Буферное устройство

 

1 (723 Авторы изобретения

И.А. Газарян и В.A.Ëåìåíòóåâ

1t(j лг, мз:

"f (и,к д,у д (71) Заявитель

Ордена Ленина. институт проблем управл ния -.",ggpg ry (54) БУФЕРНОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к импульсной и вычислительной технике и может быть использовано в качестве формирователя напряжения в цифровых схемах и для согласования уровней сигналов.

Известно буферное устройство, . содержащее МДП-транзисторы с индуцированным каналом И1.

Недостаток этого устройстванизкое быстродействие.

Наиболее близким к предлагаемому является буферное устройство, содерmagee ИДП-.транзисторы с индуцированным каналом и конденсатор (2) .

Недостатком этого устройства является низкое быстродействие, обусловленное большой длительностью фронтов нарастания и спада выходного сигнала.

Цель изобретения - повышение быстродействия.

Указанная цель достигается тем, что в буферное устройство., содержа2 щее первый, второй и третий МДПтранзисторы с индуцированным кана. лом и конденсатор; затвор первого

МДП-транзистора соединен с истоком второго МДП-транзистора и через конденсатор с выходной шиной, исток первого МДП-транзистора подключен к стоку третьего ИДЯ-транзистора и выходной шине, а сток первого МДПтранзистора соединен со стоком и затвором второго ИДП-транзистора и шиной источника питания, введен четвертый МДП-транзистор, сток которого соединен с шиной смещения и затвором третьего ИДП-транзистора, исток - с входной шиной и истоком третьего МДП-транзистора, а затворс выходной шиной.

На чертеже представлена принци-. пиальная электрическая схема устройства.

Устройство содержит МДП-транзис торы 1-4 с индуцированным каналом, ускоряющий конденсатор 5, выход Формула изобретения

И Заказ 12427/71

953 Подписное л ППП "Патент", ород, ул.Проектная,4

3 9 ную шину 6, шину 7 источника питания шину 8 смещения и входную шину (вход)9.

Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии к входной шине 9 прикладывается низкое напряжение логического "0". Транзистор 3 при этом открыт и на выходной шине

6 за счет соответствующего выбора геометрических размеров транзисторов

1 и 3 поддерживается низкий уровень выходного напряжения. При подаче на вход 9 высокого напряжения логической "1" транзистор 3 закрывается. Напряжение на выходной шине 6 устройства возрастает, что приводит к открыванию транзистора 4 и, сле-. довательно, к повышению напряжения на входной шине 9, к еще большему закрыванию транзистора 3.На выход. ной шине 6 устройства формируется при этом высокий уровень выходного напряжения. Транзйстор 2 работает. в режиме односторонней проводимости и повышение .напр нжения на выходной шине 6 через ускоряющий конденсатор 5 передается на затвор транзистора 1, что обеспечивает повышенную проводимость. этого транзистора при формировании фронта нарастания выходного сигнала.

Введение дополнительного транзистора 4 обеспечивает работу транзистора 3 в режиме двухсторонней про02258 4 водимости и сокращение длительности фронтов нарастания и спада выход-. ного сигнала, что увеличивает быстродействие устройства.

Буферное устройство, содержащее

lð первый, второй и третий МДП-транзисторы с индуцированным каналом и конденсатор, затвор первого МДП-тран. зистора соединен с истоком второго

МДП-транзистора и через конденсатор н с выходной шиной, исток первого

МДП-транзистора подключен к стоку третьего МДП-транзистора и выходной шине, а сток первого МДП-транзистора соединен со стоком и затвором вто2О рого МДП-транзистора и шиной источника питания, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введен четвертый МДП-транзистор, сток которого у соединен с шиной смещения и затвором третьего МДП-транзистора, истокс.входной шиной и истоком третьего

МДП-транзистора, а затвор -. с выходной шиной.

30 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР

М 296263, кл. Н 03 К 19/08, 1969.

2.Меаогу Design Handbook. 1ntel

Corp.1977, р. 3-2.