Сверхвысокочастотный гибрид

 

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ГИВРИ содержащий диэлектрическую подложку расположеннуюв корпусе, на первой стороне которой нанесены Е- и Нвходные плечи и два выходных плеча, причем вых6дн1ле плечи соединены с Н-входным плечом, а на в.торой сторо не диэлектрической подложки разме f-gr щен целевой шлейф, связывающий Е-входное плечо с остальными щтечама , о т л ича ю щи и ся тем, что, с целью .увеличения широкополоености и развязки между Е- и Н- входными плечами, Н-входное плечо на;, . , четверть-волновом участке от точки соединения его с выходными плечами выполнено .в виде двух проводников, все плечи выполнены радиально расходящимися из точки соединения Н-входного и выходных плеч, а на второй стороне диэлектрической подложки нанесены дополнительно введенные короткозамкнутые четвертьволновые шлейфы, расположенные зеркально входным и выходным плечам,;; § причем между диэлектрической подложкой и корпусом образован зазор.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

M51) 1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2761404/18" 09 (22) 20 . 04. 79 (46) 07.08.83. Бюл. Ф 29 (72) P.Ê,Ñòàðîäóáðîâñêèé (53) 621. 372 (088. 8) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

Э (56) 1. G. I, Laughlin "А new impedance

matdned wideba1um апй magic tee" ,IEEE Transactions on . ИТТ-24, 1976, ;Р 3, р. 140. (54)(57) СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ГИБРИД, содержащий диэлектрическую подложку, расположенную в корпусе, на первой стороне которой нанесены Е- и Нвходные плечи и два выходных плеча, %. причем выходные плечи соединены с

Н-входным плечом, а на второй стороне диэлектрической подложки размеЕ-Й

„„Я(.)„„52116 А щен щелевой шлейф, связывающий

Е-входное плечо с остальными плечама, отличающийся тем, что, с целью .увеличения широкополос" ности и развязки между Е- и Н- входными плечами, Н-входное плечо на:; четверть-волновом участке от точки соединения его с выходными плечами выполнено .в виде двух проводников, все плечи выполнены радиально расходящимися из точки соединения

Н-входного и выходных плеч, а на второй стороне диэлектрической подложки нанесены дополнительно введенные короткозамкнутые четвертьволновые шлейфы, расположенные зеркально входным и выходным плечам,.- :

Ф причем между диэлектрической подложкой и корпусом образован зазор.

852116

Изобретение относится к элементам связи гибридн )го типа и может использоваться, например, в системах сверхвысоких частот, антенных решетках.

Известен сверхвысокочастотный гибрид, содержащий диэлектрическую подложку, расположенную в корпусе, на первой стороне которой нанесены Е- и Н-входные плечи и два выходных плеча, причем выходные плечи соединены с Н-входным плечом, а на второй стороне диэлектрической подлОжки размещен щелевой шлейф, связывающий Е-входное плечо с остальными плечами (1, Однако известный сверхвысокочастотный гибрид имеет малую широкополосность и плохую развязку между E- и Н-входными плечами.

Целью изобретения является увеличение широкополосности и развязки между Е- и Н-входными плечами. для этого в сверхвысокочастотном гибриде, содержащем диэлектрическую подложку, расположенную в корпусе, на первой стороне которой нанесены Е- и Н-входные плечи и два выходных плеча, причем выходные плечи соединены с Н-входным плечом, а на второй стороне диэлектрической подложки размещен щелевой шлейф, связывающий Е-входное плечо с остальными плечами, Н-входное плечо на четвертьволновом участке от точки соединения его с выходными плечами выполнено в виде двух проводников, все плечи выполнены ðàдиально расходящимися из точки соеди нения Н-входного и выходных плеч, а на второй стороне диэлектрической подложки нанесены дополнительно введенные короткоэамкнутые четвертьволновые шлейфы, расположенные зеркально входным и выходным плечам, причем между диэлектрической под- ложкой и корпусом образован зазор.

На фиг. 1 представлен сверхвысокочастотный гибрид (крышка корпуса снята) в плане; на фиг. 2 — то же, разрез по осям выходных плеч; на .фиг. 3 — топология второй стороны ,диэлектрической подложки.

Сверхвысокочастотный гибрид содержит, расположенную в корпусе 1 диэлектрическую подложку 2, на первой стороне которой нанесены Еи Н-входные плечи 3 и 4 соответственно и два выходных плеча 5 и 6, а на второй стороне диэлектрической подложки 2 размещен щелевой шлейф 7 и короткозамкнутые четвертьволновые шлейфы 8, расположенные зеркально входным 3, 4 и выходным 5, 6 плечам, а Н-входное плечо 4 на четверть волновом участке от точки соединения его с выходными плечами выполнено .в виде двух проводников 9 и 10, Зазор 11 образован между диэлектрической подложкой 2 и корпусом 1.

Все плечи выполнены радиально расходящимися из точки соединения

Н-входного 4 и выходных плеч 5, 6..

Пр едложенный сверхвысокочастотный гибрид работает следующим образом.

При поступлении сигнала с Е-входного плеча 3 напряжения, равные по величине и противоположные по фазе, 10 появляются на выходных плечах 5 и 6 °

При поступлении сигнала от Н-входного плеча 4 на выходах появляются равные по величине и фазе напряжения.

Между E- и Н-входными плечами 3 и 4

)5 благодаря симметрии обеспечивается большая и практически независимая от частоты развязка.

Рассмотрим особенности предложенного СВЧ гибрида. Во-первых, исключена связь Е-входного плеча 3 с выходными плечами и тем самым обеспечена большая величина развязки. Это достигнуто радиальным расположением

Е-входного плеча 3. Одновременно благодаря выполнению короткозамкнутых четвертьволновых шлейфов 8 в виде секторов круга и их зеркальному расположению существенно уменьшена поверхность короткозамкнутых четвертьволновых шлейфов, что значительно повышает их волновое сопротивление и широкополосность Е-входного плеча 3. Однако этого было бы недостаточно, если бы со стороны Н-вход"

9 ного плеча 4 не была решена задача

3 образования высокоомных шлейфов по отношению к Е-входному плечу 3.

Эта задача решается соединением Н-входного плеча 4 с выходными Плечами 5 и 6 посредством проводни4() ков 9 и 10, замкнутых в кольцо, причем общая длина этого замкнутого участка не ограничена резонансными соотношениями и может быть произвольной, Таким образом, достигнуты две основные цели — существенно расширена полоса согласования Е-входного плеча (а с ним и выходных плеч) и величина развязки между Е- и Нвходными плечами, высокоомность ко

®") роткозамкнутых четвертьволновых шлейфов по отношению к Е-входному плечу может быть еще увеличена и благодаря тому, что вся система внешних проводников расположена на нижней поверхности диэлектрической подложки, Поэтому между ней и корпусом может быть выполнен воздушный зазор 11 и таким образом, увеличено волновое сопротивление короткозамк6() нутых четвертьволновых шлейфов.

Сверхвысокочастотный гибрид может быть выполнен как в прямоугольном, так и в круглом корпусе, часто бо лее технологичном и в последнее

65 время на находящем все большее применение.

852116 ! Составитель Челей

Редактор П.Горькова Техред A.Бабинец Корректор A.Òÿñêî

Эаказ 8133/4 Тираж 590 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Я

Филиал ППП Патент, r.Óæãîðoä, ул.Проектная, 4