Полупроводниковый аттенюатор

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТИЛЬСТВУ

Союз Советскнх

Соцнаюктнческнх

Республик

<о862276 (61) Дополнительное к авт. свид-ву{51) AA К (22) Заявлено 1 0180 (21) 2871758/18-09

Н 01 P 1/22 с присоединением заявки М9ГосударствениыЯ комитет

СССР по делам нзобретеннЯ и открытяЯ, (23) ПриоритетОпубликовано 070981. Бюллетень ЙУ 33

{53) УДК е21.372. .852.3(088.8) Дата опубликования описания 070281 (72) Автор (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ATTEHIOATOP

Изобретение относится к сверхвысокочастотной радиотехнике. . Известен полупроводниковый аттенюатор, содержащий отрезок волновода с установленной внутри него металлической пластиной со щелями, параллельными широкой стенке волновода, в каждой из которых включен полупроводниковый диод fi) .

Однако этот аттенюатор имеет низкую температурную стабильность вносимого затухания.

Цель изобретения — уменьшение температурной зависимости вносимого затухания от поглощения сверхвысокочастотной мощности в диодах.

Для этого в полупроводниковом аттенюаторе металлическая пластина изогнута в виде трапеции, основание 20 которой параллельно продольной оси волновода и совмещено с широкой стенкой, а в полости между металлической пластиной и широкой стенкой волновода расположен поглотитель 25 в виде диэлектрической призмы, примыкающей основанием к широкой стенке волновода. Боковые грани металлической пластины выполнены в виде ступенек, в вертикальных стенках ко- 30 торых находятся продольные щели с полупроводниковыми диодами.

На фиг. 1 приведена конструкция полупроводникового аттенюатора> на фиг. 2 — то же, вариант выполнения.

Внутри отрезка волновода 1 устансвлена металлическая пластина 2 со щелями 3, в каждой из которых включен полупроводниковый диод 4.

Иежду пластиной 2 и широкой стенкой волновода расположен поглотитель 5, боковые грани пластины выполнены в виде ступенек 6, в вертикальных стенках которых находятся продольные щели 3 с диодами 4.

Принцип действия полупроводникового аттенюатора заключается в следующем.

При подаче максимального управляю щего тока диоды 4 закрываются, вертикальные стенки ступенек 6 пластины 2 металлизируются, сверхвысокочастотная мощность не проходит в полость и не рассеивается в поглотителе 5.

Этот режим соответствует режиму пропускания аттенюатора.

При отсутствии управляющего тока диоды 4 открываются, вертикальные ,стенки ступенек б пластины 2 стано862276

Формула изобретения

Ф Жм8

ВН ИИПИ 3 акаэ б б 27/50 Тираж б 34 Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 вятся эквивалентными щелевым резонансным коммутирующим модулям в открытом состоянии, сверхвысокочастотная мощность приходит в полость и рассеивается в поглотителе 5.

Этот режим соответствует режиму максимального затухания аттенюатора.

Температурная стабильность затухания предлагаемого аттенюатора оп- ределяется температурной стабильностью материала. поглотителя 5. При уменьшении управляющего тока от максимума до нуля затухание монотонно увеличивается в основном за счет увеличения доли сверхвысокочастотной энергии, рассеиваемой в поглотителе.

Максимальное затухание предлагаемого аттенюатора в отличие от прототипа определяется материалом и геометрическими размерами поглотителя и практически не зависит от количества диодов. Это дает возможность получить в предлагаемом аттенюаторе большое затухание при малом количестве диодов. технико-экономическая. эффективность предлагаемого аттенватора заключается в существенном поваиаении эксплуатационных характеристик по сравнению:с прототипом.

Температурная стабильность предлагаемого аттенюатора определяется в основном термостабильностью материала поглотителя.Изменения затухания поглотителей из ферроэпоксида не презреет десятых долей дБ в диапазоне температур от -70 до + 150 С, что исключает необходимость в термостабилизации

8 или термокомпенсации предлагаемого аттенюатора.

1. Полупроводниковый аттеиюатор, содержащий отрезок золновода с установленной внутрен него металлической пластиной со щелями, параллельными широкой стенке волновода,. © в каждой as которых включен полупроводниковый диод, о т л и ч а ющ и и а я тем, что, с целью уменьшения теьжературной зависимости вио- " сивюго затухания от поглощения

35 сзернвысокочастотной мощности в полупроводниковых диодах, металлическая пластина изогнута в виде трапеции, основание которой параллельно продольной оси валновода и совмещено

20 с tIIEpGR09 сте кой, а а пол зати, оараэованной между металлической ила@" тиной и вжрокой стенной волиовода, расположен поглотитель, выполненный

s виде диэлектрической призмы, при 5 мыкающей своим основанием к широкой стенке волновода.

2. Аттеиюатор по и. 1, о т л и» . ч а ю щ и й.с я тем, что боковые грани металлической нластины выпол- нены в виде ступенек, в вертикальных

«зо стенках которых расположены продоль-

we щели с полупроводниковыми диодами.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР по заявке 9 239158&,кл.Н 01 Р 1/10, 1976 (прототип}.

Ф 3 Ф Х