Устройство для измерения температуры, преимущественно в магнитных полях

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Соев Советсккк

Социалистические

Ресттублик ((() 870976 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Зая влено 21. 12, 79. (21) 2857887/ 8-10 (5l)M. Кл. с присоединениеаа заявки М

G 01 K 7/16

Гееударетвснный комитет

СССР по делан нзебретенн11 и orxpsnII1! (23) Приоритет

Опубликовано 07. 1О. 81 ° Бюллетень,% 37 . дата опубликование описания 10. 10.81. (58) УДК 536.

53. (088. 8) А. И. Чередов, Л. Л. Люзе и В. Г. Рыжих т

/ (1

Омский политехнический институт и Омский государственный университет=---(72) Авторы изобретения (71 ) За я в и тели (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ, ПРЕИМУЦЕСТВЕННО В МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ

Изобретение относится к области термометрии, преимущественно к измерению температуры в сильных магнитных полях, Известно устройство для измерения температуры, содержащее германиевый термометр сопротивления, подключенный к блоку регистрации!1), Однако это устройство не обладает требуемой точностью измерения из-за погрешности, обусловленной влиянием магнитного поля.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство для измерения температуры, преимущественно в магнитных полях, соIS держащее полупроводниковый термометр, соединенный последовательно с элементом компенсации влияния магнитного поля, потенциометром, источником нап-ряжения, и блок цифрового отсчета j2)

Однако такое устройство не обладает требуемой точностью измерения, так как для получения информации о температуре и цифровом виде требуется наличие дополнительного преобразователя тока в цифровой код, что приводит к существенной погрешности измерения.

Целью изобретения является повышение точности измерения.

Это достигается тем, что в устройст во введен формирователь импульсов, выход которого подключен к входу блока цифрового отсчета, а.вход — к элементу компенсации, выполненному в виде терморезистора.

Термометр выполнен в виде кристала из высокоомного германий электронного типа проводимости.

На чертеже изображена схема устройства.

Устройство содержит термометр l потенциометр 2, источник напряжения 3, элемент компенсации влияния магнитного поля + выполненный в виде терморезистора, формиров(атель импульсов 5 и блок цифрового отсчета 6.

8709 76

Устройство работает следующим образом, Термометр 1, выполненный в виде кристалла из высокоомного германия 1— типа, снабженный с торцов контактами, один из которых является инжектирующим и предназначен для создания инфекции электронно-дырочной плазмы в полупроводнике термометра, помещается в магнитный зазор и к нему прикладывается электрическое напряжение определенной величины, создаваемое с помощью потенциометра.2 и источника напряжения

3, в полупроводниковом термометре 1 возникают колебания электрического тока. С нагрузочного резистора, которым является терморезистор 4, снимаются колебания напряжения, частота которых равна частоте колебаний тока в термометре 1 и зависит от измеряемой температуры. Колебания напряжения с термореэистора 4 .подаются на вход формирователя импульсов 5, с выхода которого импульсы поступают на вход блока цифрового отсчета 6.

При измерении температуры в магнитном зазоре в нем изменяется величина индукции. При этом, так как частота колебаний тока в кристалле 1 зависит от величины магнитной индукции и величины приложенного к нему напряжения, изменяется частота колебаний напряжения на терморезисторе 4.

Частота колебаний тока в кристалле

1 увеличивается при увеличении величины магнитной индукции и при увеличении приложенного к нему напряжения. Для компенсации влияния изменения величины индукции при изменении температуры последовательно с термометром 1 включен терморезистор 4. Терморезистор 4 помещен в магнитный зазор, где измеряется температура, поэтому одновременно с изменением величины индукции при изменении температуры изменяется величина сопротивления терморезистора

Изменение величины сопротивления терморезистора 4 приводит к изменению напряжения, приложенного к кристаллу 1

Так как терморезистор 1 выполнен так, что его сопротивление уменьшается, если уменьшается величина магнитной индукции при изменении температуры и наоборот, величина напряжения на кристалле 1 увеличивается в то время, как величина магнитной индукции уменьшается и наоборот. При этом, так как

10 частота колебаний тока в кристалле 1 уменьшается при уменьшении величины магнитной индукции, а при увеличении приложенного к нему напряжения частота увеличивается, достигается компенсация влияний изменения величины магнитной индукции.

Формула изобретения

1. Устроиство для измерения температуры, преимущественно в магнитных полях, содержащее полупроводниковый термометр, соединенный последовательно с элементом компенсации влияния магнитного поля, потенциометром, источником напряжения, и блок цифрового отсчета, о тли ч ающе е с я тем, что, с целью повышения точности измерения, в устройство введен формирователь импульсов, выход которого подключен к входу блока цифрового отсчета, а входк элементу компенсации, выполненному в виде терморезистора.

2. Устройство для измерения температуры по п.1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что термометр выполнен в виде кристалла из высокоомного германия электронного типа проводимости.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Шефтель И. Т. Термореэисторы, M., "Наука", 1973, с. 363.

4> 2. Авторское свидетельство СССР !! 359542, кл G 01 К 7/16 01 ° 03 71 (прототип).

8709 76

Составитель А. Тереков

;.. вп иа2 "- Заказ 8422/12 Тираж 910 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-35 Ра ская наб . 4 5 л л ХШ

Филиал ППП",Патент", г. ужгород, ул. Проектная, 4