Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений gaas-gaalas методом жидкофазной эпитаксии - заявка 2016142023 на патент на изобретение в РФ

Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии, включающий нагрев исходной шихты до определенной температуры для образования насыщенного раствора-расплава, компонентный состав которого формируют путем предварительного введения в исходную шихту в определенных количествах, как минимум, двух дополнительных твердых компонентов, представляющих собой двуокись кремния SiO2 и окисел галлия состава Ga2O3, выдержку раствора-расплава на этой температуре определенное время, взаимодействие раствора-расплава с компонентами для формирования необходимого состава раствора-расплава, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя, имеющего p-i-n структуру, удаление подложки, покрытой эпитаксиальным слоем, имеющим p-i-n структуру, из-под расплава, отличающийся тем, что до температурной области инверсии примеси кремния в арсениде галлия 885-895°C эпитаксиальный процесс проводят в атмосфере высокочистого инертного газа, а далее до температуры окончания эпитаксии - в атмосфере высокочистого водорода.
Наверх