Способ осаждения ферромагнитногопокрытия носителя записи

 

Союз Советскик

Социалистичесмик

Республик

ОПИСАпИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ ii846596

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ (63) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27. 09. 76 (21) 2408906/18-21 (53) N с присоединением заявки М

С 23 С 13/02

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 15.0781, Бюллетень И9 26

Дата опубликования описания 15. 07. 81 (53) УДК 539.216.2 (088.8) (72) Авторы изобретения

И.И. Виноградов, В.Г. Докукин, А.M.

В.Н. Тальвойш и M.P. Тюрико (71) Заявитель (54 ) СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНОГО

ПОКРЫТИЯ НОСИТЕЛЯ ЗАПИСИ

Изобретение относится к технике осаждения металлических покрытий в вакууме, а конкретно к технологии осаждения ферромагнитных

5 покрытий носителей .записи.

Известен способ осаждения магнитных покрытий на основу путем одновременного испарения и осаждения в вакууме по направлению, совпадающему с нормально к основе, ферромагнитного и немагнитного материалов (1 ).

Данный способ не позволяет получить носители записи с высокой разрешающей способностью ввиду низкой коэрцитивной силы ферромагнитного покрытия (не более 10 Э), обусловленной нормальным осаждением ферромагнитного материала.

Наиболее близким по технической 2О сущности к изобретению является способ осаждения ферромагнитного покрытия носителя записи путем вакуумного термического нанесения нескольких слоев на основу под углами 25 относительно нормали,к поверхности основы, превышающими 60

0 причем угол между проекциями направлений потока осаждаемого материала на основу для смежных слоев 180 60(2» 3() Полученное по этому способу ферромагнитное покрытие обладает при достаточной величине коэрцитивной силы (несколько сотен эрстед) низким значением коэффициента выпуклости (0,50,6) петли гистерезиса, что снижает его разрешающую спосОбность. Этот недостаток проявляется особенно сильно при суммарной толщине магнитного слоя, превышающей 500 А, т.е. при толщинах, наиболее приемлемых для магнитной записи.

Цель изобретения — повышение разрешающей способности носителя записи.

Цель достигается тем, что наносят слой одинаковой толщины, а толщина каждого слоя не превышает 50 А.

На фиг. 1 приведена проекция схемы устройства, служащего для осаждения ферромагнитного покрытия на дисковый носитель записи, на фиг,2— то же, вид A на фиг. 1, Устройство содержит диск 1 с приводом 2 вращения, испаритель 3 ферромагнитного материала, экран 4 с окнами 5 и 6, расположенный между вращающимся диском 1 и испарителем 3.

Стрелками 7 обозначены направления осаждения потока пара на диск.

846596

H Заказ, 5382/37

1048 Подписное

Способ осуществляется следующим образом.

Диск 1 с приводом 2 вращения устанавливают относительно испарителя 3 так, чтобы. угол между нормалью к диску и направлениями осаждения пара в зонах осаждения, ограниченных окнами 5 и 6 экрана 4, составлял 65, а угол между проекциями направлений на диск для каждого участка диска при его переходе к следующей зоне осаждения находился в пределах 180 60 .

При равномерном вращении диска йрб» исходит последовательное для каждого . его участка осаждение слоев ферромагнитного материала в зонах, ограниченных окнами 5 и 6. Симметричное расположение окон 6тносительно испарите- . ля обеспечивает одинаковость скоростей и времен осаждения каждого слоя.

Время осаждения выбирают, исходя из скорости осаждения, соответствую- 20 щим нанесению слоя толщиной не более

50 А путем изменения скорости вращения диска. При превышении у отдельных слоев указанной толщины в 50 А, а также при Нарушении равенства толщин этих слоев происходит снижение коэффициеНта выпуклости петли гистерезиса полученного ферромагнитного покрытия с пЬявлением характерных изломов на ее боковых ветвях. Эти изломы свидетельствуют о том,что данное покрытие становится в магнитом отношении неоднородным. При скорости вращения диска 3000 об/мин и скорости осаждения кобальт-никелевого сплава (70Ъ Со) 50 A/c время осаждения одного слоя 2 мс, что соответствует толщине слоя 0,1 R. Интервал между осаждениями 4 мс и 12 мс,что соответствует времени прохождения участком диска зон, затененных ниж- 40 ней и верхней частями экрана 4.Покрытие осаждается в течение 3 мин

Яиц до получения суммарной толщины

1800 X. Полученное магнитное покрытие обладает магнитной анизотропией с направлением легкого намагничивания, перпендикулярным радиусу диска в каждой его точке, и имеет коэрцитивную силу 500 Э, коэффициент выпуклости 1„ коэффициент прямоугольности и 1. Указанные параметры получены для широкого диапазона суммар-, ных толщин магнитного покрытия (200-20000 А) и практически не изменяются при изменении последних.

Использование предлагаемого изобретения позволяет получить высокоэрцитивные магнитные носители записи с высокой разрешающей способностью, что, способствует расширению оперативных возможностей -вычислительных устройств и снижению стоимости хранения единицы информации.

Формула изобретения

Способ осаждения ферромагнитного покрытия носителя записи путем вакуумного термического нанесения нескольких слоев на основу под углами к нормали, превышающими 60 ; причем угол между проекциями направлений потока осаждаемого материала на основу для смежных слоев 180.4-60 отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способ-! ности, наносят слой одинаковой толщины, а толщина каждого слоя не превышает 50 А

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент ФРГ 9 1621263, кл. С 23 С 13/02, опублик. 1971.

2. Патент Англии Р 1104709, кл. С 23 С 13/02, опублик. 1965 (прототип).

f ал ППП "Патент", город, ул. Проектная,4

Способ осаждения ферромагнитногопокрытия носителя записи Способ осаждения ферромагнитногопокрытия носителя записи 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения тонких пленок металлов и их окислов вакуумно-термическим испарением и может быть использовано в микроэлектронике, в частности при производстве маскированных фотошаблонных заготовок и тонкопленочных элементов интегральных схем.Цель изобретения - снижение плотности дефектов в конденсируемой пленке за счет уменьшения концентрации реактивных газов в зоне конденсации.Поставленная цель достигается тем, что в способе получения тонких пленок, включающем испа^рение и конденсацию паров испаряемого материала на подложку в вакууме, испарение проводят в дискретноступенчатом режиме нагревания источника при равномерном повышении его температуры от комнатной до 1100-1500°С с последующим охлаждением до комнатной температуры, причем нагревание в каждой ступени осущ1еств/тяют в течение 30-60 с,.аинтервал между ступенями нагревания выдерживают в течение 60-300 с.Испарение в дискретно-ступенчатом режиме нагревания источника имеет следующие преимущества по сравнению с известным способом.При периодическом нагревании и охлаждении источника скорость испарения мало изменяется во времени, в то время как при постоянном нагревании источника скорость испарения уменьшается к концу процесса напыления почти вдвое

Изобретение относится к пиротехническому материалу и способу его изготовления, и, в частности, к пиротехническим цепям, пригодным для использования в системах задержки с одинарными или множественными цепями для передачи зажигания и детонации

Изобретение относится к антимикробным покрытиям и порошкам, а также способу их нанесения на медицинские устройства

Изобретение относится к металлургии, в частности к составам, используемым для нанесения покрытий на изделия из металлов и сплавов, например жаропрочных сплавов, наносимых на лопатки турбин газотурбинных двигателей или стационарных газовых турбин
Изобретение относится к области получения интерметаллических соединений, например сверхпроводящих, используемых в электротехнической, радиотехнической, медицинской и других отраслях промышленности
Наверх