Дата опубликования описания 300782 (53) УДК621. 316..86(088.8) Э.Г. Маркосян, Р.Г. Алексанян, В. . БаГраВ рва, А.В. Татевосян, A.A; Айвазян, Э. .- Саносян и Ю.В. Сухарев 1"",;" : 1;..

„ ..1 г..г1 . 4

A с

"ему., . ! (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОДГОНКИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ДЕЛИТЕЛЕИ

НАПРЯЖЕНИЯ

Изобретение относится к технологий создания тонкопленочных резисторов и может быть использовано в производстве интегральных резисторных микросхем делителей напряжений и тока.

Известен способ селективной подгонки сопротивления гальванически связанных резисторов посредством анодного окисления с жидким электролитом, при котором электролит подается только на те участки резистивной структуры, которые необходимо окис лить. Это дает возможность осуществлять функциональную подгонку резисторных делителей напряжения, то есть непосредственно коэффициента деления смонтированных приборов (1j .

Недостатком данного способа является ограниченная разрешающая способность и необходимость защиты неано. дируемых участков.

Наиболее близким по технической сущности является способ селективной подгонки сопротивления гальванически связанных резисторов, при котором проводят общее анодирование всех резисторов при определенном потенциале анодирования, а затем путем подачи нового потенциала, превышение которого над первоначальным приходит\ ся только на отдельный резистор, осуществляют его подгонку (2).

Недостатком известного способа является то, что, во-первых, перед селективной подгонкой необходимо провести общее анодирование, что во многих случаях нежелательно. Во-вторых, новый потенциал анодирования данного резистора должен иметь строго определенное значение, получаемое расчетным путем, чтобы не быпо превышения над первоначальным потенциалом анодирования других резисторов.

Это ограничивает варьирование степени селективной подгонки резисторов в широких пределах.

Цель изобретения вЂ” повышение точности подгонки

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе подгонки тонкопленочных делителей напряже.ния, включающем анадное окисление каждого из гальванически связанных резисторов, анодное окисление осуществляют подачей отрицательного по.тенциала на общий проводник, к которому подключены выводы резисторов, а положительный потенциал подают последовательно на свободные выводы каждо947920 го иэ гальванически связанных резисторов.

На чертеже показан делитель напряжения, подгоняемый предлагаемым способом.

Делитель состоит иэ резисторов 5

1-1-1-п(R, й,1, ..., R„), подключенных одним выводом к общему проводнику 2, на который подан отрицательный потенциал напряжения источника 3 пи- тания. В пределах области 4, являю- >Q щейся зоной анодирования, осуществляется контакт электролита с поверхностью резисторов. Для селективной подгонки резистора 1-1-1-п замыкают один из ключей 5-.1 вЂ” 5 п, связывающий свободный вывод каждого из резисторов с положительиым полюсом источника питания. Потенциометром 6 ограничивается ток подгонки. .Сущность предлагаемого способа подгонки состоит в том, что при указанном включении анодированию подвергается лишь тот резистор делителя, на свободном выводе которого имеется положительный потенциал. Все остальные резисторы через общий проводник подключены к отрицательному потенциалу и, следовательно, анодированию не подвержены. Степень,селективной подгонки. можно варьировать в широких пределах путем изменения разности потенциалов на свободном и связанном (общем проводнике) выводах каждого из резисторов.

Предлагаемый способ подгонки от- 35 ,личается от известных тем, что анодное окисление осуществляют беэ общега катода, его роль выполняет непосредственно общий приводник п,рдгоняемого делителя напряжения. В этом слу-4Q чае анодное окисление протекает не в поперечном, а в продольном электрическом поле и не сопровождается предварительным общим анодированием делителя.

Использование предлагаемого способа открывает широкие воэможности для функциональной подгонки интегральных резисторных микросхем делителей напряжения и тока. По сравнению с существующими способами подгонки анодированием он обладает более высокой разрешающей способностью, удобством использования и возможностью автоматизации.

Формула изобретения

Способ подгонки тонкопленочных делителей напряжения, включающий анодное окисление каждого иэ гальванически связанных резисторов, о твЂ” л и ч а ю шийся тем, что,с целью повышения точности подгонки, анодное окисление осуществляют подачей отрицательного потенциала на общий проводник, к которому подключены выводы резисторов, а положительный потенциал подают последовательно на свободные выводы каждого из гальванически связанных резисторов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 511634, кл. Н 01 С 17/00, 1972(аналог) .

