Фильтр верхних частот

 

ОГ ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 843168

Союз Советскик

Социалистическик республик (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.09. 78(21) 2666576/18-09 с присоединением заявки J% (23) П риоритет

3 (51)М. Кл.

Н 03 Н 11/04

1ЪеудеретееевН кемнтет

СССР вв девам взееретввиИ и втерытиН

Опубликовано 30. 06. 81. Бюллетень М 24 (53) УДК621.372. . 542. 3 (088. 8) Дата опубликования описания 01. 07. 81

В. И. Богданов, А. Г. Остапенко, А. B. Голиков и А. 3. Завадовский (72) Авторы изобретения (71) Заявители (54) Фильтр ВЕРхННх чАстОт

Изобретение .относится к радиотехнике и может использоваться в избирательных цепях различных радиотехнических устройств.

Известен фильтр верхних частот, содержащий два соединенных последовательно по питанию транзистора одного типа проводимости, причем первый транзистор включен по схеме с общим эмиттером, его база соединена через пер1О вый резистор с источником питания и является входом фильтра, коллектор второго транзистора соединен- с источником питания непосредственно, а баsa — через второй резистор, а также, третий резистор Ã13..

Однако известный фильтр верхних частот обладает. недостаточно большим диапазоном рабочих частот.

Цель изобретения — расширение диа-

И пазона рабочих частот в сторону верхних частот..

Указанная цель достигается тем, что в фильтре верхних частот, содержащем два соединенных последовательно по питанию транзистора одного типа проводимости, причем первый транзистор включен по схеме с общим эмиттером, его база соединена через первый резис-. тор с источником питания и является входом фильтра,.коллектор второго транзистора соединен с источником питания непосредственно, а база — через второй резистор, а также третий резистор, коллектор первого транзистора соединен с эмиттером второго транзис-. тора непосредственно, третий резистор включен между базой второго транзистора и общей шиной, а выходом фильтра является база второго транзистора.

На чертеже представлена принципиальная.электрическая схема предлагаемого фильтра.

Фильтр верхних. частот содержит транзисторы 1 и 2, первый резистор 3, вклю ченный между входом фильтра 4 и источником 5 питания, второй резистор 6, третий резистор 7, включенный между

3 8431Ь базой второго транзистора 2; выходом фильтра 8 и общей шиной 9.

Фильтр верхних частот работает следующим образом.

Входной сигнал поступает на тран5 зистор 1, включенный по схеме с общим эмиттером. Транзистор 1 обеспечивает .усиление приходящего сигнала. Далее сигнал поступает на эмиттер транзистора 2, который включен по схеме с 10 общим коллектором обратным. Включение транзистора по схеме с общим коллектором обратным представляет собой включение транзистора по схеме с общим коллектором, вход и выход которого по- 15

I вменяли местами, т.е. входной сигнал подается на эмиттер транзистора, а выходной сигнал снимается с базы.

Коэффициент передачи по напряжению для предлагаемого фильтра верхних 20 частот в функции элементов эквивалентной схемы Джиаколетто можно записать

К -K0(1 jax)/(1-хx n )хд), где "о 9 % н Г92Рн (29 9

- g 9 Д вЂ” коэффициент усиления 25 по напряжению на средних частотах, .д 2 ( а i 29 R j2 pa+ b) - b)

92 t 8 дед 22 9 292 коэффициент нагрузки. а+2 +2 à bR 30 д„+й„(29„„9 - д,g )

X=00+ — относительная частота; (ю — круговая частота;

g g < g - низкочастотные пара «д. .(22 метры схемы с ОЭ; 35 с,Ь, à — высокочастотные параметры схемы с ОЭ.

Для низких частот коэффициент передачи по напряжению предлагаемого фильтра равен 1. Затем, начиная с частоты 40

1 х вЂ, начинается подъем амплитудно1 а частотной характеристики. Частота среза фильтра определяется по Формуле

1 х у . Коэффициент усиления по нас пряжению в области высоких частот К

Kä а определяется как К = - — . Частота

1 ф среза близка к 1. При х = 1 абсолют-50 ная частота среза т = 1/2.7, где Г - постоянная времени транзистора.

8 ф

)У современных высокочастотных транзисторов параметр Г составляет единицы нс. Для высокочастотных составляющих входного сигнала коэффициент усиления транзистора 2 будет большим за счет прохождения сигнала через емкость эмиттерного перехода. Так реализуется характеристика фильтра верхних частот.

Для повышения крутизны среза частотной характеристики используется соединение нескольких звеньев ФВЧ, количество которых определяется заданной крутизной среза.

Таким образом, предлагаемый фильтр по сравнению с известным обеспечивает расширение диапазона рабочих частот в сторону верхних частот, а также допускает выполнение его в виде полупроводниковой интегральной микросхем мы, так как он не содержит конденсаторов.

Формула изобретения

Фильтр верхних частот, содержащий два соединенных последовательно по пи аланию транзистора одного типа проводи1мости, причем первый транзистор включен по схеме с общим эмиттером, его база соединена через первый резистор с источником питания и является входом фильтра, коллектор второго транзистора соединен. с источником IIHT8» ния непосредственно, а база — через второй резистор, а также третий резистор, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот в сторону верхних частот, коллектор первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора непосредственно, третий резистор включен между базой второго транзистора и общей шиной, а выходом фильтра является база второго транзистора.

Источники информации,, принятые во внимание при экспертизе

1, Ложников А.П. и Сонин Е.К. Каскадные схемы на транзисторах. M., "Энергия", 1969, с. 48, рис. 25а (прототип) .

843168

Составитель В. Цветков

Редактор И. Пасогорова Техред М.Кошту аКорректорГ. Назарова

Заказ 5160/79 Тираж 988 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иасква, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул.Проектная,