Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов iii группы и устройство для его осуществления - заявка 2017103485 на патент на изобретение в РФ

1. Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов III группы, включающий подачу в реактор, по крайней мере, двух потоков реакционноспособных газов, по крайне мере один из которых смешивают с несущим газом, отличающийся тем, что перед подачей в реактор потоки газов направляют в соединенную с реактором смесительную камеру, стенки которой и зону соединения камеры с реактором предварительно нагревают до температуры 40÷400°C, смешивают, а затем подают в реактор в условиях ламинарного потока.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве одного из реакционноспособных газов - источников металлов III группы используют триметилалюминий, триметилиндий, триметилгаллий, триэтилгаллий, или их смеси, а в качестве реакционноспособного газа - источника азота используют аммиак.
3. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что в качестве несущего газа используют водород.
4. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что в качестве несущего газа используют смесь азота с водородом с содержанием азота не более 5%.
5. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что в качестве несущего газа используют азот.
6. Устройство для подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов третьей группы, содержащее, по меньшей мере, два ввода для подачи реакционноспособных газов и систему инжекции газов в реактор, отличающееся тем, что система инжекции газов в реактор выполнена в форме, по крайней мере, одной смесительной камеры для приготовления газовой смеси и формирователя
потока, выполненного с возможностью подачи газов в реактор в условиях ламинарного потока, соединяющего смесительную камеру с входом в реактор, смесительная камера и формирователь потока снабжены средствами поддержания заданной температуры, при этом внутренний объем каждой камеры удовлетворяет соотношению: V<Q⋅(Pst/P)⋅(T/Tst)⋅1 sec,
где
V - внутренний объем смесительной камеры, см3,
Q - полный суммарный расход газа через камеру см3/сек, при стандартных условиях,
Pst/P - отношение давления при стандартных условиях к максимальному давлению в смесительной камере во время эпитаксиального процесса,
T/Tst - отношение минимальной температуры в смесительной камере к температуре при стандартных условиях.
Наверх