Устройство для контроля гибридныхинтегральных микросхем при ихизготовлении

 

О П И С А Н И Е (834808

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (5l )IVL. Кл.

Н Ol 1 21/70 (22)Заявлено 04.06.79 (21) 2777961/18-21 с присоединением заявки ¹ (23 ) Приоритет

Опубликовано 30 ° 05 ° 81 ° Бктллетень ¹ 20

Гооударстеенный комитет по делам изобретений и открытий (53) УДК621.316. .8(088.8) Дата опубликования описания 10.06. 8 1

4чиц

Ленинградский институт авиационного прибор (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ГИБРИДНЫХ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПРИ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИИ

Изобретение относится к радиотех.,нике, конкретно к устройствам для изготовления электрической аппаратуры, и может применяться для изготовления радиоэлектронных гибридных интеграль5 ных микроузлов.

Известно. устройство для функциональной подготовки элементов микроузлов, содержащее механизм загрузки, координатный стол, исполнительный механизм, бункер готовых изделий, блок управления, схему сравнения, блок измерения, источник пробных сигналов, усттлитель и эталонный микроузел 1.1.1.

Однако известное устройство не обеспечивает высокой производительности и качества изготовления сложных схем.

Цель изобретения — повышение производительности и качества изгото- щ вления микросхем.

Поставленная цель достигается тем что устройство для контроля гибридных интегральных микросхем, содержащее механизм загрузки, координатный стол, исполнительный механизм, бункер готовых изделий, блок управления, схему сравнения, блок измерения, .источник пробных сигналов, соединенный с электрическим входом координатного стола, электрический выход которого соединен со входом блока измерения, а выход блока управления — со входом исполнительного механизма, снабжено механизмом временного соединения, установленным между механизмом загрузки и координатным столом и механически соединенным с ними, блоком сортировки, первый вход которого механически соединен с координатным столом, а второй вход механически соединен с выходом исполнительного механизма, блоком определения фазы и блоком определения амплитуды, входы которых соединены соответственно с первым.и вторым выходами блока измерения,а .выход блока определения амплитуды соединен с первым входом

83480

40 схемы сравнения, второй вход которой соединен с выходом источника пробных сигналов, и ключевой схемой, два входа которой соединены соответ.ственно с выходом блока определения фазы и выходом схемы сравнения, а выход — со входом блока управления.

На чертеже изображена блок-схема устройства. !

Устройство содержит установленные последовательно и соединенные Механически механизм 1 загрузки, предназначенный для ориентации и подачи навесных элементов и подложек, механизм 2 временного соединения, предназначенный для временного сое1 динения навесньцс элементов с эталонной подложкой и подложек с эталонным навесным элементом, координатный стол

3, на котором происходит временное присоединение подложек и навесных элементов, блок 4 сортировки, предназначенный для сортировки всех под.ложек и навесных элементов на группы

25 по величине вносимого ими фазового сдвига, механизм 5 сборки, предназначенный для механической сборки функциональных микроузлов, бункер 6 готовых изделий, а также! блок 7 измерения, соединенный с электрическим выходом координатного стола 3 и предназначенный для измерения выходного сигнала с контролируемого микроузла и разложения его на квадратную и синфазную составляющие, блок 8 определения амплитуды, соединенный с первым входом блока 7 измерения, предназначенньй для определения значения амплитуды выходного сигнала на разных частотах, блок 9 определения фазы, соединенный со вторым выходом блока 7 измерения и предназначенный для определения фазового сдвига выходного сигнала на разных частотах, схе- „ му 10 сравнения, предназначенную для сравнения поступающих на.ее входы сигналов, первый вход которой соединен с выходом блока 8 определения амплитуды второй — с электрическим

У

50 входом координатного стола 3 и выходом источника 11 пробных сигналов, предназначенного для подачи на вход контролируемого микроузла стийулирующих сигналов Различной частоты, клю- 55 чевую схему 12, два входа которой соединены свыходами соответственно схемы 10 гравненчя и блока 9 определения фазы и работающей как ключ, блок

8 ф

13 управления, вход которого сое динен с выходом ключевой схемы 12, а выход через исполнительный механизм 14 — с блоком 4 сортировки.

