Кассета для химической обработки,преимущественно подложек микросхем

Авторы патента:

H01L21/77 - изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. синд-ву (22) Заявлено 26.11"79(21) 2847129/18-21

Союз Советскнк

Соцналнстнческни

Рвснублнк (ii)902111 (sl)N. Кя .

Н 01 f 23./70 с присоединением заявки М (23 ) Приоритет (ввударетваиинй кемитвт

CCCP

Io двмм иэавретвиий в вткрнтив (Ю Л,ЦВ21.382 (088.8) Оиублнковано 30.01.82. бюллетень М 4

Дата онублнкеваннв овнсання 02.02.82 (72) Автор изобретения

Б. H. Фатюннн (1! ) Заявитель (54) КАССЕТА ДЛЯ ХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ

ПРЕИМУШЕСТВЕННО ПОДЛОЖЕК МИКРОСХЕМ

Изобретение относится к технологическому оборудованию электронной промышленности и может быть использовано при изготовлении микросхем и полупроводниковых приборов.

Известна кассета для групповой обработки попупроводниковых пластин, содержашая корпус с ячейками для пластин в виде прямоугольных пазов, ширина которых равна или несколько больше топшины обрабатываемых пластин. Каждая ячейка образована парой пазов, расположенных нод углом друг к другу в поперечном сечении (1).

В данной кассете обрабатываемые пластины, йапример подложки, своими плоскостями соприкасаются со стенками пазов, что снижает качество обработки., Нанбопее близкой к предлагаемой является кассета для химической обработки подложек микросхем, содержашая корпус с-гнездами, выполненными в виде фигурных пазов, н установленные между ними перегородки (2 ).

В известной кассете обрабатываемые подложки также не достигают нужной очистки. Кроме того, не могут обрабатываться подпожкн разного размера, Цель изобретения - повышение качества обработки и расширение функциональных возможностей кассеты;

Поставленная цель достигается тем, что в кассете дпя химической обработки преимушественно подложек микросхем, содержашей корпус с гнездами, выполненными в виде фигурных пазов, и установленные между ними перегородки, расстояние между нерегородками равно ширине паза гнезда, который выполнен треугольной формы, и равно 10 вЂ” 40 топшинам подложек микросхем, а глубина каждого паза гнезда равна 1/4- 1/3 его ширины, при этом в перегородках вьшоп« иены отверстия для прохождения рабочего раствора.

На фиг. 1 изображена кассета, поперечное сечение; на фиг. 2 вЂ” то же, продольное сечение.

9O2lll тельные движения, обеспечивающие интенсивное перемешиваиие и взаимодействие реактива с их плоскостями, а слецова тельно, равномерную обработку этих плоскостей.

Предлагаемоя кассета позволяет производить химическую обработку подложек различных размеров и формы равномерно по всей плошади их плоскостей, а также качественную обработку в одном цикле как однотипнык по форме и размерам, так и разнотипных подложек.

Кассета для химической обработки преимущественно подложек микросхем, содержащая корпус с гнездами, выполненными в виде фигурных пазов, и установленные между ними перегородки, о т л ич а ю ш а я с я тем, что, с целью повышения качества о6работки и расширения функциональных возможностей кассеты, расстояние между перегородками равно ширине паза гнезда, который выполнен треугольной формы, и равно 10 вЂ” 40 толшинам подложек микросхем, а глубина каждого паза гнезда равна 1/4 - l/3 его ширины, при атом в перегородках выполнены отверстия для прохождения рабочего раствора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

l. Авторское свидетельство СССР

Ж 203788, кл. Н 01 Ь 21/OO, 1966.

2. Патент ФРГ Хю 1915714, кл. Н 01 Ь 21/306, 1975.

Кассета для химической обработки содержит корпус 1 с ячейками 2 для размещения подложек, которые могут иметь круглую форму 3 и 4 и прямоуголь ную5 и6. 3

Гнезда 2 образованы пазами 7 треугольной формы, выполненными на стенках корпуса 1, расположенных под углом друг к другу в поперечном сечении, и перегородками 8, расположенными между парами 7. В перегородках 8 сделаны отверстия 9 для свободного прохождения реактива и циркуляции его при перемешивании.

Расстояние между перегородками 8 5 Ф о р м у л а и э о б р е т е н и я равно ширине паза 7 и составляет 1049 толшин обрабатываемых подложек, а глубина паза выбрана равной l/4-1/3 его ширины.

