Транзисторный ключ

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик („849817 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 30.12.80 (21) 3225210/18-21 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. К .з

Н 03 К 17/60.Гесударствениыв кемитет (53) УДК 621.382 (088.8) Опубликовано 07.08.82. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 17.08.82 по делан изобретений и еткрмтий Е®УЗНА g

1т и ытно. "н жили Ц зва отв4 (72), вторы изобретения

В. К. Нестеров и,Л. А. Шифрин

Ленинградский ордена,Ленина электротехнический институт им. В. И. Ульянова (.Ленина) (7I) Заявитель (54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ К,ЛЮЧ

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для формирования импульсных сигналов различного назначения, в частности служебных сигналов в трактах телевизионных устройств и для модуляции импульсов по амплитуде. 5

Известен транзисторный ключ, содержащий первый транзистор, например, и-р-и-проводимости, база которого соединена с источником входного тока, а коллектор — с катодом диода и через нагрузку — с шиной ис о точника питания (1).

Недостатками известного ключа являются нестабильность нижнего уровня выходного сигнала при изменении напряжения питания, а также низкие функциональные возможности ввиду отсутствия электронной ре- 15 гулировки величины нижнего уровня выходного сигнала.

Цель изобретения — повышение стабильности нижнего уровня выходного сигнала и расширение функциональных возможностей.

Для достижения указанной цели в транзисторный ключ, содержащий первый транзистор, например, п-р-п-проводимости, база которого соединена с источником входного тока, а коллектор — с катодом диода и че2 рез нагрузку — с шиной источника питания, введены второй транзистор противоположной проводимости по отношению к первому, резистор и источник управляющего напряжения, который подключен к базе второго транзистора, эмиттер которого соединен с анодом диода и через резистор — с шиной питания, а коллектор — с базой первого транзистора.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема транзисторного ключа.

Ключ содержит первый транзистор 1, база которого соединена источником 2 входного тока, а коллектор — с катодом диода 3 и через нагрузку 4 — с шиной источника 5 питания. Эмиттер второго транзистора 6 противоположной проводимости по отношению к первому транзистору подключен к аноду диода 3 и через резистор 7 соединен с шиной источника 5 питания. База второго транзистора 6 подключена к источнику 8 управляющего напряжения, а его коллектор — к базе первого транзистора I.

При отсутствии входного выключающего тока транзисторный ключ включен. Выходной сигнал 11вы», снимаемый с коллектора транзистора 1, устанавливается на нижнем

949817

Составитель И. Форафонтов

Редактор А. Orap Техред А. Бойкас Корректор В. Синицкая

Заказ 5495/47 Тираж 959 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий! 13035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4 уровне, близком к 1//пр за счет глубокой отрицательной обратной связи через диод 3 и транзистор б. Изменяя величину U>zp источника 8 управляющего напряжения, можно регулировать величину нижнего уровня

Uabu причем величина этого уровня практически не зависит от изменений напряжения источника 5 питания благодаря глубокой отрицательной обратной связи через диод 3 и транзистор 6.!

О

При подаче на вход выключающего тока 3 „с источника 2 транзистор 1 переходит в режим отсечки, и напряжение на выходе устанавливается на верхнем уровне, приблизительно равном величине питающего напряжения источника 5 питания. В этом сос- 15 тоянии ключ выключен.

Таким образом, использование предлагаемой схемы транзисторного ключа позволяет повысить стабильность нижнего уровня выходного сигнала, а также расширить его функциональные возможности.

Формула изобретения

Транзисторный ключ, содержащий первый транзистор, например, и-р-и-проводимости, база которого соединена с источником входного тока, а коллектор — с катодом диода и через нагрузку — с шиной источника питания, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности нижнего уровня выходного сигнала и расширения функциональных возможностей, в него введены второй транзистор противоположной проводимости по отношению к первому транзистору, резистор и источник управляющего напряжения, который подключен к базе второго транзистора, эмиттер которого соединен с анодом диода и через резистор— с шиной источника питания, а коллектор— с базой первого транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Ключ с нелинейной обратной связью.

В кн.: Основы теории транзисторов и транзисторных схем, изд. 3-е М., «Энергия», 1973, с. 450, рис. 14 — 246.