Способ защиты полупроводниковогоприбора ot перегрузок
Союз Соввтскнх
СОциьлисти4есних
Рвсаублмм
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИ ИТИЛЬСТВУ р>951614 (61) Дополнительное к авт, сеид-ву(22) Заявлено 021179 (21) 2835552/24-07 (53)PA. Кл З с присоединением заявки ¹
Н 02 Н 7/10
Государственный комитет
СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет
Опубликовано 300781. Бюллетень № 28
Дата опубликования описания 30.0781
Ю) ЧВ 621. 316. .925.4:621.314. .572(088.8) (72) Автор изобретения
1! i т ff
t
С.Г. Бузыкин (71) Заявитель
Московский ордена Ленина энергетнческйй (54 ) СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО
ПРИБОРА OT ПЕРЕГРУЗОК
Изобретение относится к полупроводниковой преобразовательной технике и может быть применено при разработке различного рода транзисторных пе5 реключающих устройств.
Известен способ защиты полупроводникового прибора, при котором фиксируют ток коллектора прибора при перегрузке на постоянный промежуток време- 10 ни, а затем запирают прибор до прихода очередного отпирающего импульса 11).
Недостатком этого способа является низкая надежность.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является способ защиты полупроводникового прибора от перегрузок, при котором измеряют один из электрических параметров прибора, интегрируют полученный сигнал, сравнивают полученный интеграл с заданным и при достижении заданного уровня
Формируют сигнал защиты (21.
Недостатком этого способа является низкая надежность защиты транзистора при изменении температуры окружающей среды в широких пределах.
Цель изобретения — повышение на-. дежности защиты транзистора при изме-З0 ненни температуры окружающей среды в широких пределах.
Указанная цель достигается тем. что интегрируют напряжение змиттерколлектрр транзистора по времени и сравнивают его с заданным значением, причем это заданное значение изменяют по линейному закону обратно пропорционально росту температуры, а сигналом защиты является сигнал запирания транзистора до прихода следующего отпирающего импульса.
На.чертеже изображена блок-схема, реализующая предлагаемый способ, Схема состоит из транзистора 1, коммутирующего нагрузку 2, который имеет схему 3 стабилизации тока эмиттера при перегрузках. Напряжение коллектор-эмиттер интегрируют интегратором 4, устанавливаемым в нулевое состояние сигналом, инверсным управляющему и, таким образом, имеющим нулевое выходное напряжение к приходу отпирающего транзистор 1 сигнала. Напряжение- с интегратора 4 совместно с напряжением температурно зависимого источника 5 поступает на компаратор 6, управляющим ключом 7.
При перегрузке ток эмиттера транзистора 1 стабилизируется схемой 3
851614
Формула иэображения
Составнтель В.Рыкова
Техред М. Рейвес Корректор В. Вутяга
Редактор Ю.Ковач
Заказ 6379/79 Тираж 675 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035 Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5
Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная,4 путем соответствующего изменения его тока базы. Возрастающее при этом напряжение коллектор-эмиттер интегрируют схемой. В момент равенства напряжения на выходе интегратора напряжению источника 5 компаратор 6 открывает ключ 7, который в свою очередь запирает транзистор 1.
Поскольку напряжение на выходе интегратора продолжает возрастать, транзистор 1 поддерживается в закрытом состоянии до прихода следующего им-. пульса. За время паузы интегратор устанавливается в нулевое состояние, и, таким образом, в начале следующего периода транзистор 1 отпирается и ïðîцесс повторяется. 15
Исполь зовайие предлагаемого способа по сравнению с известными обеспечивает повышение эффективности защиты силовых переключающих транзисторов от перегрузок rIo MolgHocTH и перегре- ;щ ва, наиболее полное использование силовых транзисторов по мощности, повышение эффективности работы защитных транзисторов на нагрузку с большой кратностью пускового тока, а также независимость максимальной температуры кристалла силового транзистора при перегрузке от температуры окру. жающей среды, что дополнительно увеличивает универсальность и эффективность особенно в широком диапазоне темйературы окружакщей среди.
Способ защиты полупроводникового
Прибора от перегрузок, при котором измеряют один из электрических параметров прибора, интегрируют полученный сигнал, сравнивают полученный интеграл с заданным и при достижении заданного уровня формируют сигнал защиты, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности защиты транзистора при изменении температуры окружающей среды в широких пределах, интегрируют напряжение эмиттер-коллектор. транзистора по времени и сравнивают его с заданным значением, причем это заданное значение иэменяют по линейному закону обратно пропорционально росту температуры, а сигналом защиты является сигнал запирания транзистора до прихо-. да следующего отпирающего импульса.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Сборник "Электронная техника в автоматике".. М., "Советское радио", 1977, вып,9, с .234 237.
2. Авторское свидетельство СССР
9 279582, кл. Н 02 Н 3/20, 1969.