В каждое гнездо 2 кассеты заклады-, й© вается по одной пластине. Кассету можно заряжать подложками .3 вЂ” 6 и другими как одинаковыми по форме и размера ми, так и разными. При установке подлож ки, например 3, в гнездо 2 в начальный момент она может касаться своей плоскостью перегородки 8. При дальнейшем погружении пластины в гнездо nag действием своего веса нижняя часть ее происходит в соприкосновение с наклонными стенками nasa 7 гнезда 2 и соскальзывает во впадину паза 7. При .этом плос» кости пластины и перегородки расходятся, образуя угол между ними, достаточный для прохождения реактива. При возврат ю-зз поступательном движении кассеты подлаккам 3 под действием can инерции и сопротивления жидкости сообщаются колеба

Кассета для химической обработки,преимущественно подложек микросхем

Устройство для контроля подложки микросхемы,преимущественно при анодировании в ванне с электролитом // 871260

Устройство для съема крышек спутников-носителей, преимущественно в установках для сборки микросхем // 871259

Устройство для демонтажа интегральных схем с печатной платы // 868892

Тара-спутник // 862271

Способ укладки в кассету и поштучной выгрузки из нее прямоугольных подложек,преимущественно микросхем,и кассета для осуществления способа // 856061

Кассета для микросхем // 851554

Устройство для сортировки микросхемпо электрическим параметрам // 828268

Изобретение относится к произ- •водству изделий электронной техникии может^быть использовано для сортировки микросхем в плоских корпусах с двухрядным симметричным расположением выводов по электри.ческим параметрам

Кассета // 809436

Кассета // 801146

Способ изготовления тонкопленочных многоуровневых плат для многокристальных модулей, гибридных интегральных схем и микросборок // 2459314

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления микросистемы контроля трех компонент вектора магнитной индукции // 2470410

Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники и может быть использовано в производстве гибридных микросистем анализа слабого магнитного поля

Кассета для интегральных схем // 1008823

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона // 2537695

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона многоцелевого назначения. Технический результат - улучшение электрических характеристик за счет улучшения теплоотвода, повышение технологичности при сохранении массогабаритных характеристик. Достигается тем, что способом изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона изготовливают отдельные диэлектрические слои заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки, по меньшей мере, с одним сквозным отверстием, наносят заданное металлизационное покрытие топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и экранную заземляющую металлизацию на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки. Формируют заданную последовательность многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в многослойной диэлектрической подложке, далее спекание и отжиг, распологают и закрепляют многослойную диэлектрическую подложку экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящем основании, распологают и закрепляют в каждом сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки активный тепловыделяющий компонент, с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, соединяют электрически контактные площадки активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия многослойной диэлектрической подложки. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Способ изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании // 2597210

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов. Достигается тем, что в способе изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании перед установкой бескорпусных кристаллов и чип-компонентов соединяют круглую пластину по внешней ее части с опорным металлическим кольцом, наносят тонкий слой кремнийорганического полимера. Устанавливают бескорпусные кристаллы чип-компоненты, ориентируясь на ранее сформированный топологический рисунок, герметизируют кремнийорганическим полимером, достигая толщины полимера равной высоте кольца. Удаляют основание - круглую металлическую пластину, закрепляют дополнительную круглую металлическую пластину с обратной стороны микроэлектронного узла. Проводят коммутацию методом вакуумного напыления металлов или фотолитографией. Наносят слой диэлектрика, второй слой металлизации, защитный слой кремнийорганического полимера. Наносят паяльную пасту на выходные площадки микроэлектронного узла, удаляют дополнительную круглую металлическую пластину с кольцом - проводят вырезку микроэлектронного узла из технологической оснастки. 1 ил.

Способ формирования межслойных переходов в многослойной металлокерамической плате // 2610302

Изобретение относится к производству радиоэлектронной аппаратуры. Технический результат - повышение надежности металлокерамических плат (МКП) в области межслойных переходов, уменьшение размеров последних и повышение плотности их размещения в МКП - достигается заполнением переходных отверстий путем покрытия стенок переходных отверстий слоем низковязкой металлизационной пасты с последующим заполнением отверстий с металлизированными стенками высоковязкой металлизационной пастой, благодаря чему предотвращается разрушение МКП в процессе температурной обработки. Тонкая кольцевая прослойка металлизации усаживается быстрее основной металлизации и оказывает дополнительное сжимающее действие со стороны керамики на плотно спеченный проводник цилиндрической формы, в результате чего уменьшаются структурные напряжения в керамической подложке и сохраняется целостность конструкции. Это позволяет формировать переходные отверстия близко друг к другу и тем самым увеличивать плотность размещения межслойных переходов. 3 ил.