Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

 

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено, 030780 (21) 2952202д8-24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет.

Р1 @ К з

G 11 С 5/02

Государственный комитет

СССР но делам изобретений н открытий

Опубликовано 1504„82.Бюллетень Мо ) 4

Дата опубликования описания 150482

t$3) УДЫ 681. 327.66(088.8) (72) Автор изобретения

Л.T. Лысый (71) Заявитель (54 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНМОЩИХ МАТРИЦ

HA ЦИЛИНДР 4ЧЕСКИХ ИАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть ис- . пользовано при изготовлении запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных .пленках (ЦМП) методом ткачества.

Известен способ изготовления эапоминакщих матриц на цилиндри- ческих магнитных пленках, основанный на натяжении технологических струн .на раме ткацкого станка, образовании зева между струнами, прокладывании проводника адресной о6 мотки в зев под углом к струнам, закрывании зева, последовательном формировании проводника струнами со втягиванием его свободного конца, перемещении сформованного проводника к адресным обмоткам при закрытом зеве, перемещении технОлогических струн, отделении адресных обмоток от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологи-, ческих, струн растягиванием эа противоположные концы до разрыва 313, Однако с увеличением числа струн, уменьшением их диаметра и шага между ними,. уменьшаются интервалы сближения струн с формуемым ими проводником. Это вызывает необходимость увеличения угла прокладывания провода и его,длины в зеве и приводит к деформациям сформированных полувитков адресных обмоток при перемещении их по струнам в закрытом зеве, изменению их формы и размеров, отклонению магнитных и электричеса ких пареметров (,амплитуды магнитного поля, величины выходного сигнала помех и др.). Таким образом, известный способ не обеспечивает достаточной точности размеров и качества плетения адресных обмоток матриц различных типоразмеров при их изготов15 ленни.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ изготовления матриц запоминающих

2О устройств на цилиндрических магнитных пленках, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева между ними, прокладывании числового провода в .зев под углом к струнам, сведении зева, до касания

25 струнами провода, последовательном формовании провода прокатыванием ролика по струнам под углом к проводу в направлении его свободного конца зева, перемещении cфoрмoвaнногo провода к числовым обмоткам и отлеле-, 920828 нии их or зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологи" ческих струн t2).

В результате прокатки роликом струн провод принимает волнообразную форму. Длина полученных полуволн эа- 5 висит от угла прокладывания в зеве числового провода относительно струн, величина которого определяется диаметром струн и шага между ними. .Таким образом, в этом способе с уве- 10 личением числа струн, уменьшением их диаметра и шага между ними, увеличивают угол прокладывания провода в зеве и его длину. Кроме того, в местах прохождения провода между струна-15 ми их высоты не одинаковые и при сведении в зеве перед формованием провода не все струны касаются его, а необходимость сведения зева до касания струнами провода перед прокат- 2О кой ролика увеличивает время плетения обмоток. Все это усложняет процесс плетения запоминающих матриц, снижает их качество и надежность работы.

Цель изобретения - повышение точности изготовления запоминающих матриц.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления запоминакицих матриц на цилиндрических маг-. нитных пленках, основанном на натяжении технологических струн, образовании зева между ними, прокладывании в зев провода числовой обмотки под углом к струнам, закрывании зева и последовательном формировании провода числовой обмотки струнами, изменяют наклон технологических струн в зоне плетения после прокладывания в зев провода числОвой об- 4Q мотки к плоскости их нейтрального положения в направлении свободного конца проложенного в зев провода и выравнивают технологические струны по высоте в направлении прокла- 45 дывания в зев провода, а последовательное формирование провода числовой обмотки технологическими струнами осуществляют в порядке их рас-.. положения в направлении наклона 50 струн.

На фиг.1 показана операция наклона технологических струн в зоне плетения и выравнивания их высот в направлении угла прокладывания в

55 зев провода числовой обмотки; на фиг.2 — расположение в зеве провода числовой обмотки и расположение на струнах элемента (упора), наклоняющего,струны; на фиг.3 — сече- 60 ние A-A на фиг.2 (направление и угол наклона струн); на фиг.4 — сечение

Б-Б на фиг.2 (выравнивание высот технологических струн в направлении угла прокладывания провода). б5

Устройство для осуществления предложенноГО способа содержит технологические струны 1, вплетаемый в них провод 2 числовой обмотки 3, упор 4, которым осуществляют наклон струн 1.

Способ осуществляется следующим образом.

В образованный между технологическими струнами 1 зев прокладывают под углом d. к струнам провод 2 числовой обмотки 3. Затем к стру- . нам 1 под прямым углом к ним в необходимом месте зоны плетения под- водят упор 4 и наклоняют им струны

1 под заданным углом Ib к плоскости их нейтрального положения в направлении свободного конца провода 2 °

При этом в направлении угла прокладывания провода 2 числовой обмотки 3 выравнивают технологические струны

1 по высоте h.

После этого опускают струны, закрывают зев, и последовательно формуют провод 2 струнами 1 в порядке их расположения в направлении наклона.

Необходимый угол наклона 9 струн

1 задают выбранным углом cl.прокладывания в эев провода 2 числовой обмотки 3 и выравниванием технологических струн 1 по высоте в направ,лении выбранного угла прокладывания провода 2.

Введение в известный способ изготовления запоминающих матриц на

I@II операции наклона те снологических струн в зоне плетения под за-, данным углом к плоскости их нейтрального положения в направлении сво-. бодного конца проложенного.в зеве провода числовой. обмотки и выравнивания технологических струн по высоте в направлении угла прокладывания в зев провода числовой обмотки, а также формирования провода струнами в порядке их расположения в направлении наклона обеспечивает по. сравнению с известными способами следующие преимущества: широкое варьирование параметрами зоны плетения зева (места и углы наклона технологических струн), обеспечивающих выравнивание технологических струн по высоте в направлении угла прокладывания провода числовой обмотки и оптимальные условия плетения числовых рбмоток различных типоразмеров запоминающих матриц, включая и малогабаритных, беэ увеличения угла прокладывания в зев провода числовой обмотки с увеличением, числа струн, уменьшением их диаметра и шага между ними. Использование предлагаемого способа изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках обеспечивает по сравнени

920828

Формула изобретения

Фиг. 8 сне.2

О . О (РМ2. 5

Составитель Ю.Розенталь

Редактор Т.Парфенова Техред Ж. Кастелевич Корректор О. Билак

Заказ 2355/61 Тираж 624 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", r.Óæãoðoä, ул.Проектная, 4 с существующими способами следующие преимущества: повышение точности и идентичности изготовления числовых обмоток заданных размеров и повышение однородности электронных и магнитных параметров их,снижение брака и повышение как качества, так и выхода годных плетеных полотен числовых обмоток матриц.

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева между ними, прокладывании в зев провода числовой обмотки под углом к струнам, закрывании зева и последовательном формировании провода числовой обмотки струнами, отличающийся тем, что с целью повышения точности изготовления запоминающих матриц, изменяют наклон технологических струн в зоне плетения после прокладывания в зев провода числовой обмотки к плоскости их нейтрального положения в направлении свободного конца проложенного в зев провода и выравнивают технологические струны по высоте в направлении прокладывания в зев провода, а последовательное формирование провода числовой обмотки струнами .осуществляют в порядке их расположения в направлении наклона струн.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 474842, кл. G 11 С 5/02, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР

9 489153, кл. 6 11 С 5/02, 1976 (прототип).

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино
Наверх