Устройство для поверки средств измерения магнитной индукции

 

Союз Советскнх

Соцналнстнческнх

Республнк

ОП ИСАКИИ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

866512 (6l ) Дополнительное к авт. свнд-ву (51) М. Кл. (22) Заявлено 27.12.79 (2l ) 2859413/18-21 с прнсоелинениен заявки М

G 01 К 33/02

Гооударстесниый комитет (23) П риорнтет ио лелем изобретений и открытий

Опубликовано 23.09.81. 61оллетень,%35

Дата опубликования опнсання23.09.81 (5З) @К 621;317..44(088.8) (72) Авторы изобретения

Ю. В. Афанасьев и В. И. Шеремет (7I ) Заявитель (54)УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОВЕРКИ СРЕДСТВ ИЗМЕРЕНИЯ

МАГНИТНОЙ ИНДУКБИИ

Изобретение относится к измерительной технике и метрологии и предназначено для исследования, поверок и аттестации средств измерения. магнитной индукции.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройст$ во для поверки магнитометров, содержащее трехкомпонентную систему взаимно перпендикулярных катушек магнитной индукции с обмотками для компенсации постоянного магнитного поля Земли и образ10 цовыми обмотками, источники питания, соединенные с обмотками компенсации и образцовыми обмотками, измеритель и ре» гулятор силы электрического тока, вклю1$ ченные в цепь образцовой обмотки, образцовый квантовый магнитометр с устройством для измерения частоты прецессии, сверхпроводяший источник магнитной индукции, выполненный в виде сверхпроводя« шей тонкостенной цилиндрической трубы, расположенной в гелиевом; криостате, устройство для измерения, регулирования и поддержания на заданном уровне темпера2 туры сверхпроводяшей трубы, герметичный трубопровод, соединяющий гелиевый криостат с устройством для измерения, регулирования и поддержания на заданном уровне температуры сверхпроводяшей трубы Г1).

Недостатком известного устройства для поверки магнитометров является недостаточно высокая точность измерений и относительно узкий рабочий диапазон в области сверхслабых магнитных полей,.обусловленные недокомпенсацией вариаций магнитного поля Земли и промышленных магнитных помех при переводе трубы в сверхпроводящее состояние.

Цель изобретения - повышение точности и расширение диапазона измерений устройства для поверки средств измерения магнитной индукции.

Эта цель достигается тем, что устройство для поверки средств измерения маг нитной индукции, содержащее трехкомпонентную систему взаимно перпендикулярных катушек магнитной индукции с образцовыми обмотками, источники питания, из86

6512 мерители и регуляторы электрического тока, включенные в цепи образцовых обмоток, образцовый квантовый магнитометр с измерителем частоты прецессии, пово) ротный механизм, сверхпроводяшую цилиндрическую трубу, гелиевый криостат и блок для измерения, регулирования и поддержания ца заданном уровне температуры сверхпроводящей трубы с кабелем и герметичным трубопроводом для их соединения, снабжено ферромагнитным экраном, в экранированном объеме которого размещен гелиевый криостат со сверхпроводящим магнитным экраном, состоящим из одной или нескольких коаксиально расположенных сверхпроводящих цилиндрических оболочек с дном, с толщиной стенки на два порядка меньше их диаметра, каждая иэ которых снабжена выводной трубкой гелиевого сифона и двумя коаксиально расположенными термоизолируюшими рубашками, одна из которых размещена на наружной, а другая — на внутренней поверхности сверхпроводяшей оболочки, соленоидами, размещенными коаксиально сверхпроводяшей цилиндрической трубе снаружи и внутри ее полости, при этом упомянутая труба размещена в сверхпроводящем магнитном экране, коаксиально ему, на термоизолируюшей рубашке, расположенной на внутренней поверхности сверхпроводяшей оболочки, выполнено осевое отверстие, трехкомпонентная система взаимно перпендикулярных катушек магнитной индукции размещена в экранированном объеме внутренней сверхпроводяшей обомочки, центр системы катушек совмещен центром экранированного объема, ось одной иэ катушек совмещена с продольной осью внутренней сверхпроводяшей оболочки, а первичный преобразователь образцового квантового магнитометра размечен в центре экранированного объема сверх проводящего магнитного экрана и соединен с немагнитным поворотным механизмом.

На чертеже изображена структурная схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит трехкомпонентную систему катушек 1, состоящую из трех взаимно перпендикулярных пар катушек 2, 3, 4, например катушек Гельмгольца, ось одной иэ пар катушек 2 ориентирована по вертикали, а оси других катушек 3 и 4по горизонтали. Каждая пара катушек 2, 3 и 4 содержит образцовые обмотки, предназначенные для создания заданного эталонного магнитного поля. Образцовые обмотки в каждой иэ пар катушек 2, 3 и 4 соединены последовательно, а каждая иэ 0

4 пар обмоток раздельно подключается через переключатель 5 к источнику 6 питания. Б цепи питания образцовых обмоток установлен измеритель 7 и регулятор 8 силы электрического тока.

Устройство содержит также сверхпроводяший магнитный экран 9, состоящий из двух коаксиально расположенных сверхпроводящих тонкостенных оболочек 10, 11 с дном, термоиэолируюших рубашек 12, 13, 14 и 15, а также трубок гелиевых сифонов 16, 17 и 18, Между внутренней рубашкой 13 наружной оболочки 10 и наружной рубашкой 14 внутренней оболочки 11 установлен зазор 19, в котором размещена трубка гелиевого сифона 17. Трубка гелиевого сифона 18 размещена в полости 20 внутренней оболочки 11, а трубка гелиевого сифона 16 размещена в гелиевой ванне гелиевого криостата 21 снаружи сверхпроводящего магнитного экрана 9. На внутренних термоизолирующих рубашках 13 и 15 в центрах днищ выполнены отверстия 22 и 23 соответственно.

В месте отверстий 22 и 23 соответственно расположены области 24 и 25 внутренних поверхностей оболочек 10 и 11 не защищенные термоизолируюшими рубашками.

Трехкомпонентная система катушек 1 размещена в рабочем экранированном объеме 26 сверхпроводящего магнитного экрана 9 так, что ее центр совмещен с центром рабочего экранированного объема

26, ось пары катушек 2 совмещена с проЯ дольной осью внутренней сверхпроводяшей оболочки 11. Под рабочим экранированным объемом понимается объем, окружающий средство и объект измерения, изолированный (до заданного значения магнитной индукции на верхней его границе) от воздействия внешних постоянных и переменных магнитных полей. 43 сверхпроводящем магнитном экране 9, состоящем из сверхпроводящих оболочек 10 и 11 с дном, экранированный рабочий объем 26 расположен в нижней части внутренней оболочки

11, выше ее дна. 11ентр рабочего экранированного объема расположен посредине его, т.е. высота экранированного объема равна 8< то его центр лежит на расстоянии Й /2 от дна внутренней оболочки.

Устройство содержит также сверхпроводящую цилиндрическую трубу 27, размещенную в экранированном объеме 26 сверх проводящего магнитного экрана 9, коаксиально ему, источники магнитной индукции„например соленоиды 28 и 29, размешены коаксиально сверхпроводяшей тру5 886 бе 27, Соленоиды 28 и 29 раздельно подключаются через переключатель 30 к источнику 31 питания. В цепи питания соленоидов установлены измеритель 32 и pe lI8Top ЗЭ силы электрического TQKB.

Сверхпроводяший магнитный экран 9, трехкомпонентная система катушек 1, сверхпроводяшая труба 27, соленоид 28 размещены в гелиевом криостате 21, который размещен в экранированном объеме 34 фертаиавливается и стабилизируется заданное значение давления газообразного гелия в криостате 21, а, следовательно и заданное значение температуры и ее стабильность сверхпроводяшего магнитного экрана 9 и сверхпроводяшей трубы 27. При этом температура экрана 9 и трубы 27 измеряется косвенным путем — измеряядавление газообразного гелия над зеркаt0 лом жидкого гелия в гелиевой ванне криостата 21 с помощью дифференциального манометра блока 38. В центре рабочего экранированного объема 26 сверхпроводящего магнитного экрана 9 размещены nep1s вичные преобразователи 40 и 41, соедио ненные соответственно с образцовым квантовым магнитометром 42 и поверяемым магнитометром 43. Образцовый квантовый магнитометр 42 соединен с измериуа телем 44 частоты прецессии, а первичные преобразователи 40 и 41 соединены с немагнитным поворотным механизмом 45.

Устройство для проверки средств измерения магнитной индукции работает слеЯ дующим образом.