2. Авторское свидетельство СССР

9 319962, кл. Н 01 С 17/26, 15.03,69 (прототип).

Составитель О. Чернышов

Техред Л Пекарь КорректоР В. Бутяга

Редактор Е. Кинив ехред

Заказ 5663/76 Тираж 761 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по о делам изобретений и открытий

4 5

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. / ктная 4

Филиал ППП "Патент", г. ужгород, ул. Проект а

Способ подгонки тонкопленочных делителей напряжения

Проволочный резистор // 232351

Способ изготовления электрических тонкослойных непроволочных сопротивлений // 165811

Способ получения тонкопленочного резистивного элемента // 2297682

Изобретение относится к технологическим процессам изготовления тонкопленочных резисторов

Тонкопленочный измерительный резистор // 2306624

Способ изготовления тонкопленочных резисторов // 2332741

Изобретение относится к области электротехники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных резисторов, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике

Способ подгонки сопротивления тонкопленочного резистора // 1020869

Пленочный резистор // 2584032

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в том числе мощных, высокочастотных цепях. В пленочном резисторе, включающем диэлектрическую подложку и сформированную на ней многослойную пленку резистивных материалов, размещенную на теплоотводящем основании, многослойная пленка резистивных материалов включает резистивный слой, адгезионный слой, контактный и пассивирующий слои, размещенные на резистивном, при этом на указанной многослойной пленке размещены защитный и маркировочный слои. Технический результат заключается в улучшении температурного коэффициента сопротивления пленочных резисторов. 1 табл., 1 ил.

Способ изготовления тонкопленочных чип-резисторов // 2628111

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления тонкопленочных чип-резисторов, резистивных матриц, а также гибридных интегральных схем с резисторами в производстве радиоэлектронной аппаратуры различного назначения. Техническим результатом является повышение надежности резисторов за счет увеличения до максимально возможной поверхности контактирования проводникового и резистивного слоев по их периметру в области контактных площадок резисторов и расположения контактных площадок резисторов на обеих поверхностях подложки. Способ изготовления включает травление окон в диэлектрическом слое заготовки из лакофольгового диэлектрика до слоя медной фольги, осаждение в эти окна гальванической меди, вакуумное напыление на диэлектрический слой подложки резистивных и проводникового слоев, формирование из них в области окон в диэлектрическом слое заготовки резистивных элементов и контактных площадок к ним, которые представляют собой многослойную структуру из медной фольги, гальванической и вакуумной меди, внутри которой осуществляется электрический контакт проводникового и резистивного слоев по всему периметру. 3 ил.

Конструкция тонкопленочного чип резистивного вч-аттенюатора // 2638541

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при изготовлении ЧИП резистивных высокочастотных (ВЧ) аттенюаторов. Техническим результатом является увеличение рассеиваемой мощности и упрощение технологии изготовления резистивного ВЧ-аттенюатора. Резистивный ВЧ-аттенюатор состоит из керамической платы и нанесенных на нее резистивного и электропроводящего слоев, на керамической плате первым выполнен резистивный слой, при этом на нем размещен электропроводящий слой, выполненный в виде узких контактных площадок, третьим является диэлектрический слой с окнами, размещенными в местах узких контактных площадок, четвертым является электропроводящий слой, соединяющийся через окна с узкими контактными площадками второго слоя и выполненный в виде контактных площадок увеличенной площади. 1 ил., 1 табл.

Способ изготовления электрически изолированных резисторов микросхем // 2648295

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу изготовления электрически изолированных резисторов микросхем на арсениде галлия с высокой термостабильностью. Технический результат заключается в увеличении термостабильности и повышении пробивного напряжения изолирующих слоев микросхем на арсениде галлия. Способ изготовления электрически изолированных резисторов микросхем, заключающийся в изготовлении контактных площадок на эпитаксиальных структурах арсенида галлия, проведении внедрения ионов гелия с энергией 30-150 кэВ и дозой 1,2-1,4 мкКл/см2 для формирования областей изоляции, нанесении маски фоторезиста с последующим формированием окон в фоторезистивной маске для повторного внедрения ионов гелия с энергией 30-150 кэВ и дозой 6-12 мкКл/см2. 10 ил, 1 табл.