Способ получения защитных рисунков с помощью негативных фоторезистов

 

засвечивают участки, не занятые рисунком, через контактный шаблон.

Пр дварительную засветку можно произ води т ь, например, че рез рабочий фотошаблон, закрыв участки с рисунком непрозрачным материалом. Затем непрозрачный материал убирают и экспонируют фоторезист через фотошаблон с рисунком. !

1учшие результаты получаются, если 16 площадь открытой поверхности фоторе.зиста при предварительном освещении составляет не менее 30 общей его поверхности.

Если по всей поверхности слоя фото-1З резиста необходимо сформировать за щитный Iv.=óíîê с высокой плотностью элементов, то искусственно создают излишек предварительно облучаемой поверхности слоя фоторезиста, за счет того, что слой фоторезиста наносят на loBBpxHocTb, большую, чем требуется для изготовления прибора. Увеличение поверхности подложки достигают применением, например, разборной подложки.

При этом рабочая подложка вкладывается в матрицу-держатель так, чтобы образовалась единая поверхность, на которую наносят слой фоторезиста. Сначала облучают тольк участки слоя фоторезиста, нанесенного на поверхность матрицы-держателя. Затем непрозрачный

MàTeðèàï убирают и производят экспониоование через фотошаблон с рисунком.

Предложенный способ реализуется

35 следующим образом.

Пример. На обезжиренную и очищенную поверхность хрома наносят слой негативного фоторезиста: из раствора 7, 5 г натурального циклизованного

40 каучука (МВ 30000, .коэффициент непредельности 48ь) и 0,225 г 2,6-ди(4 -a3apo6eH aas) -циклогексанона в

100 мл толуола и м-ксилола {3:1)(TY на фоторезист фН-11 6-14-631-71), Слой сушат при 80 С в течение 20 мин.

Толщина высушенного слоя составляет

1 мкм. На слой фоторезиста накладывают фотошаблон, а на него непрозрачный материая, который закрывает на фотошаблоне участки с высокой плотностью элементов, и экспонируют слой фоторезиста только через незакрытую непрозрачным материалом поверхность фоторезиста под лампой СВД-120А на расстоянии l5 см в течение 1 мин.

Площадь незакрытой поверхности фотошаблона составляет 303 от общей по4 ф верхности. Затем непрозрачный материал убирают и продолжают экспонирование через фотошаблон еще 30 с. После экспонирования слой обрабатывают толуолом в течение 2 мин, При этом на поверхности подложки образуется защитный рельефный рисунок. Уширение линейных размеров пробельных элементов фотошаблона составляет 0,5 мкм, что позволяет воспроизводить отдельные элементы схемы на фотошаблоне шириной до 1,0-1,5 мкм, При толщине слоя

1,0 мкм негативный фоторезист по известному способу позволяет воспроизводить отдельные элементы схемы фотошаблона размером 7-10 мкм.

Слой негативного фоторезиста толщиной 0,4 мкм (6 г циклокаучука и

0,18 r диазина в 100 мл толуола с м-крезолом), нанесенного на подложку и высушенного как в примере, экспонируют через фотошаблон, участки с высокой плотностью элементов которого закрыты непрозрачным материалом, под лампой СВД- 120А на расстоянии

15 см в течение 1,5 мин. Площадь незакрытой поверхности составляет 80> от общей поверхности фотошаблона. Затем непрозрачный материал убирают и продолжают экспонировать слой еще в течение l мин. Дальнейшие операции аналогичны примеру, Уширение линейных размеров пробельных элементов фотошаблона составляет 0,1 мкм, что позволяет воспроизводить отдельные элементы схемы шириной до 0,2-0,3 мкм.

При толщине слоя 0,4 мкм негативный фоторезист по известному способу позволяет воспроизводить отдельные элементы схемы фотошаблона размером

2-3 мкм.

Таким образам, предлагаемый способ получения защитных рисунков с помощью негативных фоторезистов позволяет повысить разрешающую способность процесса в 5- 10 раз. Это открывает возможность использования негативных фоторезистов в микроэлектронике при получении пленочных микросхем, высокоточных масок и т.п. формула изобретения

Способ получения защитных рисунков с помощью негативных фоторезистов, представляющий собой композицию каучука с очуствителем азидного типа, включающий нанесение фоторезиста, на подложку, предварительную засвет1. Авторское свидетельство СССР ° з Ю 330421, кл. С 03 F 1/72, 1972.

2. Авторское свидетельство СССР .И 566474, ка. С 03 С 5/00, 1976.

Составитель M. Иессерер

Техред А. Бабинец Корректор О. Билак

Редактор И..Товтин

Заказ 2336/51 Тираж 489 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, N-35, Рауаская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

5 92062 ку фоторезиста, экспонирование через фотошаблон с рисунком и проявление, отли чающийся тем, что, с целью повышения качества за счет увеличения разрешающей способности, после нанесения фоторезиста засвечивают участки, не занятые рисунком, -через контактный шаблон.

4 6

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе