Устройство согласования
СООО3 Соввтсимх
Социалистические
Реснублми
ОПИСАНИЕ
ИЗОВЕЕтЕНИЯ
К ДетОВСКОМЮ СЕИДЕтВЛЬСтв
Дата опубликования описания 300 1.82 3Ьеударстеаивй квинтет CCCP ао делам взебретеекй и атерытнй (53) УДК621.375. .083(088.8) (72) Авторы изобретения В.И. Громов и,В.А. Смирнов (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯ Наряду с обеспечением достаточной нагрузочной способности и применением п-р-п-транзисторов, работающих в нормальном включении и позволяющих получать приемлемые коэффициенты усиления при больших пробивных напряжениях, известное устройство согласования имеет малое быстродействие. Малое быстродействие устройства согласования сопряжено с формированием и-р-и-транзисторов данных устройств за единый технологический цикл с инжекционными структурами, которые исключают процесс легирования золотом, уменьшающий время жизни нвосновных носителей, что приводит к увеЛичению времени выключения и-р-и-транзисторов из насыщенного режима. Для уменьшения времени переключения схем согласования используют резистор для протекания рассасывающего тока, шунтирующий переход база эмиттер нижнего выходного транзисто Изобретение относится к микроэлектронике и вычислительной технике и предназначено для согласования цифровых устройств с инжекционным питанием с. элементами транзисторнотранзисторной логики. Известно устройство согласования элементов с ийжекционным питанием, содержащее входной транзистор с инжекционным питанием и выходной инвертор Ы, Недостатками известного устройства являются невысокое быстродействие вследствие применения в качестве верхнего выходного транзистора медленного р-п-р-транзистора, а также малая нагрузочная способность. Известно также устройство согласования, содержащее входной транзистор с инжекционным питанием, коллектор которого подключен к базе фазорасщепляющего транзистора сложного выходного инвертора (2J. (5! )М. Кл. Н Оз К 19/О88// Н 03 К 19/091 902262 формула изобретения тора, однако этот путь ведет к снижению нагрузочной способности и увеличению потребляемой мощности. Цель изобретения - увеличение быстродействия устройства согласо- s вания. Поставленная цель достигается тем, что в устройстве согласования, содержащем входной транзистор с инжекционным питанием, первый кол- !0 лектор которого подключен к базе фазорасщепляющего транзистора сложного выходного инвертора, а второй коллектор входного транзистора подключен к эмиттеру фазорасщепляющего транзистора.. На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства. Устройство содержит генератор 1 2о тока, входной транзистор 2, резисторы 3 и 4, фазорасщепляющий транзистор 5 сложного выходного инвертора, резистор 6, транзистор 7, диод 8, транзистор 9. 2$ Устройство работает следующим образом. Если напряжение на входе устройства соответствует низкому логическому уровню (для ключа с инжекционным зв питанием не превышает 0,1-0,3), входной транзистор 2 закрыт, так как ток эквивалентного генератора тока ответвляется в предыдущее устройство. Весь ток, текущий через резис тор 3; поступает в базу фазорасщепляющего транзистора 5, открывает и насыщает его. На базе транзистора 7 поддерживается низкий уровень напряжения, недостаточный для отпирания транзистора 7. Так как входной транзистор 2 заперт, ° то весь ток, текущий через эмиттер фазорасщепляющего транзистора 5, поступает в базу транзистора 9 и вызывает форсированное его включение и насыщение. На выхрде схемы формируется низкий уровень напряжения логического "0" (напряжение насыщения О„„н транзистора 9). При подаче на вход устройства нап ряжения высокого уровня логической "1"(в этом случае предыдущий транзистор с инжекционным питанием заперт 55 и напряжение логической "1" определяется падением напряжения на насыщенном переходе база-эмиттер вход4 ного транзистора 2) входной эмиттер 2 открывается втекающим током генератора 1 и входит в режим насыщения. Низкий уровень напряжения на коллекторах входного транзистора 2 (U„ „ ) шунтирует переходы база-эмиттер фазорасщепляющего транзистора 5 и транзистора 9 и запирает их.Потенциал коллектора запертого фазорасщепляющего транзистора 5 возрастает и ток, протекающий через резистор 4, ответвляется в базу транзистора 7, что вызывает его отпирание. На выходе устройства формируется высокий уровень напряжения логической "1" (U„„-U -U ) .Причем форсированное рассасывание избыточного накопления заряда в насыщенных фазорасщепляющем транзисторе 5 и транзисторе 9 при их выключении осуществляется большими коллекторными токами насыщенного входного транзистора 2. Таким образом, введение дополнительного коллектора в транзистор с инжекционным питанием и подсоединением его к эмиттеру фазорасщепляющего транзистора и базе нижнего транзистора сложного выходного инвертора позволяет резко уменьшить время рассасывания избыточного заряда в выходных транзисторах без увеличения потребляемой мощности, а следователь но, увеличить быстродействие в целом всего устройства согласования. Использование предлагаемого устройства в выходных цепях БИС, формируемых за единый технологический цикл с инжекционными структурами, позволяет без дополнительных аппаратурных затрат осуществлять согласование внутренних инжекционных ячеек со внешними ТТЛ схемами, обеспечивающее выполнение совокупности предъявляемых требований: пробивных напряжений выше 6В, высокого быстродействия, малой потребляемой мощности и большой нагрузочной способности. Устройство согласования, содержащее входной транзистор с инжека ционным питанием, первый коллектор которого соединен с базой фазорасщепляющего транзистора сложного выходного инвертора, о т л и ч а ю902262.Составитель А. Янов РедактоР А. Иотыль ТехРед м,Тепер Корректор Г. Urap Заказ 12427/71 Тираж 953 . Подписное 8НИИПИ. Государственного комитета СССР по делам. изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4 щ е е с я тем, что, с целью увеличения быстродействия, второй коллектор входного транзистора подключен к эмиттеру фазорасщепляющего тран, зистора.. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР и 557438, кл. Н 01 L 29/70, 1976. 2. Аваев Н.А.;- Дулин B.Н и Наумов IO.Å. Большие интегральные схе% мы с инжекционным питанием. M., "Coe. радио", 1977, с. 186, рис. 5Л17 (прототип).
