Способ модификации наноструктур материалов электронной техники газовыми кластерными ионами - заявка 2016143114 на патент на изобретение в РФ

1. Способ модификации наноструктур материалов электронной техники газовыми кластерными ионами, включающий удаление из пучка кластерных ионов любого нежелательного ионизирующего излучения, отличающийся тем, что пучок газовых кластерных ионов подают в импульсном режиме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при импульсном режиме облучение осуществляется импульсами тока кластерных ионов на мишень длительностью 150-200 мс при коэффициенте заполнения 0,1-0,25.
Наверх