Балансный модулятор

 

O ll И (: A H k E „,,898586

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

4Г

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву-(22) Заявлено 25.10.79 (21) 283! 001/18-09 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет—

Опубликовано 15.01.82. Бюллетень Л 2 (51) М ),.„з

Н 03 С! 54

Государственный коилтет (53 ) УД K б2 1. 376. .2 (088.8) ло делам изобретений и открытий

Дата опубликования описания 15.01.82 (72) Ав о1 ы и пор» сиия

Г. E. Мовкаленко, A. А. Рупышев, Т. И. Соколова и А. Г. Левкин

71 l . ая ли i »ль (54) БАЛАНСНЫИ МОДУЛЯТОР

Изобретение относится к модуляторам и может использоваться в радиоприемных устройствах для восстановления несущей частоты и в радиопередающих устройствах для получения модулированных сигналов при широкополосных модулирующих сигналах.

Известен балапсный модулятор, содержащий четыре транзистора одного типа проводимости, эмиттеры первого и второго транзисторов через частотно-зависимое звено отрицательной обратной связи соединены с эмиттерами третьего и четвертого транзисторов, базы первого и червертого, второго и третьего транзисторов соединены соответственно с выходами первого и второго входных согласующих узлов, коллекторы второго и третьего транзисторов соединены с входами выходного согласующего узла, а коллекторы первого и четвертого транзисторов соединены между собой 11).

Однако известный балансный модулятор имеет невысокую помехоустойчивость по

ol ношению к спектральным составляющим и:ирокополосного модулирующего сигнала.

Целью изобретения является повышение помехоустойчивости по отношению к спектральным составляющим широкополосного модулирующего сигнала.

Для этого в балаHсном MoëóëÿToðå, содержащем четыре транзистора одного тина проводимости, эмиттеры первого и второго транзисторов через частото-зависимое звено отрицательной обратной связи соединены с эмиттерами третьего и четвертого транзисторов, базы первого и четвертого, второго и третьего транзисторов соединены соответственно с выходами первого и второго входных согласующих узлов, коллекторы второго и третьего транзисторов соединены с входами выходного согласующего узла, а коллекторы первого и четвертого транзисторов соединены между собой, между точкой соединения коллекторов первого и четвертого транзисторов и шиной питания выходного согласующего узла включено дополнительное частото-зависимое звено отрицательной обратной связи.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного модулятораа.

Балансный модулятор содержит четыре транзистора 1 — 4 одного типа проводимости. частото-зависимое звено 5 отрицательной об8()8586

pcITII(>I! «>ьч>1 j>JJ,,!ji 6 и BT(>j>oH 7 входные

«о1,13(> I»IJJIJ! 11ы, выходной согласующий уз(л " li .1(>i .1>1ительное частото-зависимое зн(ll(.1 >>р |ательной обратной связи.

1» л;>1«1>яй модулятор работает следуюIlJilil И>Р,130i (,li1н3л, по,L«tåæ3ùHé модуляции (демо.г.линии) через второй входной согласуlOlllllH узел подается на оазы второго 2 и гретьего 3 транзисторов в противофазе. Низкочас готный широкополосный модулирующий сигнал подается через первый входной согласующий узел 6 на базы первого и ч(гвертого 4 транзисторов также в противофазе, что обеспечивает поочередное включение второго и третьего транзисторов. Включе:(ное в высокоомную цепь коллекторов вт(рог(и третьего транзисторов дополниг«льпо«частото-зависимое звено 9 отрицат«льной обратной связи (например парал,ц лшъ>и колебательный контур), настроен11(>(. 113 ВЫСОКУIО НЕС>> ЩУЮ l3CTOTV, СОЗД|IЕT

>а к«н мал ьную отрицательную обратну>о

«нязь для составляющих спектра низкоча«т.> J FIOJ <> широкополосного сигнала модуляilllH на частоте настройки звена. При этом уменьшается коэффициент передачи второI (> и третьего транзисторов в полосе пропуск311ия звена, и н3 выходе балансного моду, ятора падает величина составляющих

«пектра модулируюгцего сигнала, совпадаюilJ,их с несущей частотой, и, следовательно, IJ(>FJышается помехоустойчивость устройства

lio отношению к этим составляющим спектра.

