Термостабильный пленочный резистор

 

Союз Советских

Социалистических республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22)Заявлено 30.06 80 (21)2947317/18- 21 (53)N. Кл.

Н 01,С 7/00

Н01 С 7/06 с присоединением заявки М—

Гесудлрствевнма квинтет (23) Приоритет

Опубликовано 1 5. 01. 83. Бюллетень М 2

Дата опубликования описания 15.01.83

IIo RchhN «экбретений и еткрытий (53) УДК 621 316.. 8(088. 8) (5É) ТЕРМОСТАБИЛЬНЫЙ ПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР

Изобретение относится к производству резисторов и может быть использовано в технологии изготовления пленочных резисторов и микросхем.

Известен пленочный резистор с двумя слоями проводящих покрытий, выполненных из различных материалов, последовательно нанесенных на подложку.

При этом достигается снижение температурного коэффициента сопротивления (ТКС) проводящего покрытия 31 ).

Недостатками данного резистора являются сложность изготовления и низкий процент выхода годных резисторов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является пленочный резистивный элемент, который представляет собой подложку, с одной стороны которой нанесен слой термочувствительного материала, а с другой - резистивный сло" 2 ).

При этом достигается снижение ТКС элемента.

Недостатками такой конструкции являются необходимость операции подгонки сопротивления и толщины покрытия в процессе получения проводящих слоев; наличие границы раздела между слоями разного материала, в результа" те чего образуется переходный слой, который может явиться источником weлинейности сопротивления и повышения

ЗДС токового шума.

Цель изобретения — улучшение электрических характеристик резистора.

Поставленная цель достигается тем, что в термостабильном пленочном резис15 торе, содержащем диэлектрическую под-, ложку с размещенным на ней. пленочным покрытием в виде полос с разным удельным сопротивлением и температурным коэффициентом сопротивления, пленочное покрытие выполнено из одного материала в виде равных продольных чередующихся структурнодеформированных н недеформированных полос. формула изобретения

Составитель О. Чернышев

Редактор А. Долинич Техред М. Надь Коррект р о Е. Рошко

Заказ 11137/70 Тираж 70 1 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 989

На чертеже представлена конструкция резистора.

После нанесения на подложку 1 проводящего слоя 2 он подвергается структурной деформации вдоль оси резистора с образованием чередующихся параллельно расположенных деформированных полос 3 и недеформированных полос 4.

Сплошное проводящее покрытие после деформации содержит параллельно расположенные проводящие полосы с разными величинами удельного сопротивления Rg Rg и ТКС„ и ТКС2, 2

ТКС резистора в этом случае выражается формулой

R Р

ТКС = Р ТКС + R TKC2, 1 2 где ТКС и R - соответственно удельное сопротивление и ТКС резистора;

ТКС и R — соответственно удельное сопротивление и ТКС недеформир и ованных полос; ТКС2и R — соответственно удельное сопротивлейие и TKC деформированных полос.

Из формулы следует, что ТКС резистора уменьшается.

Изобретение позволяет снизит ь ЭДС токового шума, поскольку пленочное покрытие выполнено из одного материала и между отдельными полосами не существует границы раздела.

591 . 4

Кроме того контролируя в процес се деформации сопротивление пленочно го покрытия, можно с высокой точностью получать заданный номинал сопротивления без дополнительной юстировки и, следовательно, повысить процент выхода годных резисторов.

Термостабильный пленочный резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней пленочным покрыis тием в виде полос с разным удельным сопротивлением и температурным коэффициентом сопротивления, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик, псар лосы пленочного покрытия выполн ны из одного материала чередующимися структурнодеформированными и недеформиро.ванными..

25 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

N 311295, кл.. Н 01 С, 03.03 ° 70. зо

2. Заявка Японии N 49-47655, кл 59 D 4, 17.12.74.