Способ контроля электролюминесцентных p-n-структур
Способ контроля электролюминесцентных p-n-структур, включающий измерение интенсивности электролюминесцентного излучения со стороны эпитаксиального слоя, отличающийся тем, что, с целью неразрушающего контроля толщины p-n-областей электролюминесцентной структуры, дополнительно измеряют интенсивность электролюминесцентного излучения со стороны подложки и по отношению определяют толщину p-n-областей.
Похожие патенты:
Устройство для измерения эдс холла // 961501
Способ измерения э.д.с.холла // 960680
Зондовое устройство // 951484
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин
Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин