Сенсорная структура на основе квазиодномерных полупроводников - заявка 2016149249 на патент на изобретение в РФ

Сенсорная структура на основе квазиодномерных проводников, включающая основания и расположенную наноструктуру с токовыводами, а также электрод для возбуждения поперечных механических колебаний, отличающийся тем, что наноструктура выполнена из нитевидного нанокристалла полупроводника, в форме цилиндра диаметром от 1 до 10 нм и расстояние между контактными электродами не менее 100 нм.
Наверх