Устройство для измерения эдс холла

Авторы патента:

H01L21/66G01N27 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИ Е

ИЗОВ ЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (((i961 501 (6l } Дополнительное к авт. санд-ву (51)M. Кл.

Н 01 4 21/66

G(01 М27/00 (22) Заявлено 12.09.80 (21) 3000050/18-25

/ с с присоединением заявки М

9кударстиаивй квмитет

CCCP ао аалэи кзебретенкк и втхрыткк (23 f Приоритет

Опубликовано 23.01.83. Бюллетень М 3

Дата опубликования описания 23.01.83 (53) УД,К621. .382 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. Л. Александров, А С. -Веденеев, А. Г. Ждат*;Юх-В» и рркин, Н. Е. Никитин и В. Г. Тестов 1 с: !

il ьс (, Ордена Трудового Красного Знамени институ(1 радиотехники и электроники АН СССР (7l) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭДС ХОЛЛА

Изобретение относится к полулровод никовой технике и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых материалов.

Известно устройство для измерения

ЭДС Холла, содержащее источник питак щего напряжения, электромагнит, и пре, образователь частоты, состоящий из умножнтеля, делителя и усилителя, выход которого соединен с токовыми электродами образца h 1) .

Недостатком этого устройства является низкая чувствительность и точность, обусловленные нестабильностью разнос т ной частоты, на которой производится измерение ЭДС Холла.

Известно также устройство для изме-. рения ЭДС Холла, содержащее постоянный магнит, синхронный преобразователь частоты вращения вала в переменный щ ток, выход которого подключен к токовым электродам образца, измерительный селективный усилитель, настроенный sa частоту ЭДС Холла, вход которого под2 ключен к холловским электродам обраэца $2), Недостатком этого устройства является низкая чувствительность и точность, обусловленные нестабильностью поддержания разностной частоты, на которой производится измерение ЭДС Холла.

Белью изобретения является повышение чувствительности и точности измерений ЭДС Холла.

Это достигается тем, что в известном устройстве для измерения ЭДС Холла, сосодержащем постоянный магнит, синхронный преобразователь частоты вращения вала, в переменный ток, выход которого подключен к токовым электродам образца, измерительный селективный усилитель, настроенный на часто(.у ЭДС Холла, вход которого подключен к холловским электродам образца, постоянный магнит закреплен на валу, синхронный преобразователь частоты вращения вала в переменный ток выполнен в виде дискового обтюратора, по одну сторону которого

i80i 4

Флуктуации раэностной частоты Я сос тавляют

3 96 размещен источник света, а но другуюфотоэлемент, подключенный к входу де лителя частоты, выход которого под-. ключен через усилитель к токовым элек- тродам образца.

На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.

Устройство для измерения ЭДС Холла исследуемого образца 1 содержит постоянный магнит 2, дисковый обтюратор 3, источник света 4, фотоэлемент

5, делитель частоты 6, усилитель 7, токовые электроды 8 образца, холловские электроды 9 образца, измерительный селективный усилитель 10.

Устройство работает следующим об разом.

При вращении постоянного магнита 2 .с частотой ы,образец 1 находится в е-

Ф ременном магнитном поле. Жестко за-, крепленный на валу дисковый обтюратор

3 вращается также с частотой tv, при этом луч света err источника 4 йрерыва ется и и)., раз, где h - число отверстий s дисковом обтюраторе. Модулирс ванный световой сигнал поступает на фотоэлемент 5, с выхода которого электрические сигналы поступают на вход делителя частоты 6. Сигнал после деления частоты в g раз имеет частоту Г

Ш = «, и 1и поступает на вход усилителя, с выхода которого напряжение подается на токовые электроды 8 образца. ЭДС

Холла с холловских электродов 9 образна поступает на вход усилителя 10 настро енного на частоту

Я=а„- шд, О, 1» 1 /о °

Устройство позволяет измерять малые значения ЭДС Холла в компенсированных полупроводниках, а также в металлах с повышенной точностью.