Ферромагнитный экран 35 устройства находится под воздействием магнитных полей Земли, промышленных установок и электрофицированного транспорта. В экранированном объеме 34 ферромагнитного экрана 35 индукция внешнего магнитного поля Во ослабляется ферромагнитными слоями экрана 35 до значения В„. Оболочки 10 и 11 магнитного экрана 9 нахо35 дится B нормальном состоянии (ilpH Tåìпературе значительно превышающей критическую температуру Тс материала оболочек 10 и 11 — температуру перехода в сверхпроводящее состояние) и под дейст4О вием индукции магнитного поля В, которое пронизывает упомянутые оболочки, полость 20, трехкомпонентную систему катушек 1, трубу 27, соленоиды 28 и

29, первичные преобразователи 40 и 41

45 и поворотный механизм 45. Подачей жидкого гелия в трубку гелиевого сифона 17 начинает охлаждаться оболочка 10. Благо50 ромагнитного экрана 35.

Гелиевый криостат 21 должен быть изготовлен из немагнитного материала, так как в противном случае, магнитные включения в стенках криостата 21, особенно

его внутренних оболочек 36, расположен ных в экранированном объеме 26 свархпроводяшего магнитного экрана 9, будут создавать остаточное магнитное поле ко нечного значения в экранированном объеме 26 сверхпроводящего экрана 9 нли искажать однородность замороженного доля сверхпроводяшей трубы 27 изменять его значение, т.е. фактически создавать магнитные помехи.

Кроме того, материал, из которого изготовлен криостат 21 должен быть непроницаем для газообразного гелия, так как в противном случае газообразный гелий из галиевой ванны криостата 21 проникает в изолирующие вакуумные промежутки крностата 21 и жидкий гелий испаряет» ся из него, а следовательяо, сверхпроводяший магнитный экран 9 и сверхпроводящая труба 27 не смогут быть цереведеиы в сверхпроводяшее состояние. Гелиевый криостат 21 герметично соединен трубопроводом 37 с блоком 38 для измере. ния, регулирования и поддержания на заданном уровне температуры сверхпроводящего магнитного экрана 9 и сверхпрово дяшей трубы 27 и кабелем 39. В состав блока 38 может входить вакуумный насос, дифференциальный манометр, мано стат, вакуумные трубопроводы и вакуум ные вентили. Изменяя давление газообразного гелия над поверхностью жидкого teлия в гелиевом криостате 21, изменяется температура жидкого гелия, а следовательно, и температура трубы 27. Откачивая вакуумным насосом блока 3.8 газообраз-ный гелий по трубопроводу 36 из ге812 6 даря наличию на оболочке 10 термоизолирующих рубашек 12 и 13, изготовленных, например из пенопласта, и отверстия 22 во внутренней термоизолируюшей рубашке

13 быстро охлаждается только область лиевого криостата 21, можно понизить температуру сверхпроводящего экрана 9 и трубы 27 значительно ниже 4, 2 К» температуры кипения жидкого гелия при нормальном атмосферном давлении. С помощью маностата, дифференциального мано

< метра и системы вакуумных вентилей ус»

24 внутренней поверхности оболочки 10, расположенная s месте отверстия 22. Осм тальная часть оболочки, зашишенная от доступа к ее поверхности холодного испа ряюшегося газообразного гелия и жидкого гелия термоизолируюшая рубашками 12 и

13 охлаждается значительно медленнее и, в основном, только эа счет передачи холода от открытой области 24 внутренней поверхности оболочки 10 по дну и стенкам упомянутой оболочки. Для устранения доступа холодного газообразного гелия к поверхности оболочки 10 термоизолируюшие рубашки 12 и 13 выполнены по форме аналогичными соответствующим. поверхностям оболочки 10 и плотно прилегают к этим поверхностям, при этом длина руба- 1о шек 12 и 13 превышает длину оболочки

10, Таким образом, после начала охлаждения на оболочке 10 возникает температурное поле, которое имеет равномерный градиент температуры вдоль оболочки, наиболее низкой температурой обладает область 24 внутренней поверхности оболочки 10, а наиболее высокой температурой обладает открытый конец ободочки 10.

