Способ травления монокристалла смешанного галогенида цезия
QllHCAHHK
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических республик
<1>988853
К А8Т ОЛЕСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (5l)M. Кл.
С 09 К 13 00
ФС 30 В 33/00 (22) Заявлено 21.07.80 (21) 2959252 2326 с присоединением заявки ЭВ (23) Приоритет
ЭмуАврстюпвЯ коивтат
CCCP во двлам нэобретевнЯ и юткрнтвЯ
Опубликовано 15,01,83. Бюллетень 342 (53) УДК 621 794 .421 (088.8) Дата опубликования описания 17.01.83 (72) Авторы изобретения
В.В. Данилов, А.В. Богданова и
Ужгородский государственный уннщфситет .
f7I) Заявитель (54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА
СМЕША ННОГО ГАЛОГЕНККА ЦЕЗИЯ
Изобретение относится к химико-механической обработке монокристаллов и может быть применено для получения монокристаллов аккустооптических устройств.
Известен способ травления кристалла иодида цезия в системе 96% С Н ОНСиС 2НдО (;1 Ъ
Наиболее близким по технической с тщности и достигаемому результату к изобретению является способ травления монокристалла смешанного галогенида цезия; 1О например СВ СиСР,т путем обработки его этиловым спиртом (21.
Недостатком способа является невоз- можность травления монокристалла Сто:Вг -
Цель изобретения - обеспечение воэмож- 15 ности травления и полирования монокрис- талла С5 Н В .
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу травления монокристалла смешанного галогедида цезия .
С5 Нц Вю. путем обработки его спиртом, в качестве последнего используют этиленгликоль.
Причем травление ведут в течение 1-3 мин при расходе этиленгликоля 1-2 мл на
20 г монокристалла.
П р и.м е р l. Шлифованный абразивным порошком М-5 образец (исследуемая поверхность 15 АР, вес 20,1839 г) вносят в бокс и добавляют 2 мг безводного этиленгликоля. Бокс плотно закрывают крышкой с притертой пробкой и периодически перемешивают. Температура растворителя 20 С. Через 20-30 с матовая шлн фовальная поверхность превращается в эщ)кальную. Эффект химической полировки сопровождается незначительной потерей вещества (скорость растворения 0,0019 г в минуту). Для снятия с отшлифованной поверхности монокристалла СвоНфгл слоя нарушенной структуры толщиной 100015000 А(1,0-1;5 мк) необходимо не бо-, лее 1 мин.
В таблице представлены результаты определения времени травления н качества обработанной поверхности.
988853
1-2
0,01-0,1
Полирующий эффект отсутствует
О, 1-0,5
То же
0,5-1
5-8
Слабый полирующий эффект
Полирующий эффект проявляется слабо, есть следы шлифовки
0,5-1
Проявлен полнрующий эффект (полное отсутствие следов шлифовки) 1-3
То же
То же г, ю
5-10 То же
Составитель В. Сальников
Редактор И. Митровка Техред О.Неце Корректор М. Шароши
Подписное
Заказ 10989/ЗЗ Тираж 637
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 415
Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Пример 2. Шлифовальный образец
Cs>+Br< (рабочая поверхность 10 мм, 2 вес 10,1248 r) помещают в пробирку с 30 притертой пробкой, заливают 10 мл этилового спирта, температура 18 С. Каждые
10 мин вынимают образец, подсушивают до постоянного веса и взвешивают. Растворения нет. Поверхность матовая, молоч- g5 ного цвета.
Приведенные примеры и результаты таблицы свидетельствуют о возможности одновременного травления и полированйя монокристалла Cs>H+r< этиленгликолем, 40 причем для качественной полировки обеих плоскопараллельных поверхностей монокристалла достаточно 1 2 мл этиленгликоля на 20 r СВ Н Вг, при времени обработки
1-3 мин.
Формула изобретения
1. Способ травления монокристалла
1 смешанного галогенида цезия путем обработки его спиртом, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью обеспечения возможности травления и полирования монокристалла Cs>H+r<, в качестве спирта используют этиленгликоль.
2. Способ по . 1, о т л и ч а юшийся тем, что травление ведут в течение 1-3 мин при расходе этиленгликоля 1-2 мл на 20 г монокристалла.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1.3пФал 3.Pure and АррЕ. РЪ э, 1978, 16, 14 5, 501-507.
2.3 СгЖ Growls, 1977, 41, No. 2, 216-224 (прототип).