Работа устройства в качестве демодуляг;>ра аналогична. При этом на лорой входной согласук>ший узел 7 пост пает фазомаJiHJJi 7ktpoB3tItIt высокочастотныЙ сигkt3.J, li3 Ftcp J>I входноЙ согласу юши и уз«.7 6 поступает сигнал манипуляции, совпадаюгцнй с сигналом манипуляции входного фазоманипулированногo колебания. При этом в выходном согласующем узле 8 происходит выделение незатухающего колебания (восстановление несущей частоты).

Частото-зависимое звено 5 отрицательной обратной связи включено в эмиттерные всех четь>рех транзисторов.

Структура частото-зависимого звена отрицательной обратной связи 5 выорана так, что оно имеет минимальное сопротивление на частоте выходного сигна 73 и обеспечивает тем самым минимальную обратную связь для высокочастотного выходного сигнала во втором и третьем транзисторах, т, е. максимальный коэффициент передачи выходного высокочастотного сигнала. Это же частото-зависимое звено 5 позволяет также частично ослабить составляющие спектра широкополосного сигнала манипуляции, совпадающие с частотой выходного высокочастотного сигнала за счет шунтировачия этим частото-зависимым звеном 5 выходного сопротивления транзисторов 1 и 4. Но поскольку выходное сопротивление транзисторов 1 и 4, включенных по схеме с общим коллектором, мало, то эффективность подавления спектральных составляюших спектра широкополосного сигнала манипуляции на частоте выходного сигнала часто недостаточна.

1о Для увеличения подавления составляющих спектра сигнала манипуляции на выходной высокой частоте в балансный модулятор введено дополнительное частото-зав>1«1(мое звено 9 отрицательной обратной связи, структура которого выбрана так, что

oIIo пм«ет максимальное сопротивление на частоте выходного высокочастотного сигнала и .оздает максимальную отрицательную обратную связь по цеш. коллектора, снижая, т3hllit образом, коэффициент передачи тран31>«торов и 4 для соответствую(цпх состав.1>1ЮЦ!ИХ СПЕКТРа1.

В предложенном балансном модуляторе нов IJIJ(113 помехоустойчивость по отношеннк> к cIIEêòj>3«tüklûxt составляющим широкополос>гого модулирующего сигнала.

Фор.>(ула изоо/>с;-ения

1>ала ясный мод> I HTop, соде рж» JJ. Ill ч« д тырс транзистора одного типа пр >в >.111мо«ти, эмиттеры первого и втopolo тра 13:IcToров через частото-зависимое звено о; ипательной обратной связи соеди;1 kllloH 3 i, рами третьего и четвертого транзи«7 (>p(>I базы первого и четвертого, второго I:: ";>«т; з5 го транзисторов соединены соответ«7 ве>.:;,. с выходами первого и второго Вхо.тных c(>l ласующих узлов, коллекторы «тop.> o третьего транзисторов соединены с вх(>дам« выходного согласующего узла, а колл кт(ры

40 первого и четвертого транзисторов со«ди>1«ны между собой, отличающийся тем, что, « целью повышения помехоустойчивости по отношению к спектральным составляюшиxt широкополосного модулирующего сигнала, между точкой соединения коллекторов пер4Ь вого и четвертого транзисторов и шиной питания выходного согласующего узла включено дополнительное частото-зависимое звено отрицательной обратной связи.

Источники информации, принятые во вн)(мание при экспертизе

1. Заявка ФРГ № 2536386, кл. Н 03 С 1/36, опублик. 1977.

898586

9t /x

Редактор М. Петрова

Заказ 11967/73

Составитезь Г Чечей

Техред A. Боикас Корректор А. Гриценко

Тираж 953 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 13035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент>, г. Ужгород, ул. Проектная, 4