Микрополосковая нагрузка

 

Союз Советсиих

Соцналиетичесина

Реслублии щ978239

Ф

"Ф (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 21.05.81 (21) 3294569/18-09 (53)M. Кл. с присоединением заявки №

Н 01 P 1/26

3Ъсударатненнык комитет ссср

llO дЕлам изебретаиий и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 30.11.82. Бюллетень № 44

Дата опубликования описания 30.11.82 (53} УД К 621.372. .855.4 (088.8) (72) Автор изобретении

С. В. Панков.(7l) Заявитель (54) МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот.

Известна микрополосковая нагрузка, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесено заземляющее 0сНование, а на другой — токонесущий проводник и резистивный слой, подключенный к нему, имеющий ширину, равную ширине токонесущего проводника, и соединенный торцовой кромкой с заземляющим основанием закорачивающим проводником, ширина которого болыпе ширины токонесущего проводника, при этом кромки резистивного слоя образуют с закорачивающим проводником щелевые зазоры f 1 ).

f5

Однако известная нагрузка имеет небольшую ширину рабочей полосы частот, что связано с недостаточной компенсацией реактивности, вносимой резистором.

Цель изобретения — расширение рабочей полосы частот.

Для достижения цели в микрополосковой нагрузке щелевые зазоры выполнены с одинаковой шириной по длине, которая выбрана больше длины резистивного слоя и меньше удвоенной его длины.

На чертеже приведено устройство микрополосковой нагрузки.

Микрополосковая нагрузка содержит диэлектрическую подложку.1, на одной стороне которой нанесено заземляющее основание 2, а на другой — токонесущйй проводник 3 и резистивный слой 4, подключенный к нему, имеющий ширину, равную ширине токонесущего проводника 3, и соединенный торцовой кромкой с заземляющим основанием 2 закорачивающим проводником 5, ширина которого больше ширины токонесущего проводника 3.

При этом кромки резистивного слоя 4 и токонесущего проводника 3 образуют с закорачивающим проводником 5 одинаковые по длине щелевые зазоры б шириной S.

Длина щелевых зазоров Р больше длины резистивного слоя и меньше удвоенной его длины.

Микрополосковая нагрузка работает следую. щим образом.

978239

Составитель В. Алыбин

Техред Л.Пекарь

Корректор А. Ференц

Редактор П. Макаревич

Тираж 630

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская. наб., д. 4/5

Заказ 9231 69

Подцисное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Поступающая на вход микрополосковой нагрузки сверхвысокочастотная мощность рассеивается в резистивном слое 4. Условие широкополосного согласования обеспечивается выбором длины щелевых зазоров 6 в указанных пределах. При этом происходит компенсация реактивной составляющей резистнвного слоя 4.

Микрополосковая нагрузка обеспечивает в полосе частот 0 — 18 ГГц КСВ не более 1,12 и конструктивно проста.

Формула изобретения

Микрополосковая нагрузка, содержащая диэлектрическую. подложку, на одной стороне которой нанесено заземляющее основание, а на другой — токонесущий проводник и резис тивный слой, подключенный к нему, имеюф щий ширину, равную ширине токонесущего проводника и соединенный торцовой кромкой с заземляющим основанием закорачнвающим проводником, ширина которого больше ширины токонесущего проводника, при этом кромки резистивного слоя образуют с закорачивающим проводником щелевые зазоры,отличающаяся. тем, что, с целью расширения рабочей полосы

® частот, щелевые зазоры выполнены е одинаковой шириной по длине, которая выбрана боль. ше длины резистивного слоя и меньше удвоенной его длины.

Источники информации, 15 принятые во. внимание при экспертизе

1. Гонский Н. Г. и др. Согласованная нагрузка для гибридных интегральных микросхем СВЧ диапазона. Электронная техника, сер. 1, Электроника СВЧ, 1980, вып. 3, с. 31— э0 34 (прототип).