Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления

 

1. Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления, включающий выращивание маскирующего слоя двуокиси кремния на пластине кремния, его травление, формирование тензорезисторов и присоединение выводов, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления и улучшения качества полупроводниковых датчиков, после формирования тензорезисторов на обратной стороне пластины кремния располагают кристаллодержатели, на поверхность которых наносят слой стекловидного диэлектрика, коэффициент линейного термического расширения которого согласован с коэффициентом линейного термического расширения кристаллодержателя, спаивают их вместе при температуре не более 1000^oC, формируют металлизацию на тензорезисторы и разделяют пластину кремния совместно с кристаллодержателями на отдельные модули с полупроводниковыми датчиками.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой стекловидного диэлектрика толщиной 6 - 9 мкм на кристаллодержателях получают методом центрифугирования из суспензии стекловидного диэлектрика системы SiO₂ - B₂O₅ - Al₂O₃ - RO или PbO - B₂O₃ - ZnO при времени осаждения 5 - 7 мин и воздействии линейных перегрузок (1,5 - 2,0) · 10³g, оплавлением полученного слоя при температуре 900 - 950^oС в течение 8 - 10 мин для системы SiO₂ - B₂O₃ - Al₂O₃ - RO, при температуре 600 - 630^oC для системы PbO - B₂O₃ - ZnO в течение 8 - 10 мин с последующим охлаждением для каждой системы со скоростью 3 - 5^oC/мин.