Формула изобретения

Устройство для измерения ЭДС Холла, содержащее постоянный магнит, син« хронный преобразователь частоты вращения вала в перемэнный ток, выход которого подключен к токовым электродам

15 образца, измерительный селективный усилитель, настроенный на частоту ЭДС

Холла, вход которого подключен к холловским электродам образца о т л и ч аю ш е е с я тем, что, с целью повышения

2О -чувствительности и точности постоянный магнит закреплен на валу, синхронный преобразователь частоты вращения вала в переменный ток. выполнен в виде дио2$ кового обтюратора, по одну сторону которого размещен источник света, а по другую вЂ” фотоэлемент, подключенный к входу делителя частоты, выход которого подключен через усилитель к токовым электродам образца.

Источники информации, 30 принигые во внимание при экспертизе

1. Кучно Е, В, Методы исследования эффекта Холла. М., Сов, радио. 1974, с. 169-171.

2. Ковтонюк Н. Ф.и Концевой Ю. А.

Измерения параметров полупроводниковых материалов. М., Металлургия, 1970, с. 138-139, 167-168..

Составитель Л. Смирнов

Редактор О. Филиппова Техред .Е.Харитончик Корректор О. Билак

Заказ 10796/8 Тираж 701 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35 Раушская наб, д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Похожие патенты:

Контактное устройство // 943923

Способ изготовления полупроводниковых приборов, преимущественно на основе монокристаллического кремния // 924776

Устройство для сборки вывода полупроводникового прибора с бусой // 917241

Тестовая структура для контроля разрешающей способности микролитографии // 911653

Устройство для очистки плоских изделий,преимущественно полупроводниковых пластин // 902108

Устройство для ориентации полупроводниковых подложек по базовому срезу // 879681

Устройство для сборки гибридных интегральных микроузлов // 879680

Устройство для ориентирования полупроводниковых приборов // 879679

Устройство для локальной электрохимической обработки полупроводниковой пластины // 879678

Кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин // 875507

Способ монтажа деталей полупроводникового прибора к основанию и полупроводниковый прибор, полученный этим способом // 2118585

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и их конструкции и может быть использовано для изготовления высокомощных транзисторов, тиристоров, диодов и других полупроводниковых структур

Система для обработки полупроводникового изделия (варианты), встроенный геттерный насос и способ обработки полупроводникового изделия // 2125619

Изобретение относится к системам ультравысокого вакуума для обработки полупроводникового изделия, к геттерным насосам, используемым в них, и к способу обработки полупроводникового изделия

Однокристальный модуль ис // 2134465

Изобретение относится к элементной базе микроэлектронной аппаратуры, а конкретно к однокристальному модулю ИС, и может широко использоваться при проектировании и производстве электронной аппаратуры различного назначения

Носитель кристалла ис // 2134466

Изобретение относится к разработке и производству аппаратуры на основе изделий микроэлектроники и полупроводниковых приборов и может быть широко использовано для контроля и отбраковки кристаллов ИС перед их монтажом в корпуса или многокристальные модули, а также для сборки кристаллов в корпусах или в составе многокристальных модулей

Способ плазмохимической обработки подложек и устройство для его осуществления // 2178219

Изобретение относится к технологии плазмохимической обработки подложек, в частности пластин полупроводникового производства от микроэлектроники до силовой электроники

Устройство термообработки полупроводниковых пластин // 2185682

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводников

Деталь из кварцевого стекла для применения при изготовлении полупроводников // 2195045

Способ изготовления конденсатора интегральной схемы, имеющего улучшенные характеристики электродного и диэлектрического слоя (варианты), и конденсатор, изготавливаемый этим способом // 2199168

Изобретение относится к способам изготовления интегральных схем и к способам изготовления конденсаторов интегральных схем и к конденсаторам, изготавливаемым этими способами

Электронный модуль для электронной карточки // 2200975

Изобретение относится к электронному модулю, предназначенному, в частности, для установки в электронное устройство типа чип-карты

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки поверхности // 2223570