Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках
Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .
Похожие патенты:
Емкостный первичный преобразователь // 881597
Емкостной датчик влажности // 873096
Емкостный датчик // 868524
Способ определения зольности угля // 868523
Устройство с кондуктометрическим датчиком // 2100802
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в устройствах контроля состава веществ, их идентификации, а также определения наличия в них примесей с аномальной электрической проводимостью