Вследствие этого, первоначально в сверх- zo проводящее состояние переходит область

24, температура которой достигла значения критической температуры Тс сверхпроводникового материала иэ которого изготовлена оболочка 10. Как только ниж- 2s няя часть дна оболочки 10 становится сверхпроводяшей, силовые линии магнитного поля В„в силу эффекта Мейсснера обтекают эту часть оболочки. По мере . продвижения границы сверхпроводяюуей фазы к открытому концу оболочки 10 все большая часть материала оболочки и ее внутренняя полость оказываются в ослабленном магнитном поле ба. В ослабленном поле Qg оказываются оболочка 11 (кото35 рая благодаря наличию термоизолирующих рубашек 14 и 15 находится в нормальном состоянии), полость 20, трехкомпонентная система катушек 1, труба 27, источники магнитной индукции 28 и 29, пер- 4 е вичные преобразователи 40 и 41 и поворотный механизм 45. После перехода в сверхпроводяшее состояние всей оболочки

10 подается жидкий гелий в трубку гелиевого сифона 18 и охлаждается оболочка

11. Благодаря наличию на оболочке 11 термоизолируюших рубашек 14 и 15, изготовленных иэ пенопласта, и отверстия 23 во внутренней термоиэолируюшей рубашке

15 быстро охлаждается только область

25 внутренней поверхности оболочки 11, расположенная в месте отверстия 23.

Остальная часть оболочки 11, защищенная от доступа к ее поверхности холодного испаряющегося газообразного гелия и жидкого гелия термоизолируюшими рубаш ками 14 и 15 охлаждается значительно медленнее и, в основном, только за счет передачи холода от открытой области 25

8665i2 8 внутренней поверхности оболочки 11 по дну и стенкам упомянутой оболочки. Для устранения доступа холодного газообразного гелия к поверхностям оболочки 1 1 термоизолируюшие рубашки 14 и 15 выполнены по форме аналогично форме соответствующих поверхностей оболочки 10 и плотно прилегают к этим поверхностям, при этом длина рубашек 14 и 15 превы-, шает длину оболочки 11. Таким образом, после начала охлаждения на оболочке 11 возникает температурное поде, которое имеет равномерный градиент температуры вдоль оболочки, при этом наиболее низкой температурой обладает область 25 внутренней поверхности оболочки 11, а наиболее высокой температурой обладает открытый конец оболочки 11. Вследствие . этого, первоначально в сверхпроводяшее состояние переходит область 25, температура Т которой достигла значения критической температуры Т сверхпроводникового материала, из которого изготовлена оболочка 11. Как только нижняя часть дна оболочки 1 1 становится сверхпроводяшей, силовые линии магнитного поля Ьд в силу эффекта Мейсснера обтекают эту часть оболочки. По мере продвижения границы сверхлроводяшей фазы к открытому концу оболочки 11 все большая часть материала оболочки и ее внутренняя полость

20 оказываются в ослабленном магнитном поле Ь >. В ослабленном поле Ь оказываются трехкомпонентная система катушек

1, труба 27, соленоиды 28 и 29, первичные преобразователи 40 и 41 и поворотный механизм 45. Сверхпроводяшая труба

27 находится при этом в нормальном состоянии, поскольку критическая температура Тс материала, иэ которого изготовлена труба 27 ниже температуры 4,2 К кипения жидкого гелия при нормальном атмосферном давлении. Для дальнейшего ослабления магнитного поля может испольи эоваться третья, четвертая и т.д. сверх проводящие оболочки с термоиэолируюшими 6BBIKGMH аналогичной конструкции

Количество сверхпроводящих оболочек в сверхпроводящем экране устанавливается исходя из необходимого значения остаточного магнитного поля 9,равного 10 "4Тл.

Эффективное экранирование постоянной части магнитного поля Земли, вариаций маг. нитного поля Земли и промышленных магнитных помех, проникающих в полость 20 оболочки 11 через ее открытый конец и экспоненциапьно затухающих вглубь поло ти обеспечивается выбором размеров ободочки 11 отношения длины оболочки

32 силы тока. Путем откачки паров газообразного гелия из гелиевой ванны гелиевого криостата 21 по герметичному трубопроводу 37 блоком 38, температура трубы 27 понижается ниже Т., т.е. труба 27 переводится в сверхпроводяшее состояние. Затем температура сверхпроводяшей трубы 27 понижается до значения равного или меньшего 0,8 Тс и на.этом

10 уровне поддерживается неизменной с точностью равной или больше 0,001 К. Вышеизложенное требование вызвано тем, что при Т близкой к Г изменение глубины проникновения магнитного поля в стенки

1s трубы 27 от изменения ее температуры о на несколько порядков больше, чем при температуре трубы 27 меньшей или равной 0,8 Тс,а следовательно, стабильность замороженного поля сверхпроводяшей трубы 27 при Т 0,8Тс, на несколько порядков выше. Требования к стабильности температуры трубы определяется также требованиями к температурной стабильности площади поперечного сечения трубы 27, которая также влияет на стабильность замороженного поля.

