Сегнетоэлектрический керамический материал
Союз Советскик
Соцналнстнческнк
Республик
ОПИСЛНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ пп897757 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 130380 (21) 2919069Л9-33 (51)М. Кл.
С 04 В 39 00 с присоединением заявки №
Йаударстееииый комитет
СССР (23) Приоритет—
Опубликовано 1501.82 . Бюллетень № 2
Дата опубликования описания 150132 да делам изобретений и открытий (53) Уд К 666. 655 (088. 8) (72) Авторь1 изобретения
С. И. Урбанович и Л. Г. Никифоров
Э(:й .
Рыбинский авиационный технологический и (7l) Заявитель (94) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ
МАТЕРИАЛ
Изобретение относится к керамике и может быть использовано в радиоэлектронике, преимущественно для изготовления конденсаторов.
Известны сегнетоэлектрические материалы на основе ниобата свинца (1 ).
Недостатком указанных материалов являются относительно высокие температуры обжига.
Наиболее близок к предложенному сегнетоэлектрический керамический материал 1 2), содержащий, мас.1:
РЬО 68 33
Z12.О 1,14 4 п 30,52
Этот материал имеет кристалличе скую структуру типа пирохлора и сле дующие электрофизические характеристики:
Температура Кюри, С+80
Величина диэлектрической прЬницемости при комнатной температуре 200
Недостатками указанного материала являются относительно высокая температура спекания — до 1t>r0 С, низкое значение диэлектрической проницаемости, невысокое значение температуры Кюри.
Цель изобретения - снижение температуры спекания и повышение диэлектрической проницаемости и точки
Кюри. 10
Поставленная цель достигается тем, что известный сегнетоэлектри" ческий керамический материал, содержащий РЬО, Nbg0 g " L tg О, дополнительно содержит Zr0 при следующем соотношении компонентов, мас.4:
Pd0 67,0 - 69,0
Li20 1,0 - 2,0
Zr0g. 0,1 - 0,5
Nb20 Остальное
В табл 1 представлены примеры сегнетоэлектрического керамического материала.
897757
Nb2 O5- гго
Li 0
Смесь, PbO
30,43
68,33
0,1
1,14
68,33
0,3
30,23
68,33
67,00
69,00
0,5
30,03
0,5
30 «50
2,00
0,1
29 «90
1,00
Т а бл и ц а 2
Величина диэлектрической проницаемости при 20оС
Температура
Удельное сопротивление, Ом- см
Тангенс у гла диэлектрических потерь
Кюри, С
Смесь, 14«
3,8. 10
400
540
4 0.109
3,6. 10
3,7 l0
560
392
380
510
430
4,1. 10
375
520
Формул а и зобрет ения
В качестве исходных реактивов используют: PbCOg марки "ч", ИЬ О— экстракционная и ионообменная.
Все исходные смеси приготавливают смешиванием в течение 1 ч в фарфоровой ступке со спиртом. Первый обжиг проводят при 800 С (в муфельной печи с выдержкой в течение 2 ч при этой температуре. Второй обжиг - в аппарате высокого давления по обычной методике: доведение давления до значения 40 - 80 кбар, включение нагреСегнетоэлектри ческий керамический материал, содержащий РЬО, Nb>o< и
Li@0 отли чающий ся тем, что, с целью снижения температуры вателя и нагрев образца до 800 С, вы держка в течение 5 мин при этой температуре, отключение нагревателя и быстрое снижение давления.
Полученные таким образом образцы имеют достаточно правильную форму диска и пригодны для проведения исследований их диэлектрических свойств.
В табл 2 представлены характери1о стики электрофизических свойств сегнетоэлектрического керамического материала.
Таблица 1
3,4. 10
3 1. 10
3,8. 10
0 3
3,6. 10 спекания, повышения диэлектрической проницаемости и точки Кюри он допол55 нительно содержит 2гД при следующем соотношении компонентов, мас.4:
PbO 67,0 - 69,0
Li@O 1,0 — 2,0
897757
Составитель H. Фельдман
Редактор Л. Веселовская Техред Т. Иаточка Корректор И. Шароши
Заказ 11858/32 Тираж 639 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4!5
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
2г0.2 0,1 - 0,5
"bQ.05 Остальное
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе б
1. Патент США ¹
252-62.9 1956.
2. Канышев А. Г. и др. КристаллограФия. T. 21, вып. 4, 1976, с. 838.
