транзистор, эмиттер которого подключен общей шине устройства, база через первый резистор, а коллектор через последовательно соециненные второй и третий резисторЫ подключены к шине первого источника питания, второй транзистор, коллектор которого через четвертый резистор подключен к шине первого источника питания, а через последовательно соединенные первый конденсатор и пятый резистор -- к базе первого транзистора, третий транзистор, коллекторно-базовый переход которого подключен параллельно второму конденсатору, одна иэ обкладок которого подключена к обшей шине устройства, эмиттер третьего транзистора через шестой резистор подключен к шине второго источни-. ка питания, а коллектор соединен с эмиттером второго транзистора, первый и второй диоды, о т л и ч а ю щ.и и с я .тем, что, с.целью

З5 . повышения амплитуды выходного напряжения, в него введен ограничительный элемент, подключенный параллельно переходу база-.эмиттер второго транзистора, база которого через нервый. диод нодключена к точке соединения вто40 рого и третьего резисторов, а второй диод подключен параллельно переходу база-эмнттер первого транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе . 4 .1. Авторское свидетельство СССР М 441650, кл. Н 03 К 4/58, 09.10.75.

2. Справочник по импульсной технике.—

Под ред. В. Н. Яковлева, Киев, "Техника", 1973, с. 435, рис. 13.6.

3 коллекторно-базовый переход которого подключен параллельно второму конденсатору, одна иэ обкладок которого подключена к общей шине устройства, эмиттер третьего транзистора через шестой резистор подклю. чен к шине второго источника питания, а .коллектор соединен с эмиттером второго, транзистора, первый и второй диоды, введен ограничительный элемент, подключенный парал- лельно переходу база-эмиттер второго транзистора, база которого через первый диод, .подключена к точке соединения, второго и третьего транзисторов, а второй диод подклю-. чен параллельно переходу база-змиттер пер.вого транзистора.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства, Устройство содержит транзистор.1, первьщ

2, второй 3 и третий 4 резисторы, второй транзистор 5, четвертый резистор б, первый конденсатор 7, пятый резистор 8, третий транзистор 9, второй конденсатор 10, шестой резистор 11, ограничительный элемент 12 и диоды 13 и}4, Устройство работает следующим образом.

При подаче питающего напряжения происходит заряд второго конденсатора 10 (обрат.. ный ход пилообразного напряжения) через резистор 6 и транзистор 5. Транзистор 5 находится в насыщенном состоянии, а транзистор

1 — в закрытом. При заряде конденсатора 10 до напряжения, по величине близкого напряжению питания, происходит лавинообразное запирание транзистора 5 и отпирание транзистора 1 и начинается разряд. второго конденсатора 10 через токостабилизируяаций транзистор 9. Когда, напряжение на переходе эмиттер база транзистора 5 становится приблизительно равным нулю, последний приоткрывается, что приводит к уменьшению тока транзисто.ра 1. Происходит лавинообразное запирание транзистора 1 н насыщение транзистора 5. Таким образом, процесс формирования линейно изменяющегося напряжения на конденсаторе.

10 повторяется.

Обратное напряжение на переходе змиттер база транзистора 5 имеет значительно меньшую величину, чем в известном, что позволяет по.. высить амплитуду выходного напряжения.

Для защиты от пробоя применены диод 13 и ограничительный элемент 12. Величина сопротивления диода, находящегося под обратным напряжением, имеет большую величину. В то же время диод не препятствует прохождению базового тока открытого транзистора 5. Таким образом, обратное напряжение на переходе эмиттер база транзистора 1 равно прямому . падению напряжения на диоде 14, а на пере1о ходе эмиттер-база транзистора 5 равно падению напряжения на ограничительном элементе

12.

Формула изобретения

832712

Составитель А. Горбачев

Техред .3. Фанта

Корректор С. Шекмар

Редактор Г. Кацалаи

Тираж 988

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раущская наб., д. 4/5

Заказ 3476/52

Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4