Способ определения местоположения дефектов в изделиях

 

Союз Советскии

Социалистическии

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 12.06.79 (21) 2778248/25-28 с присоединением заявки №вЂ” (51) M. Кл.

G 01 N 29/04

СССР

Опубликовано 30.12.81. Бюллетень № 48

Дата опубликования описания 30.12.81 (53) УДК 620.179..16 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Автор изобретения

А. А. Шейкин

r 1 . i "., j.,..„:

Научно-исследовательский и проектно- - -„ технологический институт электрокерамических зделй4 " "- (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ

ДЕФЕКТОВ В ИЗДЕЛИЯХ

Гоо1даротеенимй комитет (23) П риоритет—

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в ультразвуковой дефектоскопии для определения местоположения приповерхностных дефектов в изделиях со сложным профилем поверхности.

Известен способ определения местоположения дефектов в изделиях эхо-методом, заключающийся в том, что в контролируемом изделии возбуждают импульсы ультразвуковой волны, принимают эхо-сигналы от дефекта, последовательно изменяют граничные условия в различных точках по поверхности изделия, регистрируют минимум этого сигнала и по нему определяют направление на дефект.

Этот способ может быть использован для любого типа волн и определения местоположения дефектов на различной глубине изделия с учетом отрезков времени между зондирующим и эхо-сигналами. Контроль по этому способу ведут отраженным лучом, что определяется наличием отражающих поверхностей (1) .

Недостатком этого способа является невозможность определения местоположения приповерхностных дефектов в изделиях со сложным профилем, обусловленным отсутствием отраженного от поверхности сигнала.

Цель изобретения — обеспечение возможности контроля приповерхностных дефектов в изделиях со сложным профилем поверх5 ности.

Эта цель достигается за счет того, что возбуждают поверхностные ультразвуковые волны, изменение граничных условий осутО ществляют демпфером поверхностных волн, а местоположение дефекта определяют по положению демпфера на поверхности изделия в момент увеличения амплитуды эхосигнала, отраженного от дефекта.

На фиг. 1 представлена схема контроля данным способом, соответственно, в начале контроля; на фиг. 2 — то же, при перемещении демпфера; на фиг. 3 — то же, в случае обнаружения дефекта.

20 Схема содержит преобразователь 1 поверхностных волн, поверхностный дефект 2, расположенный в контролируемом изделии

3, демпфер 4 поверхностных волн.

894555

Формула изобретения фиг. сРиг.3

Составитель Т. Головкина

Редактор Н. Гри ш ано в а Техред А. Бойкас Корректор Г. Огар

Заказ 11476/71 Тираж 910 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ заключается в следующем.

На контролируемое изделие устанавливают преобразователь 1 поверхностных волн.

Возбуждают импульсы этих волн в контролируемом изделии 3 и принимают эхо-сигналы в случае наличия поверхностного дефекта 2. Перед преобразователем 1 располагают демпфер 4 поверхностных волн заданного размера, например порядка длины волны, и перемещают его поперек направления распространения волны до тех пор, пока не произойдет уменьшение величины сигнала отраженного от дефекта. Минимум этого сигнала будет соответствовать расположению демпфера на линии преобразователь — дефект. Затем демпфер перемещают по этой линии от преобразователя к дефекту. О местоположении дефекта судят по положению демпфера в момент увеличения сигнала. В случае наличия сигналов от нескольких дефектов, направления на них и их местоположения определяют последовательно, одно за другим.

Использование этого способа позволяет определить приповерхностные дефекты в изделиях со сложным профилем поверхности при высокой точности и низкой трудоемкости.

Способ определения местоположения дефектов в изделиях эхо-методом, заключающийся в том, что в контролируемом изделии возбуждают импульсы ультразвуковой волны, принимают эхо-сигналы от дефекта, последовательно изменяют граничные условия в различных точках на поверхности

1О изделия, регистрируют минимум этого сиг нала и по нему определяют направление на дефект, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности контроля приповерхностных дефектов в изделиях со сложным профилем поверхности, возбуждают поверхностные ультразвуковые волны, изменение граничных условий осуществляют демпфером поверхностных волн, а местоположение дефекта определяют по положению демпфера на поверхности изделия в момент увеличения амплитуды эхо-сигнала, отраженного

20 от дефекта.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР по заявке № 2726768/25 — 28, кл. G 01 N 29/04, 16.02.79 (прототип) .