Способ изготовления матрицы многоострийного автоэмисионного катода на монокристаллическом кремнии - заявка 2016137063 на патент на изобретение в РФ

Способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода на пластинах монокристаллического кремния в виде столбчатых эмиссионных центров, полученных в результате высокоанизатропного травления на определенную глубину, которая зависит от температуры пластины в процессе осаждения композиционной наноалмазографитовой пленки толщиной от 1 до 1,5 нм в плазме микроволнового газового разряда паров углеводородных веществ, например, этанола в диапазоне давлений от 0,05 до 0,08 Па и температурах подложек от 200 до 350°С, отличающийся тем, что для повышения рабочей плотности тока и долговременной стабильности токоотбора в условиях технического вакуума в столбчатые эмиссионные центры многоострийного автоэмиссионного катода высотой до нескольких десятков нанометров осуществляют ионную имплантацию углерода с дозой в диапазоне 5·1017-1·1018 см-2.
Наверх