Способ изготовления гипсовой штукатурной плиты и гипсовая штукатурная плита, полученная таким образом - заявка 2016151594 на патент на изобретение в РФ

1. Гипсовая штукатурная плита, содержащая первый внешний слой, предпочтительно, бумажный слой (111), первый промежуточный слой (112), образованный второй гипсовой суспензией S2, центральный слой (113), образованный первой гипсовой суспензией S1, второй промежуточный слой (114), образованный третьей гипсовой суспензией S3 и второй внешний слой, в частности, бумажный слой (115),
причем первый промежуточный слой (112) расположен между первым внешним слоем (111) и слоем (113) сердцевины, а второй промежуточный слой (114) расположен между вторым внешним слоем (115) и слоем (113) сердцевины,
причем промежуточные слои (112, 114) имеют, по меньшей мере в основном постоянную толщину от 0,1 до 3 мм, предпочтительно, от 0,2 до 1 мм,
причем первая гипсовая суспензия содержит по меньшей мере 80% (по массе) всех гипсовых суспензий (S1, S2, S3):
и причем первую гипсовую суспензию готовят и вводят с более низким процентным содержанием воды (по массе), чем вторую S2 и/или третью S3 гипсовую суспензию.
2. Гипсовая штукатурная плита по п.1, отличающаяся тем, что гипсовую суспензию S1 готовят и вводят с процентом воды, который уменьшен, предпочтительно, более чем на 10 масс.%, еще более предпочтительно, более чем на 15 масс.% по сравнению с гипсовой суспензией S1 и/или S3.
3. Гипсовая штукатурная плита по п.1 или 2, отличающаяся тем, что центральный слой (113), предпочтительно, также первый (112) и/или второй (114) промежуточный слой образован преимущественно или исключительно природным гипсом или FGD гипсом и/или центральный слой (113) образован смесью α-гипса и β-гипса,
причем отношение α-гипса к β-гипсу составляет между 1:4 и 4:1, предпочтительно, 1:2 и 2:1, в частности, 1:1.
4. Гипсовая штукатурная плита по п.1 или 2, отличающаяся тем, что центральный слой (113) в высушенном состоянии имеет такую же или аналогичную плотность, что и первый (112) и/или второй (114) промежуточных слой в их высушенном состоянии,
причем разница в плотности между слоями (112, 113, 114) составляет, предпочтительно, менее 20%.
5. Гипсовая штукатурная плита по п.1 или 2, отличающаяся тем, что центральный слой (113) в высушенном состоянии имеет плотность, уменьшенную по сравнению с первым и/или вторым промежуточными слоями (112, 114),
причем плотность центрального слоя (113) уменьшена, предпочтительно, по меньшей мере на 20 %, еще более предпочтительно, по меньшей мере на 30 % по сравнению с первым (112) и/или вторым (114) промежуточным слоем.
6. Гипсовая штукатурная плита по п.1 или 2, отличающаяся тем, что промежуточные слои (112, 114) образованы одинаковой гипсовой суспензией S2, S3 (S2 = S3).
7. Гипсовая штукатурная плита по п.1 или 2, отличающаяся тем, что промежуточный слой (113) образован гипсовой суспензией S1, приготовленной в первом смесителе (10), а промежуточные слои (112, 114) образованы второй гипсовой суспензией S2, приготовленной во втором смесителе (12).
8. Гипсовая штукатурная плита по п.1 или 2, отличающаяся тем, что гипсовая суспензия S1 содержит разжижающее средство, в частности, сульфонат нафталина и/или сульфонат лигнина и/или другой разжижитель, для образования центрального слоя.
