Устройство для моделирования задач теории поля

 

Союз Советснии

Социапнстнчеснни республик

ОПИСАНИ

ИЗЬБРЕТЕН И

К АВТОРСКОМУ СВИДЕ ТЕЛЬ С ц881778 (61) Дополнительное к авт. саид-ву(22) Заявлено 28 ° 01 . .80 (21) 2876288/18 с присоединением заявки М(23) Приоритет

Опубликовано 15. 11. 81 ° Ьитллетень

Дата опубликования описания 15 . 1 (5l)M. Кл. а 06 С 7/48

Ркударетееииый комитет

СССР па делам изобретеиий и открытий

53) УД К681. 333 (088.8) (72) Автор изобретения

К. А. Гендрих (7l) Заявитель (54) УСТРОЙСТ80 ДЛЯ ИОДЕЛИРО8АНИЯ ЗАДАЧ

ТЕОРИИ ПОЛЯ

Изобретение относится к исследованию физических полей методом электролитической ванны, а именно к моделированию многослойных сред.

Известно устройство, содержащее че- тыре электролитических ванны с контактами, расположенными на внутренней поверхности этих ванн L13.

Однако известное устройство не то позволяет моделировать поля в многослойных средах.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является устрой-1 ство, содержащее четыре электролитических ванны, каждая иэ которых содержит контакты, расположенные на внутренней поверхности этих ванн С2С.

Известное устройство не позволяет моделировать поля в многослойных средах.

Цель изобретения - расширение класса решаемых задач.

Укаэанная цель достигается тем, что в устройство, содержащее четыре: электролитических ванны, на внутренних диэлектрических поверхностях которых установлены группы контактов, введены четыре диэлектрических листа, которые погружены по одному в соответствующую ванну, с возможностью перемещения каждого диэлектричес" кого листа от одной боковой стенки ванны к другой, на каждом из диэлект" рических листов установлена соответствующая группа контактов, причем пер" вая группа контактов подключена к группе входов устройства, группа контактов, установленная на внутренней диэлектрической поверхности i îé (где i = 1-3) электролитической ванны, подключена соответственно к группе контактов, установленных íà (i+1) диэлектрическом листе, группа контактов, установленная на внутренней диэлектрической поверхности четвертой электролитической ванны, подклю881778 чена к группе выходов устройства.

На чертеже изображена схема уст" ройства для моделирования задач теории поля, 5

Устройство содержит электролитические ванны 1 - 4 на боковой диэлектрической стенке которых с внутренней стороны укреплены 2 группы контактов

5 - 8. В ваннах налит электролит с !О электропроводностью у„, у-, у",у,, пропорциональный электропроводности моделируемых четырех сред. В варны вертикально опущены диэлектрические листы 9 - !2 с укрепленными на них 15 группами контактов 13 " 16. Диэлектрические листы 9 - 12 укреплены с возможностью перестановки их на расстояния от боковых стенок ванн, пропорционально толщинам моделируемых слоев среды h „, 2 и 3 1 4 Группа контактов 5 ванны 1 соединена при по" мощи проводников с группой контактов

14 диэлектрического листа 10, а группа контактов 6 ванны 2 - с группой 25 контактов 15 диэлектрического листа

11 и т.д. последовательно подключены и моделируемых слоев среды.

Устройство работает следующим образом. 30

К группе входов устройства подводятся потенциалы. С группы выходов потенциалы снимаются. Все устройство в целом эквивалентно многослоинои среде с различной проводимостью.Дл изменения толщины моделируемого слоя диэлектрические листы 9 - 12 лишь переставляются, не нарушая герметичности ванн в целом.

Устройство очень удобно в эксплуа" тации, и! ичем существенно расширяется класс решаемых задач за счет моделирования поля в многослойных средах с различной электропроводностью и толщиной слоев.

Формула изобретения

Устроиство для моделирования задач теории поля, содержащее четыре электролитических ванны, на внутренних диэлектрических поверхностях которых установлены группы контактов, о т л ичающее с я тем, что, с целью расширения класса решаемых задач, в него введены четыре диэлектрических листа, которые погружены по одному в соответствующую ванну с возможностью перемещения каждого диэлектрического листа от одной боковой стенки ванны к другой, на каждом из диэлектрических листов установлена соответствующая группа контактов, причем первая группа контактов подключена к группе входов устройства, группа контактов, установленная на внутренней диэлектрической поверхности i-ой (i = 1-3) электролитической ванны, подключена соответственно к группе контактов, установленных на (1 + 1) диэлектрическом листе, группа контактов, установленная на внутренней диэлектрической поверхности четвертой электролитической ванны, подключена к группе выходов устройства.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

У 561971, кл, G 06 G 7/48, 1977.

2. Авторское свидетельство СССР

Л"458000,кл.. G 06 G 7/48, 1975 (прототип) .

Составитель В. Рыбин

Техред И.Гайду

Корректор У Пономаренко

Редактор Н, Ромжа

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проект ктная 4

Заказ 9976/75 Тираж 748

ВНИИПИ Государственного комитета ССС

СССР

П о делам изобретений и открытий

4/5

113035, Москва, 8-35, Рау ска Hàt. д. /5

Устройство для моделирования задач теории поля Устройство для моделирования задач теории поля Устройство для моделирования задач теории поля 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике и может быть использовано для ранговой идентификации входных сигналов

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике и может быть использовано для моделирования опытных и промышленных установок при производстве лимонной кислоты

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для аналогового физико-математического моделирования линейных, нелинейных и нелинейно-параметрических электрических машин

Изобретение относится к автоматике и аналоговой вычислительной технике и может быть использовано для построения аналоговых вычислительных систем

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в аналоговых вычислительных машинах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в аналоговых вычислительных машинах

Изобретение относится к области автоматики и аналоговой вычислительной техники и может быть использовано, например, для построения функциональных узлов аналоговых вычислительных машин, средств регулирования и управления

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в аналоговых вычислительных устройствах

Изобретение относится к области вычислительной техники и может найти применение при проектировании сложных систем

Изобретение относится к области вычислительной техники и может найти применение в сложных системах при выборе оптимальных решений из ряда возможных вариантов
Наверх