Способ изготовления интегрального транзистора

 

--=.

В. А. Гнрий, Ш. 3. Ескендиров, Е. А. Ладыгин Г.,.А. Мустафаев, Е. С. Огородников, А. А; Туякбаев и В. И. 1цвховцов

:с J у „. >

Казахский химико-технологический институт -- =, / - -4 (72) Авторы изобретения (7l ) Заявитель (54) СПОСОБ. ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА

Изобретение относится - к полупроводниковым. приборам, а именно к способам изготовления интегральных транзисторов.

Известен способ изготовления интегрального транзистора путем формирования базовой области, позволяющий обеспечить относительную простоту процесса изготовления интегрального транзистора (11.

Недостаток известного способа состоит в малой прочности изготовленного в соответствии с ним интегрального транзистора.

Известен также способ изготовления интегрального транзистора путем формирования базовой области диффузией бора и его последующей разгонкой, который позволяет обеснечить достаточную прочность изготовленного в соответствии с ним интегрального транзистора 121.

Недостаток такого способа состоит в малой радиационной стойкости изготовленного в соответствии с ним интегрального транзистора.

Цель изобретения — повышение радиационной стойкости интегрального транзистора.

Укаэанная цель достигается тем, что диффузию и раэгонку бора осуществляют при

1100 — 1150 С, причем диффузию бора производят в течение 30 — 40 мин, а его раэгонку— в течение 20 — 30 мин.

Изготовление интегрального транзистора осуществляют следующим образом.

На подложке производят формирование базовой области диффузией бора и его по10 следующей разгонкой. При этом диффузию, бора и его разгонку осуществляют, например, при. 1150 С. Диффузию бора производят, например, в течение 30 мин, а его разгонку— течение 20 мин.

Использование предлагаемого способа позволяет в значительной степени повысить радиационную стойкость интегральных транзисторов, а также обеспечить простоту процесса изготовления интегральных транзисторОв. Интегральные транзисторы, изготовленные предлагаемым способом, могут найти применение .в бортовой аппаратуре.

987711

Способ изготовления интегрального транзистора путем формирования базовой области диффуэией бора и его последующей разгонкой,отличающийся тем,что, с целью повышения радиационной стойкости интегрального транзистора, диффузию и разгонку бора осуществляют при 1100 — 1150 С, Составитель Ю.-К.В. Розенкранц

Техред М.Надь Корректор A. ФеРенц

Редактор А. Мотыль

Тираж 708 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 10316/41

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Формула изобретения

4 причем диффузию производят в течение 30—

40 мин, а его разгонку — в течение 20—

30 мин.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент Великобритании Р 673206, кл. Н 01 L21/283,,1979.

2. Патент США й"- 3659162, кл. 317(235, 1972 (прототип) .