Благодаря явлению захвата магнитного потока трубой 27 при ее переходе в сверхпроводящее состояние, приложенное эталонное поле 5 замораживается в ней.

По сигналу с первичного преобразования

40 образцового квантового магнитометра

42, поступающему на измеритель 44 частоты прецессии определяется значение за35 мороженного эталонного поля 9,Затем

1 первичный преобразователь 40 образцового квантового магнитометра 42. удаляется с центра сверхпроводяшей трубы 27 и на его место устанавливается первичный преобразователь 41 поверяемого магнитометра 43. Затем производится отсчет его выходного сигнала, т.е. осуществляется его поверка. Вследствие того, что токи, поддерживающие замороженное магнитное

45 поле в полости сверхпроводящей трубы 27 являются незатухающими (сверхлроводник ,обладает идеальной проводимостью), то замороженное поле обладает черезвычайно высокой стабильностью. Теоретически рассчитано и экспериментально подтверждено, что относительная стабильность замороженного магнитного поля сверхпроводяшей трубы, стабильность температуры которой порядка 0,001 К, не хуже чем 10, т.е. стабильность ин ркции поля 10 Тл, не хуже чем + 10 Тл. При этом промышленные магнитные помехи и вариации магнитного поля Земля экранируются ферромагнитным экраном 35, сверхпроводящим маг9 866512 то к ее диаметру 8. Чем больше отношение

L)3, тем выше коэффициент экранирова. ния в нижней части полости 20 оболочки

ll, т.е. в экранированном объеме 26.

По сигналу с первичного преобразователя 40 образцового квантового магнито» метра 42, поступающему на измеритель

44 частоты прецесс..и с высокой гочностью определяется значение остаточного магнитного поля 9„, Затем первичный ггреобразователь 40 удаляется с центра экранирования объема 26 и на его место устанавливается первичный преобразователь

41 поверяемого магнитометра 43. Затем производится отсчет его выходного сигнала, т.е. осуществляется его поверка.

Задаваемое значение вертикальной составляющей эталонного магнитного поля о ъЦ

А и создается путем подачи электрического тока от источника 6 питания через переключатель 5 в катушки 2, постоянные которых определяются расчетным или экспериментальным путем. Необходимые значения тока в катушках 2 устанавливаются регулятором 8 и измеряются измерителем

7 силы тока. Задаваемые значения горизонтальных составляющих эталонного .магнитного поля 5„,н„)е„создаются поочередно путем подачи электрического тока от источника 6 питания через переключатель

5 соответственно в катушки 3 и 4. С помощью поворотного механизма. 45 производится вращение первичных преобразователей 40 и 41 для совмещения их магнитных осей чувствительности с соответствующими магнитными осями катушек 2, 3 и 4. Учитывая, что магнитные катушки 2, 3 и 4 размещены в гелиевой ванне re лиевого криостата 21 и находятся при температуре 4,2 К жидкого гелия, их магнитные постоянные обладают высокой стабильностью, вследствие высокой стабильности температуры жидкого гелия, порядка 0,01-0,0001 К, и низких значений коэффициентов температурного расширения материалов, используемых для изготовления катушек 2, 3 и 4. С помощью катушек 2, 3 и 4 создаются эталонные поля,. например, в диапазоне от 10 "до 10 Тл.

Для создания заданного значения эталонного поля в диапазоне, например, от 10 до 10 Тл подается электрический ток от источника 3 1 питания через переключатель 30 в источник магнитной индукции, например соленоид 28, постоянная которого определяется расчетным или экспериментальным путем. Необходимые значения тока в соленоиде 28 устанавливаются регулятором 33 и измеряются измерителем нитным экраном 9 и сверхпроводящей тру бой 27. Сверхпроводяшая труба 27 выпол» няется цилиндрической исходя из высоких требований к однородности замороженного магнитного поля, После проведения повер5 ки магнитометра 43 в замороженном поле Sq„c помощью блока 38 температура трубы 27 повышается до значения выше критической температуры 7 и труба 27 переводится в нормальное состояние, а за- 0 мороженное поле 9 g "сбрасывается". Со1 леноидом 28 создается второе заданное значение эталонного магнитного поля В, температура трубы 27 вновь понижается до значения 0,8 1с и нв этом уровне стабилизируется. Труба 27 при переходе в сверхпроводяшее состояние замораживает поле значение которого определяется

Q образцовым квантовым мвгнитометром 42, а затем в этом поле поверяется поверя20 емый магнитометр 43, При дальнейшем замораживании в сверхпроводяшей трубе 27 ряда заданных значений эталонного магниTHQI поля Вq) +4, ...В jp процедура нагрева трубы 7 выше T и охлаждения ниже 1 повторяются вьппеописанным способом. Для создания заданного значения индукции калибровочного поля подается электрический ток от источника 31 пита° ния через переключатель 30 и источник . 30 индукции, например соленоид 29. Необходимые значения тока в соленоиде 29 устанавливаются регулятором 33 и измеряются измерителем 32 силы тока.

Таким образом, учитывая высокую вре35 менную стабильность замороженного магнитного поля порядка 10 в диапазоне полей 10 -10 Тл, в также высокую

-44 — Ъ суммарную эффективность экранироввния ферромацнитного экрана, сверхлроводяшего магнитного экрана и сверхпроводяшей трубы, позволяющих уменьшить внешние магнитные помехи до значения порядка

+ 10 Тл, можно сделать вывод о том, что погрешность поверки с помошью пред45 лвгвемого устройства в пиапазоне полей

10-"4 10-7 Тл будет составлять 1

10 %, в в диапазоне полей 10 -10 Тл10 4 - 10 7%. B то время как для известного устройства погрешность поверки . о «7 50 только в диапазоне полей 10 - 10 Тл будет составлять 0,1-10, что на три порядка хуже. Приведенные выше данные также показывают, что предлагаемое устройство, .в отличие от известного, позво55 ляет производить поверку магнитометров с низким порогом чувствительности и высоким классом точности в диапазоне полей 10 4 -1 0 Тл, т.е. позволяет рвс886512 12 ширить рабочий диапазон примерно нв че тыре порядка.

Формула изобретений

Устройство для поверки средств изме» рения магнитной индукции, содержащее трехкомпонентную систему взаимно перпен дикулярных. катушек магнитной индукции с образцовыми обмотками, источники пита» ния, измерители и регуляторы электрического тока, включенные в цепи образцовых обмоток, образцовый квантовый магнитометр с измерителем частоты прецессии, поворотный механизм, сверхпроводящую цилиндрическую трубу, гелиевый криостат и блок для измерения, регулирования и поддержания на заданном уровне температуры сверхпроводяшей трубы с кабелем и герметичным трубопроводом для их соединения, о т л и ч в ю ш е е с я тем, что, с цельюпо вышения точности и расширения диапазона измерений, оно снабжено ферромагнитным экраном, в экранированном объеме которого размещен гелиевый криостат со сверхпроводяшим магнитным экраном, состоя шим из одной или нескольких ковксиально расположенных сверхпроводящих цилиндрических оболочек с дном, с толщиной стенки на два порядка меньше их диаметра, каждая из которых снабжена выводной трубкой гелиевого сифона и двумя коаксивльно расположенными термоизолируюшими рубашками, одна из которых размещена на наружной, в другая - на внутренней поверхности сверхпроводяшей оболочки, соленоидами, размещенными коаксиально оверхпроводящей цилиндрической трубе снаружи и внутри ее полости, при этом упомянутая труба размещена в сверхпроводящем магнитном экране, ковксиально ему, на термоизолируюшей рубашке, расположенной нв внутренней поверхности сверх» проводящей оболочки, выполнено осевое отверстие, трехкомпонентная система взао имно перпендикулярных катушек магнитной индукции размещена в экранированном объеме внутренней сверхпроводящей оболочки, центр системы катушек совмещен с центром экранированного объема, ось одной из катушек совмещена с продольной осью внутренней сверхпроводящей оболочки, а первичный преобразователь образцового квантового магнитометра размещен в центре экранированного объема сверхпроводящего магнитного экрана и соединен с немагнитным поворотным механизмом.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР по заявке № 2685134/18-21, кл. G 01 Р 33/02, 1978.