Способ контроля многоотверстных ферритовых пластин памяти

 

О П И С А Н И Е (ii)938320

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сеюз . Севетсиик

Сециапистичесиик

Респубвик (6t ) Дополнительное к авт. свил-ву (22)Заявлено 11.04.80 (2l) 2914205/18-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (5l)M. Кл.

G 11 С 29/OO//

Я 01 К ЗЗ/12

IoJJAopcNFNN!! «вмнтвт

CCCCP вв айвам азеврвтеник н открытий (53) УДК681.327. .02 (088.8) Опубликовано 23.06.82. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 25.06.82 (72) Авторы изобретения. Г. A. Александр (7! ) Заявитель (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ МНОГООТВЕРСТНЫХ ФЕРРИТОВЫХ

ПЛАСТИН ПАМЯТИ!

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано для разбраковки многоотверстных пластин памяти по электромагнит ным характеристикам до нанесения печатных обмоток.

Известен способ контроля многоотверстных пластин памяти, основанный на контроле отношения пороговой напряженности к.коэрцитивной силе путем пропускания через отверстия многоотверстных пластин памяти синусоидапьного тока

/ высокой частоты совместно с синусоидальными токами низкой частоты и измерений с помощью печатной обмотки сигнала перемагничивания и сигнала помехи (lj.

Недостатком указанного способа является невозможность его использования при контроле многоотверстных ферритовых пластин до нанесения печатной об- 2о мотки

Известен также способ контроля электромагнитных параметров, применяемый в устройстве контроля импульсных характеристик многоотверстных ферритовых пластин, содержащем контактные иглы, иглодержатель, контактную ванну, генератор токов перемагничивания, блок измерения, коммутатор контактных игл.

В этом способе импульсные характеристики многоотверстных ферритовых пластин измеряют путем пропускания через одну из контактных игл, прошивавших отверстия многоотверстной пластины, импульсов тока перемагничивания и определения на ней сигнала перемагничивания (21.

Недостатком этого способа является низкая точность измерения сигналов считывания при контроле многоотверстньтк пластин с количеством рядов отверстий более двух.

Цель изобретения — повышения, точности измерения в способе контроля многоотверстных ферритовых пластин памяти, включающем пропускание через контактные иглы, прошивающие отверстия пластины памяти, импульсов тока перемагничи3 9383 вания отверстий пластины памяти и измерения сигналов считывания, пропускают одновременно импульсы тока перемагничивания в одном направлении через первое отверстие и в противоположном направлении через третье отверстие одного ряда и измеряют сигналы считывания, возникающие при переключении магнитного потока перемычек между первым и вторым, вторым и третьим отверстиями того же tO ряда, затем пропускают импульсы тока перемагничивания противоположной полярности через второе и четвертое отверстия и измеряют сигнал считывания, возникающий при переключении магнитного потока перемычки между вторым и третьим отверстиями, затем цикл операций повторяют для остальных отверстий ферритовой пластины памяти.

На чертеже показано устройство, реализующее предложенный способ.

Устройство содержит генератор 1 токов,перемагничивания, коммутатор 2 контактных игл по токовой цепи, коммутатор

3 контактных игл по цепи считывания, блок 4 измерения, контролируемая многоотверстная пластина 5 памяти, обшач шина 6.

Устройство работает следующим образом. 30

Генератор 1 токов переключения магнитного потока через коммутатор 2, подключающий к соответствующим входным шинам генератора в первый цикл измерения контактные иглы, прошивающие первое и третье отверстия, во втором и последующих циклах контактные иглы, прошивающие второе и четвертое, пятое и седьмое, шестое и восьмое и т.д. отверстия, переключает магнитные потоки вокруг выбранных пар отверстий. Блок 4 измерения, подключаемый через коммутатор 3 к контактным иглам, прошивающим в первый цикл измерения сигнала первое и второе отверстие и затем второе и

45 третье отверстия, а во второй и последующие циклы второе и третье, третье и четвертое и т.д. отверстия, измеряют сигналы, возникающие при переключении магнитного потока вокруг выбранных ком50

20 мутатором 2 отверстий пластин 5 памяти. По результатам измерения в сравнении с заданными критериями разбраковки блок 4 измерения сортирует пластины 5 памяти на годные и брак.

Предлагаемый способ, в сравнении с известным, позволяет исключить наводимые на цепь считывания от импульсных токов перемагничивания ЭДС помехи и скомпенсировать емкостную наводку от падения на контактной игле, через которую пропускаются токи на соседнюю контактную иглу, что позволяет повысить точность измерения.

Фор мула изобретения

Способ контроля многоотверстных ферритовых пластин памяти, включающий пропускание через контактные иглы, прощиваюшие отверстия пластины памяти, импульсов тока перемагничивания отверстий пластины памяти и измерения сигналовсчитывания, отлич а ющийся тем, что, с целью повышения точности измерения, пропускают одновременно импульсы тока перемагничивания в одном направлении через первое отверстие и в противоположном направлении через третье отверстие одного ряда и измеряют сигналы считывания, возникающие при переклю-. чении магнитного потока перемычек между первым и вторым, вторым и третьим отверстиями того же ряда, затем пропускают импульсы. тока перемагничивания противоположной полярности через второе и четвертое отверстия и измеряют сигнал считывания, возникающий при переключении магнитного потока перемычки между вторым и третьим отверстиями, затем цикл операций повторяют для остальных отверстий ферритовой пластины памяти.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Авторское свидетельство СССР

М 457948, кл. Cj 01 R 33/12, 1973.

2. Авторское свидетельство СССР

М 306499, кл. g 11 С 11/06, 1969.

Подписное

Заказ 4472/75 Тираж 622, ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушскаж наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, уп. Проектная 4

Составитель ф. Тарнопольская

Редактор H. Лазаренко Техред Е.Харитончик Корректор А. Двятко