Способ выращивания нитевидных нанокристаллов диоксида кремния - заявка 2017101044 на патент на изобретение в РФ

Способ выращивания нитевидных нанокристаллов диоксида кремния, включающий подготовку монокристаллической кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность мелкодисперсных частиц металла-катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кремния из газовой фазы, содержащей SiCl4, Н2 и О2, по схеме пар→жидкая капля→кристалл с последующим его окислением, отличающийся тем, что для реакции образования оксида , Me - металл, О - кислород, n и m - индексы, катализатор выбирают из ряда металлов, имеющих количественные значения логарифма упругости диссоциации при температуре 1000 K более -36,1, причем частицы металла-катализатора выбирают с диаметрами менее 100 нм, а температуру процесса выращивания устанавливают в интервале 1000-1300 K.
Наверх