Блок 13 управления служит для управления исполнительным механизмом 14 в зависимости от величины сигнала, пропорционального фазовому сдвигу, поступающему на его вход. В свою очередь, исполнительный механизм

14 устанавливает в блоке 4 сортировки требуемую группу сортировки.

Устройство работает следующим образом.

На координатном столе 3 устанавливается эталонная подложка, все значения напыленных элементов которой доведены до расчетных. Из механизма 1 загрузки механизм временного соединения 2 устанавливает поочередно все навесные элементы на эталонную подложку. При этом каждый раз с источника 11 пробных сигналов на вход образовываемого функционального микроузла поступают стимулирующие сигналы..С выхода микроузла сигналы поступают в блок 7 измерения, а затем — в блоки 8 и 9 определения амплитуды и фазы выходного сигнала. С выхода блока 8 определения амплитуды выходного сигнала сигнал поступает на схему 10 сравнения, сюда же приходит сигнал с выхода источника пробных сигналов. Таким образом, в схеме 10 сравнения сравниваются амплитуды входного и выход.ного сигналов во всем диапазоне рабочих частот. При равенстве амплитуд со схемы 10 сравнения поступает сигнал на ключевую схему !2, которая открывается и сигнал с блока 9 определения фазы выходного сигнала поступает на блок 13 управления. В зависимости от величины фазового .сдвига блок 13 управления выдает сигнал на тот или иной электромагнит, установленный в исполнительном механизме .

14, который устанавливает соответствующую группу сортировки в блоке

4 сортировки. Теперь навесные элементы с координатного стола 3 будут попадать, в зависимости от вносимого ими фазового сдвига, в соответствующую группу сортировки. После того, как все навесные элементы будут проконтролированы и рассортированы, на координатный стол 3 устанавливается эталонный навесной элемент. Из меха834808 ниэма 1 загрузки механизм временного соединения 2 поочередно устанавливает все подложки к эталонному навесному элементу, При этом также пройсходит контроль фазовых сдвигов, вносимых каждой подложкой, и сортировка по величине фазового сдвига.

Механизм 5 сборки окончательно присоединяет соответствующие подложки и навесные элементы друг с другом, обеспечивая требуемый суммарный фазовый сдвиг изготавливаемого микроузла. Из механизма 5 сборки готовые микроузлы поступают в бункер 6 готовых изделий.!

Формула изобретения

Устройство для контроля гибрид- 2О ных интегральных микросхем при их изготовлении, содержащее механизм загрузки, координатный стол, исполнительный механизм, бункер готовых изделий, блок управления, схему срав- нения, блок измерения, источник пробных сигналов, соединенный с электрическим входом координатного стола, электрический выход которого соединен со входом блока измерения, а вы- ЗО ход блока управления — со входом исполнительного механизма, о т л и ч аю щ е е.с я тем, что,с целью повышения производительности и качества изготовления интегральных микросхем, оно снабжено механизмом временного соединения, установленным между механизмом загрузки и координатным столом и механически соединенным с ними, блоком сортировки, первый вход которого механически соединен с координатным столом, а второй вход механически соединен с выходом исполнительного механизма, блоком определения фазы и блоком определения амплитуды, входы которых соединены соответственно с первым и вторым выходами блока измерения, а выход блока определения амплитуды соединен с первым входом схемы сравнения, второй вход .которой соединен с выходом источника пробных сигналов, и ключевой схемой, два входа которой соединены соответственно с выходом блока определения фазы и выходом схемы сравнения, а выход — co входом блока управления.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Ф 3453.781, кл. Н 01 С 17/00, 1966.

834808

Составитель В-.Титов едактор М.Лысогорова Техред Ж.Кастелевич Корректор С.Шекмар

Заказ 4114 81 . Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, X(-35, Раушская,наб., д . 4/5

Филиал ППП Патент, r, Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для контроля гибридныхинтегральных микросхем при ихизготовлении Устройство для контроля гибридныхинтегральных микросхем при ихизготовлении Устройство для контроля гибридныхинтегральных микросхем при ихизготовлении Устройство для контроля гибридныхинтегральных микросхем при ихизготовлении 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх