Способ разбраковки ферритовых пластин памяти

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ к двтоаскомь свидвильствю 1885943 (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 2801.80 (2I ) 2874995/18-21 с присоелинением заявки М (23) Приоритет(51)M. Кл.

G 01 R 33/12

Государственный квинтет

СССР по делан нзабретеннй н открытнй

Опубликовано 3011 81., Бюллетень яь 44

Дата опубликования описания 3Ю11.81 (53) УДК 621.317.44 (088, 8) F -И, 3. Ара сланов (72) Автор нзобретейня (7I) Заявитель (54 ) СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН

ПАМЯТИ

Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для разбраковки ферритовых пластин памя ти на начальной стадии изготовления до сверления отверстий.

Известен способ раэбраковки ферритовых пластин .памяти, основанный на прошивке отверстий пластин памяти зондами с последующим измерением импульсных параметров 1).

Недостатком этого спосооа является отсутствие возможности раэбраков« ки заготовок ферритовых пластин памяти.

Известен способ раэбраковки плас" тин памяти, включающий определение величины сопротивления пластины памяти между ее боковыми поверхностями с последующим сравнением измеренного значения с сопротивлением эталонной пластины памяти (2).

Известный способ не обеспечивает достаточно высокого качества разбраковки, так как не учитывает неоднородность в обьеме материала ферритовой пластины памяти, что снижает точность разбраковки.

Цель изобретения - повышение точности разбраковки.

Поставленная цель достигается тем, что в способе раэбраковки ферритовых пластин памяти, включающем определе- . ние величины сопротивления пластины, 1Î последовательно определяют величину сопротивления между вершинами, расположенными на первой диагонали верх. ней плоскости и на второй диагонали нижней плоскости пластины, а также между вершинами, расположенными на второй диагонали верхней плос кости и на первой диагонали нижней плоскости пластины, при этом о качестве пластины судят по величине разности полученных значений сопротивлений между вершинами каждых двух смежных торцов пластины.

На чертеже приведена принципиальная схема устройства.

885943

Устройство содержит измерительные зонды 1, 2 и 3, подключаемые поочередно к вершинам 4-11 пластины 12.

Измерительные. зонды 1-3 включень! в мостовую цепь (плечами которой являются резисторы 13"14} с источником .15 питания, В диагональ моста включен индикатор 1б, а параллельно одному из резисторов 13 или 14 подключен вольтметр 17.

Способ осуществляется следующим образом.

Измерительные зонды 1-2 подключают к вершинам 9-11, расположенным на второй диагонали нижней плоскости пластины 12. Измерительный зонд 3 подключают поочередно к вершинам 4,б,расположенным на первой диагонали верхней плоскости пластины 12, Для каждого подключения определяют индикатором 16 напряжение разбаланса, а вольтметром 17 падение напряжения на одном из резисторов 13-14. Затем подключают зонды 1"2 к вершинам 8-10, лежащим на первой диагонали нижней плоскости пластины 12, а зонд 3поочередно к вершинам 5-7, лежащим на второй диагонали верхней плоскости пластины 12, и повторяют измерения. Качество пластины 12 оценивают по величине падения напряжения на одном из резисторов 13-14 и по напряжению разбаланса моста.

Данный способ разбраковки ферритовых пластин памяти позволил про" водить разбраковку пластин памяти до сверления отверстий, выявить брак по пластинам памяти непосредственно после шлифовки и обрезки пластин s размер, а также брак по пластинам памяти после сверления отверстий, что позволяет снизить расходы на последующие технологические процессы изготовления ферритовых пластин памяти, Достигаемый за счет этого экономический эффект при внедрении изобрете-ния ориентировочно составит не менее

40 тыс. руб. Изобретение может быть использовано для оценки качества фер10 ритовых элементов различной конфигурации.

Формула изобретения

Способ разбраковки ферритовых пластин памяти, включающий определение величины сопротивления пластины, отличающийся тем, что, ур с целью повышения точности, после" довательно определяют величину сопротивления между вершинами, расположенными на первой диагонали верхней плоскости и на второй диагонали ниж2 неи плоскости пластины, а также между вершинами, расположенными на второй диагонали верхней плоскости и на первой диагонали нижней плоскости пластины, при этом о качестве пластиЗО ны судят по величине разности полученных значений сопротивлений между вершинами каждых двух смежных тор" цов пластины

Источники информации, И принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

N 457948, кл. G 01 R 33/12, 1973.

2. Авторское свидетельство СССР

N 335633, кл. G 01 R 33/12, 1970.

885943

Составитель 8. Новожилов

Техред И.Рейвес: Корректор Г.Решетник

Редактор И.Тыкей филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4.Заказ 10537/67 Тираж 735 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 3-35, Раушская наб., д.9/5