9. Способ изготовления гипсовой штукатурной плиты, предпочтительно по одному из пп.1-8, причем гипсовая штукатурная плита имеет первый внешний слой, в частности, бумажный слой (111), первый промежуточный слой (112), образованный второй гипсовой суспензией S2, центральный слой (113), образованный первой гипсовой суспензией S1, второй промежуточный слой (114), образованный третьей гипсовой суспензией S3 и второй внешний слой, в частности, бумажный слой (115), содержащий этапы, на которых:
- наносят вторую гипсовую суспензию S2 на первый внешний слой (111) для образования первого промежуточного слоя (112),
- наносят первую гипсовую суспензию S1 на первый промежуточный слой (112) для образования центрального слоя (113),
- наносят третью гипсовую суспензию S3 на центральный слой (113) или второй внешний слой (115) образуя второй промежуточный слой (114) и
- либо покрывают третью гипсовую суспензию S3 вторым внешним слоем (115) или соединяют нанесением второго внешнего слоя (115) с третьей гипсовой суспензией S3 на центральный слой (113) и
- выравнивают многослойную гипсовую штукатурную плиту выравнивающим устройством, например, выравнивающим бруском,
причем гипсовую суспензию S1 готовят и вводят с меньшим процентным содержанием воды (по массе), чем гипсовые суспензии S2 и
S3, причем процентное содержание воды (по массе) гипсовой суспензии S1 предпочтительно, уменьшено по меньшей мере на 10 %, более предпочтительно по меньшей мере на 15 % по сравнению с процентным содержанием воды (по массе) гипсовой суспензии S2 и/или S3.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что гипсовая штукатурная плита поступает в сушильную печь после схватывания гипсовых суспензий S1, S2, S3, в частности, после формирования отдельных плит,
причем гипсовая штукатурная плита поступает на стадию сушки с ассиметричной температурной кривой во времени,
причем температуры в первой половине процесса сушки устанавливают выше температур во второй половине процесса сушки,
причем температура в первой половине процесса сушки, предпочтительно, по меньшей мере на 30К выше, чем средняя температура во второй половине процесса сушки.
11. Способ по п.9 или 10, отличающийся тем, что содержит этапы, на которых:
- обеспечивают первую гипсовую суспензию S1 гипса определенного вида, в частности, FGD гипса или природного гипса, или титаногипса, используя первый смеситель (10), причем, предпочтительно, обеспечивают первое подающее средство для подачи исходных материалов в первый смеситель
- обеспечивают вторую и третью гипсовую суспензию S2, S3 в качестве частей общей суспензии гипса определенного вида, используя отдельный второй смеситель, который, предпочтительно, находится на расстоянии от первого смесителя, причем, предпочтительно, обеспечивают второе подающее средство для подачи исходных материалов во второй смеситель
- наносят вторую гипсовую суспензию S2 так, что образуется первый промежуточный слой (112) второй гипсовой суспензии
- наносят третью гипсовую суспензию S3 так, что образуется второй промежуточный слой (114) третьей гипсовой суспензии
- наносят по меньшей мере часть первой гипсовой суспензии S1 на первый и/или второй промежуточный слой (112, 114) так, что между первым и вторым промежуточным слоем (112, 114) образуется центральный слой (113) первой гипсовой суспензии.
12. Способ по п.9 или 10, отличающийся тем, что:
первая и вторая гипсовая суспензия S1, S2 отличаются видом и/или количеством добавок, и/или
первая и третья гипсовая суспензия S1, S3 отличаются видом и/или количеством добавок, и/или
первая и общая гипсовая суспензия по п.11 отличаются видом и/или количеством добавок и/или добавляют метилцеллюлозу, возможно, в первую гипсовую суспензию и/или вторую гипсовую суспензию и/или третью гипсовую суспензию и/или общую гипсовую суспензию по п.11, предпочтительно в первый и/или второй внешний (бумажный) слой, и/или в промежуточный слой между гипсовым слоем и первым и/или вторым внешними бумажными слоями.
13. Способ по п.9 или 10, отличающийся тем, что вторую гипсовую суспензию S2 наносят на первое поддерживающее средство и/или первый покрывающий слой, в частности, на первую бумагу (18), предпочтительно до соединения нижнего слоя и центрального слоя, и/или
третью гипсовую суспензию S3 наносят на второе поддерживающее средство и/или второй покрывающий слой, в частности, на вторую бумагу, предпочтительно, до соединения первого и второго промежуточного слоя и центрального слоя.
14. Способ по п.9 или 10, отличающийся тем, что вторая и/или третья гипсовая суспензия S2, S3 и/или общая гипсовая суспензия по п.11 затвердевает быстрее, чем первая гипсовая суспензия S1.
15. Способ по п.9 или 10, отличающийся тем, что (средняя) толщина первого и/или второго промежуточного слоя равна или больше 0,5 мм (после сушки) и/или поверхность продольных кромок гипсовой штукатурной плиты содержит большее количество второй и/или третьей гипсовой суспензии S2, S3 и/или общей гипсовой суспензии по п.11.
Наверх