Способ получения магнитного поля - заявка 2016146975 на патент на изобретение в РФ

1. Способ получения магнитного поля, включающий концентрирование земного магнитного поля в оболочку со сверхпроводящим материалом, причем концентрирование осуществляют самой оболочкой, в которой во время процесса концентрирования часть поверхности этой оболочки открыта для доступа внутрь этой оболочки потока магнитного поля Земли, а по окончании концентрирования оболочка удерживает сконцентрированное магнитное поле, отличающийся тем, что открытая к магнитному полю часть поверхности оболочки расположена со стороны вектора дрейфа магнитного поля Земли, оптимально-перпендикулярно к вектору скорости дрейфа потока силовых линий магнитного поля Земли, при этом за счет дрейфа этого потока постепенно заполняют этот сверхпроводящий контур, получая концентрированное магнитное поле внутри оболочки, с возможностью регулирования и изменения магнитного поля внутри контура сверхпроводящей оболочки.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для получения одного источника магнитного поля частично открытые сверхпроводящие оболочки размещают вдоль магнитных силовых линий одной магнитной трубки поля Земли, при этом получают концентрированное магнитное поле с длиной от 10 м до многих тысяч километров.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что регулируют магнитное поле внутри сверхпроводящей оболочки автоматически за счет свойства сверхпроводящего материала с эффектом Мейснера.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что регулируют магнитное поле внутри сверхпроводящей оболочки за счет наличия участка с тепловым ключом, периодически открывающим этот участок для сброса избыточного концентрированного магнитного поля.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что изменяют пространственное поле внутри сверхпроводящей оболочки за счет ввода внутрь полости оболочки дополнительного замкнутого сверхпроводящего элемента.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что изменяют пространственное поле внутри сверхпроводящей оболочки за счет ввода внутрь полости оболочки дополнительного ферромагнитного элемента.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что частично открытые сверхпроводящие оболочки располагают на вышках, с высотой от 1 м до 10 км, и образуют эстакаду с длинным концентрированным магнитным полем.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что частично открытые сверхпроводящие оболочки расположены на магнитных полюсах Земли, причем и на одной магнитной трубке поля Земли.
9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящую оболочку выполняют в виде произвольного профиля, например трубы П-образной формы, которая имеет слой сверхпроводящего материала, также имеет слои теплозащиты, системы подвода и прокачки криогенного охладителя, причем применяемый слой сверхпроводника использует эффект Мейснера.
Наверх