Постоянное запоминающее устройство

Авторы патента:

G11C17G11C11/40 -

 

Союз Советскик оцивлистическик Я дф

С

Реслублик

АНИЕ iii842964

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к-авт. свид-ву— (22) Заявлено 08.10.79 (21) 2827469/18 — 24 (51) М. Кл.

G 11 С 17/00

G 11 С 11/40 с присоединением заявки №вЂ”

Гееударстеенный кемнтет (23) Приоритет—

СССР. (53) УДК 681.327..66 (088.8) Опубликовано 30.06.81. Бюллетень №24 по делам нзееретеннй н еткрытий

Дата опубликования описания 05.07.81

О. С. Вартанов (72) Автор изобретения

Г

h (71) Заявитель (54) ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к вычислительной технике и может найти применение в интегральных микросхемах постоянных запоминающих устройств (ПЗУ), микропроцессоров, микрокалькуляторов. .Известно ПЗУ, содержащее матричный накопитель, запоминающие элементы которого связаны с шинами строк и столбцов, дешифраторы шин строк и столбцов, выходы которых соединены с соответствующими шинами, адресные и выходные шины (1).

Недостатком указанного ПЗУ является сравнительно низкое быстродействие, .обусловленное малой выходной мощностью дешифраторов.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является устройство, обеспечивающее высокое быстродействие и содержащее матричный накопитель, блоки выборки строк и столбцов накопителя, под-. ключенные соответственно к каждой строке и столбцу, дешифраторы, подключенные к каждому из блоков выборки (2).

Однако в известном устройстве большое количество МДП-элементов на кристалле и большая площадь кристалла, а следовательно, высокая стоимость и невысокая надежность.

Цель изобретения — упрощение устройства, ведущее к снижению стоимости микросхемы и повышению надежности за счет уменьшения количества элементов на кристалле.

Поставлейная цель достигается тем, что в полупроводниковое ПЗУ, содержащее матричный накопитель, шины строк и столбцов которого подключены к выходам блоков вы1е борки, а первые входы блоков выборки шин столбцов и нечетных шин строк соединены с выходами соответствующих дешифраторов, адресные шины и шины тактовых сигналов, введены ключевые элементы, выполненные на МДП-транзисторах, и селектор тактовых

15 сигналов, причем сток каждого МДП-транзистора соединен с нечетной шиной строки, а исток соединен с первым входом блока выборки четной шины строки, первая шина тактовых сигналов соединена с первым входом селектора и входами дешифраторов, вторая шина тактовых сигналов соединена с затворами МДП-транзисторов ключевых элементов, со вторым входом селектора и со вторыми входами блоков выборки нечетных

842964 шин строк, третья шина тактовых сигналов соединена с третьим входом селектора и со вторыми входами блоков выборки четных шин строк, четвертый вход селектора соединен с адресной шиной, а выход селектора соединен со вторыми входами блоков выборки шин столбцов.

На фиг. 1 представлена структурная схема ПЗУ; на фиг. 2 — временная диаграмма тактовых сигналов.

ПЗУ содержит матричный накопитель 1, блоки 2 выборки нечетных шин строк, блоки

3 выборки четных шин строк, ключевые элементы 4, выполненные на МДП-транзисторах, дешифратор 5 шин строк, выходные шины 6, блоки 7 выборки шин столбцов, дешифраторы 8 шин столбцов, селектор 9 тактовых сигналов, шины 10 — 12 тактовых сигналов, адресную шину 13.

Выходы блоков 2, 3 и 7 выборки подключены соответственно к шинам строк и столбцов, выходы дешифраторов 8 подключены к первым входам блоков 7 выборки, выходы дешифраторов 5 подключены к первым входам блоков 2 выборки, стоки МДПтранзисторов 4 подключены к нечетным шинам строк, истоки подключены к первым входам блоков 3 выборки.

