Способ монтажа кристаллов на основания
1.СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВАНИЯ, включающий нагрев основания , совмещение его с кристаллом , нагружение соединяемых элементов и их соединение с продольно-поперечным перемещением по границе соединения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и сокращения длительности присоединения , одному из соедйняемьпс элементов сообщают вращательное движение вокруг его оси со скоростью 1-100 об/с, 2. Способ поп.1,отлича ющ и и с я тем, что направление вращения , изменяют в процессе присоединения с частотой 1-500 Гц. с X
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
„„SU„„865071 (51)4 Н 01 L 21 58
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2928437/18-25 (22) 11.04.80 (46) 30.01.87. Бюл. М 4 (72) Ю.В. Большаков, В.А. Зенькович, Я.Н. Мистейко и В.M. Сегал (53) 621.382 (088.8) (56) Райков В.А. Пайка и сварка в производстве радиоэлектронной аппаратуры. М.:, Энергия, 1974, с. 208211.
Патент США Ф 4066200, кл. 228-3.1 опублик. 1976. (54)(57)1.СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛОВ
НА ОСНОВАНИЯ, включающий нагрев основания, совмещение его с кристаллом, нагружение соединяемых элементов и их соединение с продольно-поперечным перемещением по границе соединения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и сокращения длительности присоединения, одному из соединяемых элементов сообщают вращательное движение вокруг его оси со скоростью 1-100 об/с, 2. Способ по п.1, о т л и ч аюшийся . тем, что направление вращения. изменяют в процессе присоединения с частотой 1-500 Гц. 865071
Составитель А. Висковский
Техред И.Попович Корректор С. Шекмар
Редактор С. Титова
Заказ 7742/1
Тираж 698 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,4
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в процессе монтажа полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Известен способ монтажа кристаллов, включающий следующие операции: нагрев основания, совмещение .основания с кристалГ лом; нагружение соединяемых элементов с заданным усилием, присоединение при помощи припоя или автоматического соединения.
Этот способ требует затраты значительного времени и не обеспечивает однородное присоединение по всей поверхности кристалла.
Известен способ монтажа кристаллов на основании, включающий способ монтажа кристаллов, нагрев основания, совмещение его с кристаллом,нагружение соединяемых элементов и их соединение с подъемно-поперечным перемещением по границе соединения.
Недостатком данного способа является большое количество газовых включений и окислов в зоне соединения, что ухудшает его механические и электрические свойства. Кроме того, образование соединения требует значительного времени.
Цель изобретения — повышение качества и сокращение .длительности подсоединения.
Поставленная цель достигается тем, что в способе монтажа кристаллов на основания, включающем нагрев основания, совмещение его с кристаллом, погружение соединяемых элементов с 40 заданным усилием и их соединение .с продольно-поперечным перемещением по границе соединения, одному из соединяемых элементов сообщают вращательное движение вокруг его оси со скоростью 1-100 об/с, а также тем, что направление вращения изменяют в процессе присоединения с частотой от 1 до 50 Гц.
На чертеже показано предлагаемое устройство.
Присоединение полупроводниковых кристаллов 1 производится сварочным инструментом 2 к золоченой поверхности основания микросхем 3. Основание микросхем 3 нагревается до температуры 400+10 С. Кристаллы 1 погружают с усилием от 0,3 до 3,0 Н в зависимости от их размеров. Одновременно с нагружением сварочный инструмент совершает колебательное перемещение на величину 0,2-0,5 мм с частотой 100 Гц и вращение со скоростью 1-100 об/с °
Испытания показали, что сборка полупроводниковых приборов предложенным способом по сравнению с известными повышает качество и прочность присоединения, уменьшает оммическое сопротивление и длительность присоединения.
Например, присоединение полупроводниковых кристаллов из кремния размерами 4"4 мм к металлическим пленкам из золота на оптимальных режимах обеспечивает уменьшение времени присоединения в 2,5 раза, повышение прочности присоединения на 10-157 и уменьшение переходного электросопротивления на 13-187.
