Генератор ступенчатого напряжения

 

Ъ

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

{u>995293

Союз Саветскня

Социалистических . Вес у (61) Дополнительное к авт, свид-ву В 475725

)5g)М Кд з (22) Заявлено 21.05.81(21) 3291666/18-21

Н 03 Е 4/02 сприсоединвниемзаявки Ю—

Государствеииый коиитет

СССР яо делан изобретений и открытий (23) Приоритет (33) УДК 621. 373., 44 (088 ° 8) Опубликовано 07.02.83. Бюллетень М5

Дата опубликования описания 07. 02.е 83 (72) Авторы изобретения

Л.И.Слепов, И.В.Кутовой, Л;М.Осинский (7! ) Заявитвль, (54) ГЕНЕРАТОР СТУПЕНЧАТОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Изобретение относится к .нмПульс- ной технике и может быть использовано, например, в устройствах .формирования многоступенчатых напряжений.

Наиболее близким по технической сущйости к предлагаемому является resepaxop ступенчатых напряжений, со» держаций полупроводниковый пентод, первый эмиттер которого подключен N к иакопителъному конденоатору и -разрядному элементу, второй эмиттер — к регулирующему элементу, первую базу, . вторая база подключена к дозирующвму конденсатору, коллектор — через первый ограничительный резистор - к мине источника питания, к которой подключен первый вывод резистора смещения, второй ограничительный.резистор, первый вывод которого соединен с шиной устройства p1).

Недостатком устройства является низкая стабильность вго работы.

Цела изобретения - повышение стабилъиости работы устройства.

Поставленная. цель достигается тем, что в генератор ступенчатых напряжений введены два полевых транзистора,затворы которых объединены и подключены к первому эмиттеру полупроводникового пентода, сток йолевого транзистора — ко второму выводу резистора . смецения, исток - к второй базе полу- . проводникового пентода, сток второго полевого транзистора соединен с иервой базой полупроводникового пентода, а исток -. с вторым выводом второго .; ограничительного резистора.

На чертеже приведена функциональ- ная электрическая схема устройства, Устройство содержит -полупроводНиковый пентод 1, накопительный кой-; денсатор 2, разрядный элемент 3, регу- лируюций элемент на резисторах 4 н

5,,,дозирующий конденсатор 6> первый ограничительный резистор 7, шину 8 источника питания, резистор 9 смещения, второй ограничительный резистор

l0„ полевые транзисторы 11 и 12.

° Устройство работает следуюцнм образом.

При подключении источника питания на выходе устройства формирувт-

cs начальная ступенъка напряжения, вследствие заряда доэирующего конденсатора 6 через резистор 9 <мвщения и сопротивление канала сток-исток полевого транзистора 11 с нулевык по- . тенциалом на затворе й-типа до напряжения включения полупроводникового пе н; тода 1по второй базе и разряда доэнруюше- 995293,го конденсатора 6 через открытый канал первая база — вторая база включенного пентода 1, сопротивление канала сток-исток полевого транзистора 12 и ограничительный резистор 10 на отрицательную шину источника питания.

Начальная ступень выходного» напряжения образуется за счет прохождения управляющего тока через открытый канал первая база — вторая база и переход первая база — первый эмиттер пен- р тода 1, обеспечивающего заряд накопительного конденсатора 2 через от, открытый коллекторный переход пентода 1 до амплитуды, определяемой напряжением на втором эмиттере пентода 1. При. равных потенциалах на дозирующем инакопительном конденсаторах пентод

1 переходит в закрытое состояние.

Процесс переэаряда доэирующего конденсатора б продолжается до максимального напряжения на доэирующем и накопительном конденсаторах, равного пороговому напряжению ключевого элемента. После разряда накопительногО конденсатора через ключевой элемент схема возвращается в исходное состоя- 2 ние и начинается процесс формирования начальной ступеньки напряжения.

Сопротивление каналов сток-исток полевых транзисторов с затворами.п- ЗП типа увеличивается с ростом выходного напряжения. Постоянная времени заряда доэирующего конденсатора 6 до напряжения включения пентода 1 по второй базе также возрастает, что З увеличивает стабильность длительности формируемых ступеней в закрытом состоянии пентода 1.

При открытом состоянии полупровод-40 никового пентода 1 увеличение выход;ного напряжения на накоПительном конденсаторе приводит к возрастанию коллекторного напряжения пентода 1.

Сопротивление открытого канала первая база — вторая база пентода 1 при этом увеличивается, что ведет к уменьшению управляющего тока канала.

Стабильность управляющего тока череэ..переход первая база — первый эмиттер пентода 1 повышается за счет увеличения сопротивления канала сток-исток второго полевого транзистора 12 в цепи разряда доэирующего конденсатора б. Тем самым повышается стабильность амплитуды формируемых ступеней.

Изменением потенциала на втором эмиттере пентода 1 осуществляется регулирование длительности, амплитуды и количества ступеней выходного напряжения. Например,, с увеличением потенциала на втором эмиттере пентода

1 увеличивается длительность и количество формируемых ступеней и уменьшается их амплитуда.

Формула изобретения

Генератор ступенчатого напряжения по авт.св. Р 475725, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения стабильности работы, в него введены два полевых транзистора, зат- воры которых соединены и подключены к первому змиттеру полупроводникового пентода, сток первого полевого транзистора подключен к второму выводу резистора смещения, исток — к второй базе полупроводникового пентода, сток второго полевого транзистора соединен с первой базой полупроводникового пентода, а исток — c вторым выводом второго ограничительного резистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 475725, кл. H 03 К 4/02, 02.01.74..9952 93

Составитель A. Горбачев

Редактор Е.Лушникова Техред A.Áàáèíåö Корректор А.Дэятко

Заказ 669/44 Тирак 934 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, й-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, r.Óëàîðîä, ул.Проектная,4