Первая шина 10 тактовых сигналов подключена к первому входу селектора 9 и ко входам дешифраторов 5 и 8. Вторая шина

11 тактовых сигналов соединена со вторым входом селектора 9, со вторыми входами блоков 2 выборки и с затворами МДП-транзисторов 4. Третья шина 12 тактовых сигналов соединена с третьим входом селектора 9 и со вторыми входами блоков 3 выборки.

Адресная шина 13 младшего разряда кода адреса соединена с четвертым входом селектора 9. Выход селектора 9 соединен со вторыми входами блоков 7 выборки.

Устройство работает следующим образом.

В момент действия такта Я (шина тактового сигнала 10) на дешифраторы шин строк

5 и дешифраторы шин столбцов 8 цодаются адресные сигналы. В зависимоси от кода адреса один из блоков 2 выборки шин строк и один из блоков 7 выборки шин столбцов подготовлены к возбуждению. Одновременно происходит подготовка к возбуждению селектора 9, который выполняет также функ.цию усилителя мощности тактовых сигналов.

В момент действия такта (шина тактового сигнала 11) происходит заряд емкости выбранной нечетной шины строки блоком

2 выборки и подготовка к работе (перезаряд через транзистор 4) блока 3 выборки.

В результате заряда емкости выбранной шины строки все транзисторы элемента памяти матричного накопителя 1, затворы которых подключены к этой шине, готовы к пропусканию тока. В селектор 9 подается младший разряд кода адреса по адресной шине 13 и в зависимости от логического состояния этого сигнала на выходе селектора появляется тактовый сигнал фе или з, усиленный по мо щи ости.

Если в момент такта д на выходе селектора 9 появляется тактовый сигнал, то блок 7 выборки заряжает емкость выбранной шины столбца и при наличии транзистора в пересечении выбранной нечетной шины строки и выбранной шины столбца сигнал от блока 7 выборки проходит на шину 6.

Если на выходе селектора 9 сигнал появ10 ляется в момент действия такта ф (шина тактового сигнала 12), то заряд емкости шины столбца происходит в такте з и одновременно происходит заряд емкости выбранной четной шины строки от блока 3 выборки.

При наличии транзистора в пересечении выбранной четной шины строки и выбранной шины столбца сигнал от блока 7 выборки проходит на выходную шину 6.

Емкости выбранных нечетной и четной шин строк разряжаются блоками. 2 и 3 вы2О борки по окончании тактовых сигналов fqи

Р соответственно. Емкость выбранной шины столбца разряжается блоком 7 выборки по окончании тактового сигнала е или

Формула изобретения

Постоянное запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, шины строк и столбцов которого подключены к зо выходам блоков выборки, а первые входы блоков выборки шин столбцов и нечетных шин строк соединены с выходами соответствующих дешифраторов, адресные шины и шины тактовых сигналов, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства и повы35 шения его надежности, оно содержит ключевые элементы, выполненные на МДП-транзисторах, и селектор тактовых сигналов, причем сток каждого МДП-транзистора соединен с нечетной шиной строки, а исток сое40 динен с первым входом блока выборки четной шины строки, первая шина тактовых сигналов соединена с первым входом селектора и входами дешифраторов, вторая шина тактовых сигналов соединен с затворами МДПтранзисторов ключевых элементов, со вто45 рым входом селектора и со вторыми входами блоков выборки нечетных шин строк, третья шина тактовых сигналов соединена с третьим входом селектора и со вторыми входами блоков выборки четных шин строк, четвертый вход селектора соединен с адресной шиной, а выход селектора соединен со вторыми входами блоков выборки шин стол бт(ов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Микросхема К505РЕ4А, Б.бК0,348.

311ТУ.

2. Микросхема К635РЕ1,бК0,348.207ТУ (прототип).

842964

Составитель С. Торженков

Редактор В. Матюхина Техред А. Бойкас Корректор С. Щомак

Заказ 5119/68 Тирa)к 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская на 6., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Постоянное запоминающее устройство Постоянное запоминающее устройство Постоянное запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:
Наверх