Способ изготовления микросхем
Способ изготовления микросхем, основанный на последовательном нанесении на подложку многослойной структуры: первого и второго резистивных слоев и проводящего слоя и получении конфигурации элементов микросхемы методом фотолитографии с последующей термообработкой при 200 - 300oС на воздухе, отличающийся тем, что, с целью расширения области использования способа и снижения его себестоимости, после нанесения на подложку многослойной структуры с помощью позитивного фоторезиста гальванически наращивают медь и золото, по рисунку контактных площадок и проводников удаляют фоторезист, повторно наносят слой фоторезиста, получают позитивный рисунок низкоомных и высокоомных резистивных элементов, травят незащищенные фоторезистом и золотом участки многослойной структуры, удаляют фоторезист, защищают фоторезистом низкоомные резистивные элементы, травят проводящий и второй резистивный слой с незащищенных участков, удаляют фоторезист и травят с незащищенных участков проводящий слой.
