Способ изготовления полупроводникового прибора - заявка 2017104194 на патент на изобретение в РФ

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, эпитаксиальный слой, процессы легирования, отличающийся тем, что гетеропереход база-коллектор формируют выращиванием n-слоя Si толщиной 400 нм при температуре 1000°С со скоростью роста 2,5 нм/с, с концентрацией мышьяка As (3-5)⋅1016 см-3, с последующим выращиванием р-слоя SiGe толщиной 50 нм со скоростью роста 0,5 нм/с при температуре 625°С, с концентрацией бора В (2-4)⋅1016 см-3, давлении 3⋅10-7 Па.
Наверх