Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках

 

Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в устройствах контроля состава веществ, их идентификации, а также определения наличия в них примесей с аномальной электрической проводимостью
Наверх