Устройство для двусторонней обработкиполупроводниковых пластин

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

<п1851556 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву(22) Заявлено 1((1079 (21) 2828994/18-21

® М. Кл.з с присоединением заявки М9—

Н 01 L 21/461

В 24 В 37/04

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (23) Приоритет—

Опубликовано 300781,.Бюллетень М9 28 (53) У4К 621.382 (088.8) Дата опубликования описания 3007.81

Ю.И. Скворцов, A.И. Тузовский, Д.A. Устыменко н И.Н. Щербина (72) Авторы изобретения

Ордена Трудового Красного Знамени завод чистых металлов им. 50-летия СССР.(71) Заявитель

{54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДВУСТОРОННЕЙ ОБРАБОТКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Изобретение относится к механической обработке полупроводниковых материалов, в частности к двусторонней шпифовке и полировке полупроводни" с ковых Пластин свободным абразивом.

Известно устройство для двусто« ронней обработки полупроводниковых пластин, содержащее базовые плиты и расположенный между ними носитель обрабатываемых пластин (сепаратор) в виде бесконечной ленты. Оно состоит из двух параллельно расположенных плит в виде дисков, обтянутых замшей, выполняющей функцию носителя свободного абразива, сепараторов с гнездами для установки обрабатываеьых пластин, расположенных между йлита-. ми. При этом сепараторам придается вращение вокруг собственной оси и вокруг оси дисков, Свободный абразив подается через отверстие в верхнем диске на нижний диск, а затем распределяется- с помощью сепараторов ho поверхности замши(1).

Недостатком этого устройства as-ляется низкая производительность, обусловленная малой загрузкой и прерывностью процесса.

Известно устройство, содержащее сепаратор, выполненный в видв бесконечной ленты, вз аимодействуницей с вращающимися дисками (2).

Данное устройство принципиально не позволяет обарабатывать более одного ряда пластин нз-за неодинаковых условий обработки в центре и на периферии и, кроме того, качество обработки остается невысоким, так как абразив подается принудительно, под давлением, что приводит к неравномерному ere попаданию в зо— ну обработки.

Наиболее близким к предлагаемому является устройство для двусторонней обработки полупроводниковых пластин,содержащее параллельно установленные базовые плиты, расположенные между ними во взаимно перпендику" лярных направлениях ленты, носители свободного абразива и носитель обрабатываемас пластин, причем оба носителя выполнены в виде бесконечных лент. Это устройство обладает более высокой производительностью благодаря тому, что число рядов пластин, одновременно находящихся в обработке, не ограничивается.и более высоким качеством обработки,-так как словил обработки любой точки пластины идентичны (3) .

85 1556

Однако интенсивность и качество обработки, определяемые скоростью обработки-,и удельным давлением на абразив, ограничиваются предельной величиной удельного давления, допускаемого с одной стороны прочностью ленты - носителя абразива, а с другой—

5 максимально допустимой глубиной нарушенного слоя обрабатываемого материала, Цель изобретения — повышение производительности и качества обработки.

Указанная цель достигается тем, что в устройстве для двусторонней обработки полупроводниковых пластин, содержащем базовые плиты и расположенные между ними носители абразива и 1 5 сепаратор, выполненные = виде бесконечных лент, в базовых пли-.ах, на поверхностях, прилегающих к носителям абразива, выполнены каналы для подачи сжатого газа между базовой плитой gp и носителем абр аз и ва.

На фиг. 1 изображено устройство в разрезе вдоль генератора; на фиг,2 устройство в разрезе вдоль носитилей . абразива, на фи г, 3 — вид поверхности базовой плиты с каналами для подачи сжатого газ а, Устройство coc.".oèò иэ станины 1, базовых плит 2 и 3, бесконечных лент

4 носителей свободного абразива, бесконечной ленты 5 — сепаратора, штуцера 6 для подачи сжатого газа, механизма 7 загрузки пластин 8 и механизма 9 выгрузки.

Устройство работает следующим образом, 35

Обрабатываемые пластины с механизма 7 загрузки с помощью сепаратора 5 подаются в зону обработки, куда лентами 4 осуществляется подача абразива. По каналам в базовых 4р плитах 2 и 3 в пространство между плоскостью плиты и лентой 4 носителем абразива подается сжатый гаэ, при этом верхняя базовая плита 2 приподнимается и зависает на образующейся газовой подушке. Приподнимается также и весь пакет, находящийся в зоне обработки (верхняя лента — носитель абразива, сепараторная лента с пластинами, нижняя лента— носитель абразива7, При этом уменьшается вредное трение между плитой и лентой-носителем, которое является причиной повышенного разогрева пластин и увеличения глубины нарушенного слоя. Подаваемый под давлением газ служит одновременно для отвода тепла от обрабатываемых пластин и в то же время препятствует попаданию в зону обработки загрязнений из окружающей среды (пыль и пр).

Формула изобретения

Устройство для двусторонней обработки полупроводниковых пластин, содержащее базовые плиты и расположенные между ними носители абразива и сепаратор, выполненные в виде бесконечных лент, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения производительности и качества обработки, в базовых плитах, на поверхностях прилегающих к носителям абразива, выполнены каналы для подачи сжатого газа между базовой плитой и носителем абразива.

Источники информации принятые во внимание при экспертизе

1, "Электронная промышленность", 1975, 9 10, с, 72-73, 2, Авторское свидетельство СССР

9 485858, кл. В 24 В 37/04, 10.08.73.

3. Авторское свидетельство СССР

Р 619053, кл. Н 01 L 21/461,14.04.78.

851556 (Рц?. 3

Составитель Г.Падучин

Техред А. Ач Корректор С. Корниенко

Редактор Ю.Ковач

Заказ 6 374/76

Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП,"Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4